SiC Wafer Substrate
이 회사는 결정 성장, 결정 처리, 웨이퍼 처리, 연마, 세척 및 테스트를 통합하는 완전한 SiC(탄화규소) 웨이퍼 기판 생산 라인을 보유하고 있습니다. 현재 우리는 축상 또는 축외에서 반절연 및 전도성을 갖춘 상업용 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 공급하며 사용 가능한 크기: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" 및 8"로 결함 억제, 종자 결정 처리 및 급속 성장과 같은 핵심 기술을 돌파하고 탄화규소 에피택시, 장치 등과 관련된 기초 연구 개발을 촉진합니다.
- Description
설명
PAM-XIAMEN은 반도체를 제공합니다SiC 웨이퍼 기판,6H SiC를및4H SiC(실리콘 카바이드)연구원 및 산업 제조업체를 위한 다양한 품질 등급. 우리는 개발했습니다SiC 결정 성장 기술과SiC 크리스탈 웨이퍼GaN 에피택시 장치(예: AlN/GaN HEMT 재성장), 전력 장치, 고온 장치 및 광전자 장치에 적용되는 SiC 기판을 제조하기 위한 생산 라인을 구축했습니다. 첨단 첨단 소재 연구 분야 및 국가 연구소, 중국 반도체 연구소 등의 선두 제조업체들이 투자한 탄화규소 웨이퍼 전문 기업으로서, 현재 SiC 기판의 품질을 지속적으로 향상시키고 대형 기판을 개발하는 데 전념하고 있습니다.
세부 사양은 다음과 같습니다.
1. SiC 웨이퍼 사양
1.1 8″ SiC 웨이퍼 사양
|
8인치 N형 SiC 기판 |
|||
| A등급 | B급 | C 등급 | |
| 직경 | 200±0.2mm | ||
| 두께 | 500±25μm | ||
| 폴리 타입 | 4H | ||
| 표면 방향 | 4°toward <11-20>±0.5º | ||
| 도펀트 | n형 질소 | ||
| 노치 방향 | [1-100]±5° | ||
| 노치 깊이 | 1~1.5mm | ||
| 비저항 | 0.015~0.025옴·센티미터 | 0.01~0.03옴·센티미터 | NA |
| LTV | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤10μm(10mm*10mm) | ≤15μm(10mm*10mm) |
| TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| 활 | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| 경사 | ≤35μm | ≤50μm | ≤70μm |
| 마이크로파이프 밀도 | ≤2개/cm2 | ≤10개/cm2 | ≤50개/cm2 |
| 금속 함량 | ≤1E11 원자/cm2 | ≤1E11 원자/cm2 | NA |
| 대성동 | ≤500개/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000개/cm2 | NA |
| 테드 | ≤7000개/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| 표면거칠기(Si-face) | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| 완성되는 정면 표면 | 사이페이스 CMP | ||
| 입자 | ≤100(크기≥0.3μm) | NA | NA |
| 긁힘 | ≤5, 총 길이 ≤직경 | NA | NA |
| 가장자리 칩/눌림/균열/얼룩/ 오염 |
없음 | 없음 | NA |
| 폴리타입 영역 | 없음 | ≤20% (누적 면적) | ≤30% (누적 면적) |
| 전면 마킹 | 없음 | ||
| 후면 마감 처리 | C면 연마 | ||
| 긁힘 | NA | NA | NA |
| 뒷면 결함 가장자리 칩/압흔 | 없음 | 없음 | NA |
| 뒷면 거칠기 | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| 백 마킹 | 노치(오른쪽) | ||
| 가장자리 | 모따기 | 모따기 | 모따기 |
| 포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료; 다중 웨이퍼 또는 단일 웨이퍼 카세트 패키징 | ||
참고: "NA"는 요청이 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다.
