scalmgo4 (사기) 기판

반도체 제조 분야에서 엔지니어는 일반적으로 실리콘 및 사파이어와 같은 이종 기판을 사용하여 질화 질화물 (GAN) 및 산화 아연 (ZNO) 기반 장치를 준비합니다. 그러나, 실제 생산에서, 격자 상수 차이와 열역학적 행동 불일치는 이질적인 물질 사이의 상당한 도전을 제기 할 수 있음이 밝혀졌다. 이 구조적 불일치는 재료 내에서 많은 결함과 탈구 밀도를 초래할 수 있으며, 이로 인해 임계 값 전압 드리프트 및 전류 붕괴 효과와 같은 신뢰성 문제가 발생하여 궁극적으로 장치의 장기 안정적인 작동 및 작업 수명을 제한 할 수 있습니다. 최근 몇 년 동안 발견 된 육각형 시스템 마그네슘 알루미 네이트 스칸디엄 (SCAM 또는 SAC)이 독특한 이점을 보여 주었다는 점에 주목할 가치가있다. 이 재료는 결정 구조 파라미터 측면에서 GAN 및 ZNO 반도체 재료와 우수한 호환성을 유지하며, 격자 상수는 GAN 및 ZNO의 격자에 가깝고 열 팽창 계수와 매우 일치합니다. 이 물리적 특성의 높은 적응성은 SCALMGO4 기질이 에피 택시 성장 동안 결함 형성을 효과적으로 억제하여 고품질 GAN 에피 택셜 박막을 준비하기위한 새로운 접근법을 제공 할 수있게한다. Pam-Xiamen은 SCALMGO4 기판 재료를 제공 할 수 있으며, 다음과 같이 특정 사양이 있습니다.

1. Scalmgo4 기판 사양

지금 인용 해요!

2. 가Dvantages샘ubstrate중aterial

기질 재료로서, SCALMGO4는 전통적인 기판 (예 : 사파이어, SIC, GAA 등) 및 기타 GAN, ZNO 헤테로 에피 택셜 기질 재료와 비교하여 다음과 같은 중요한 이점을 갖는다.

1) 격자 매칭 : SCALMGO4와 GAN 간의 격자 불일치 속도는 약 1.4%이며 ZnO의 격자 불일치 속도는 0.09%에 불과하며, 이는 에피 택션 층의 결함과 탈구를 효과적으로 줄이고 장치 성능 및 수명을 향상시킬 수 있습니다.

2) 열 팽창 계수 : SCALMGO4의 열 팽창 계수는 열 응력을 효과적으로 완화 할 수있는 GAN 및 ZNO의 열 팽창 계수에 가깝습니다. 열 순환 중 장치의 균열과 같은 문제를 피하고 장치의 안정성을 더욱 향상시킵니다.

3) 자기 필링 특성 : C- 축 방향을 따른 SCALMGO4 결정의 (0001) 결정 표면은 강한 자연 절단 특성을 가지며, 이는 SCALMGO4 기판이 자연적으로 에피축 층으로부터 자연적으로 분리되어 기질 재사용을 달성하고 생산 비용을 감소시킬 수있게한다.

4) 안정적인 화학적 특성 : SCALMGO4는 화학적 안정성이 높은 산화물이며, 이는 부식과 산화에 저항하여 장치의 장기 안정성을 보장 할 수 있습니다.

5) 광학 투명성 : SAM Crystal은 우수한 광학 투명성을 가지며 광전자 장치를 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

6) 전도도 : 사기 재료는 장치 단락 및 기타 문제를 방지 할 수있는 절연체입니다.

연구 또는 산업 응용 프로그램을 위해 반도체 웨이퍼가 필요한지 여부에 관계없이 이메일로 문의하십시오.[email protected] 과 [email protected].