1.2 200mm 울트라프라임 SiC 기판
| 200mm N형 SiC 웨이퍼, DSP | |
| 학년 | 울트라 프라임 등급 |
| 직경 | 200±0.2mm |
| 두께 | 350 ± 25um |
| 폴리 타입 | 4H |
| 도펀트 | N형 질소 |
| 정위 | <11-20>±0.15° 방향으로 4° |
| 노치 방향 | {1-100}±5° |
| 노치 깊이 | 1~1.5mm |
| 저항력 | 0.015~0.025Ω·cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| TTV | 7μm 이하 |
| 활 | -20~20um |
| 경사 | ≤30μm |
| Si면 거칠기 | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0.2개/cm2 |
| 금속 불순물 | ≤1E11 원자/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) |
| 대성동 | 200ea/cm2 이하2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| 테드 | ≤3000개/cm22 |
| 전면 품질 | |
| 전면 | 시 |
| 표면 마무리 | 사이페이스 CMP |
| 입자 | ≤100개/웨이퍼(크기≥0.3um) |
| 긁힘 | ≤5ea/nm, 총 길이≤직경 |
| 모서리 칩/눌림/균열/얼룩/오염 | 없음 |
| 다형 영역 | 없음 |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 |
| 뒷면 품질 | |
| 백마무리 | C면 연마 |
| 긁힘 | NA |
| 뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 |
| 뒷면 거칠기 | Ra≤5nm |
| 후면 레이저 마킹 | 오른쪽으로 노치 |
| 가장자리 | 모따기 |
| 패키지 | 진공 포장을 통한 Epi-ready, 멀티 웨이퍼/싱글 웨이퍼 카세트 |
1.3 150mm 울트라프라임 SiC 기판
| 150mm N형 SiC 웨이퍼, DSP | |
| 학년 | 울트라 프라임 등급 |
| 직경 | 150±0.2mm |
| 두께 | 350 ± 25um |
| 폴리 타입 | 4H |
| 도펀트 | N형 질소 |
| 정위 | <11-20>±0.15° 방향으로 4° |
| 기본 평면 방향 | {1-100}±5° |
| 1차 플랫 길이 | 47.5±1.5mm |
| 보조 플랫 | 없음 |
| 저항력 | 0.016~0.024Ω·cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| TTV | ≤5μm |
| 활 | -15~15um |
| 경사 | ≤20μm |
| Si면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| MPD | <0.15개/cm2 |
| 금속 불순물 | ≤5E10 원자/cm2 |
| BPD | 600ea/cm2 이하2 |
| 대성동 | 100ea/cm2 이하2 |
| 전면 품질 | |
| 전면 | 시 |
| 표면 마무리 | 사이페이스 CMP |
| 입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3um) |
| 긁힘 | ≤2ea/nm, 총 길이≤1/2*직경 |
| 오렌지 껍질/구덩이/균열/오염/얼룩/줄무늬 | 없음 |
| 가장자리 칩/눌림/파손 | 없음 |
| 다형 영역 | 없음 |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 |
| 뒷면 품질 | |
| 백마무리 | C면 연마 |
| 긁힘 | ≤5ea/nm, 총 길이≤직경 |
| 뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 |
| 뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| 후면 레이저 마킹 | 상단 가장자리에서 1mm |
| 가장자리 | 모따기 |
| 패키지 | 진공 포장을 통한 Epi-ready, 멀티 웨이퍼/싱글 웨이퍼 카세트 |
1.4 4H SIC,N-TYPE , 6″WAFER 사양
| 기판 속성 | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| 설명 | A/B 생산 등급 C/D 연구 등급 D 더미 등급 4H SiC 기판 | |
| 폴리 타입 | 4H | 4H |
| 직경 | (150±0.5)mm | (150±0.5)mm |
| 두께 | (350 ± 25)μm (500 ± 25)μm | |
| 캐리어 유형 | n 형 | n 형 |
| 도펀트 | n 형 | n 형 |
| 비저항(RT) | (0.015 – 0.028)Ω·cm | (0.015 – 0.028)Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) | |
| FWHM | A<30 아크초 B/C/D <50 아크초 | |
| 마이크로파이프 밀도 | A<0.5cm-2 B<2cm-2 C<15cm-2 D<50cm-2 | |
| TTV | ＜ 15μm | ＜ 15μm |
| 활 | ＜ 40μm | ＜ 40μm |
| 경사 | ＜ 60μm | ＜ 60μm |
| 표면 방향 | ||
| 축 해제 | <11-20>± 0.5° 쪽으로 4° | <11-20>± 0.5° 쪽으로 4° |
| 기본 평면 방향 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 기본 플랫 길이 | 47.50mm±2.00mm | 47.50mm±2.00mm |
| 보조 플랫 | 없음 | 없음 |
| 표면 마감 | 양면 연마 | 양면 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 고강도 목록별 크랙 | 없음 (AB) | 누적 길이는 20mm 이하, 단일 길이는 2mm 이하(CD) |
| 고강도 빛에 의한 Hex Plate | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적 면적 ≤0.1%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 다형 영역 | 없음 (AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 비주얼 카본 내포물 | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | 없음 (AB) | 누적 길이 ≤1 x 웨이퍼 직경(CD) |
| 가장자리 칩 | 없음 (AB) | 5 허용, ≤1mm 각 (CD) |
| 고강도 빛에 의한 오염 | 없음 | - |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % | - |
| 에지 제외 | 3mm | 3mm |
1.5 4H SIC, 고순도 반절연(HPSI), 6″WAFER 사양
4H SIC,V 도핑된 반절연, 6″웨이퍼 사양
| 기판 속성 | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| 설명 | A: 생산 등급, B: 연구 등급, C: 더미 등급 4H SiC 기판 | ||
| 폴리 타입 | 4H | ||
| 직경 | 150 ± 0.2mm | ||
| 두께 | 500 ± 25μm | ||
| 캐리어 유형 | 반절연 | ||
| 도펀트 | V 도핑 | ||
| 표면 방향 | |||
| 축에 | <0001> | ||
| 축 해제 | 0 ± 0.25 ° | ||
| 노치 방향 | [1-100] ± 5.0 ° | ||
| 노치 깊이 | 1 ~ 1.25mm | ||
| 비저항(RT) | A : ≥1e8ohm.cm | B : 100% 면적> 1e5ohm.cm | C : 50% 면적> 1e5ohm.cm |
| 표면 거칠기 | ≤0.2nm(5*5um, Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) | ||
| FWHM | A : ≤45 ARCSEC | B : ≤ arcsec | C : ≤100ARCSEC |
| 마이크로파이프 밀도 | A : ≤1 EA/CM2 | B : ≤5 EA/CM2 | C : ≤10 EA/CM2 |
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| 활 | -25μm~25μm | -35μm~35μm | -45μm~45μm |
| 경사 | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Hexagonal void | 없음 | NA | |
| Carbon inclusion density | ≤1 ea/cm2 | NA | |
| 입자 | ≤60 ea/wafer (size≥0.3um） | NA | |
| 긁힘 | ≤5, total length≤diameter | total length≤2*diameter | NA |
| 금속 불순물 | ≤5E12 atoms/cm2 | ≤5E12 atoms/cm2 | NA |
| 표면 마감 | 사이페이스 CMP | ||
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 | ||
1.6 4H SIC,N-TYPE , 4″WAFER SPECIFICATION
| 기판 속성 | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| 설명 | A/B 생산 등급 C/D 연구 등급 D 더미 등급 4H SiC 기판 | |
| 폴리 타입 | 4H | 4H |
| 직경 | (100 ± 0.5) mm | (100 ± 0.5) mm |
| 두께 | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| 캐리어 유형 | n 형 | n 형 |
| 도펀트 | Nitrogen | Nitrogen |
| 비저항(RT) | (0.015 – 0.028)Ω·cm | (0.015 – 0.028)Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) | |
| FWHM | A<30 아크초 B/C/D <50 아크초 | |
| 마이크로파이프 밀도 | A<0.5cm-2 B<2cm-2 C<15cm-2 D<50cm-2 | |
| TTV | ＜10μm | ＜10μm |
| 활 | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| 경사 | ＜45μm | ＜45μm |
| 표면 방향 | ||
| 축에 | <0001>± 0.5° | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 4°or 8° toward <11-20>± 0.5° | 4°or 8° toward <11-20>± 0.5° |
| 기본 평면 방향 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 기본 플랫 길이 | 32.50 mm±2.00mm | 32.50 mm±2.00mm |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5°- | |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5°- | ||
| Secondary flat length | 18.00 ± 2.00 mm | 18.00 ± 2.00 mm |
| 표면 마감 | 양면 연마 | 양면 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 고강도 목록별 크랙 | 없음 (AB) | Cumulative length≤10mm，single length≤2mm （C.D) |
| 고강도 빛에 의한 Hex Plate | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적 면적 ≤0.1%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 다형 영역 | 없음 (AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 비주얼 카본 내포물 | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | 없음 (AB) | 누적 길이 ≤1 x 웨이퍼 직경(CD) |
| 가장자리 칩 | 없음 (AB) | 5 허용, ≤1mm 각 (CD) |
| 고강도 빛에 의한 오염 | 없음 | - |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % | - |
| 에지 제외 | 2mm | 2mm |
1.7 4H SIC,HIGH PURITY SEMI-INSULATING(HPSI), 4″WAFER SPECIFICATION
4H SIC,V DOPED SEMI-INSULATING, 4″WAFER SPECIFICATION
| 기판 속성 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 설명 | A/B 생산 등급 C/D 연구 등급 D 더미 등급 4H SiC 기판 | |
| 폴리 타입 | 4H | 4H |
| 직경 | (100 ± 0.5) mm | (100 ± 0.5) mm |
| 두께 | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| 캐리어 유형 | 반절연 | 반절연 |
| 도펀트 | V 도핑 | V 도핑 |
| 비저항(RT) | >1E7 Ω·cm | >1E7 Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) | |
| FWHM | A<30 아크초 B/C/D <50 아크초 | |
| 마이크로파이프 밀도 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | ＜10μm | ＜10μm |
| 활 | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| 경사 | ＜45μm | ＜45μm |
| 표면 방향 | ||
| 축에 | <0001>± 0.5° | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 없음 | 없음 |
| 기본 평면 방향 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 기본 플랫 길이 | 32.50 mm±2.00mm | 32.50 mm±2.00mm |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5°- | |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5°- | ||
| Secondary flat length | 18.00 ± 2.00 mm | 18.00 ± 2.00 mm |
| 표면 마감 | 양면 연마 | 양면 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 고강도 목록별 크랙 | 없음 (AB) | Cumulative length≤10mm，single length≤2mm （C.D) |
| 고강도 빛에 의한 Hex Plate | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적 면적 ≤0.1%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 다형 영역 | 없음 (AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 비주얼 카본 내포물 | 누적면적≤0.05%(AB) | 누적면적≤3%(CD) |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | 없음 (AB) | 누적 길이 ≤1 x 웨이퍼 직경(CD) |
| 가장자리 칩 | 없음 (AB) | 5 허용, ≤1mm 각 (CD) |
| 고강도 빛에 의한 오염 | 없음 | - |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % | - |
| 에지 제외 | 2mm | 2mm |
1.8 4H N-TYPE SIC, 3″(76.2mm)WAFER SPECIFICATION
| 기판 속성 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (76.2 ± 0.38) mm |
| 두께 | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | Nitrogen |
| 비저항(RT) | 0.015 – 0.028Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec |
| 마이크로파이프 밀도 | A<0.5cm-2 B<2cm-2 C<15cm-2 D<50cm-2 |
| TTV/Bow /Warp | ＜25μm |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 4°or 8° toward <11-20>± 0.5° |
| 기본 평면 방향 | <11-20>±5.0° |
| 기본 플랫 길이 | 22.22 mm±3.17mm |
| 0.875″±0.125″ | |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Secondary flat length | 11.00 ± 1.70 mm |
| 표면 마감 | Single or double face polished |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| Scratch | 없음 |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 2mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 오염 | Please consult our engineer team |
1.9 4H SEMI-INSULATING SIC, 3″(76.2mm)WAFER SPECIFICATION
(High Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)
| UBSTRATE PROPERTY | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (76.2 ± 0.38) mm |
| 두께 | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| 캐리어 유형 | semi-insulating |
| 도펀트 | V 도핑 |
| 비저항(RT) | >1E7 Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec |
| 마이크로파이프 밀도 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/Bow /Warp | ＜25μm |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 4°or 8° toward <11-20>± 0.5° |
| 기본 평면 방향 | <11-20>±5.0° |
| 기본 플랫 길이 | 22.22 mm±3.17mm |
| 0.875″±0.125″ | |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Secondary flat length | 11.00 ± 1.70 mm |
| 표면 마감 | Single or double face polished |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| Scratch | 없음 |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 2mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 오염 | Please consult our engineer team |
1.10 4H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
| 기판 속성 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (50.8 ± 0.38) mm |
| 두께 | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | Nitrogen |
| 비저항(RT) | 0.012 – 0.0028 Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec |
| 마이크로파이프 밀도 | A<0.5cm-2 B<2cm-2 C<15cm-2 D<50cm-2 |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 4°or 8° toward <11-20>± 0.5° |
| 기본 평면 방향 | Parallel {1-100} ± 5° |
| 기본 플랫 길이 | 16.00 ± 1.70) mm |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Secondary flat length | 8.00 ± 1.70 mm |
| 표면 마감 | Single or double face polished |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 오염 | Please consult our engineer team |
1.11 4H SEMI-INSULATING SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
(High-Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)
| 기판 속성 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SEMI Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (50.8 ± 0.38) mm |
| 두께 | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| 비저항(RT) | >1E7 Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec |
| 마이크로파이프 밀도 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| 표면 방향 | |
| On axis <0001>± 0.5° | |
| Off axis 3.5° toward <11-20>± 0.5° | |
| 기본 평면 방향 | Parallel {1-100} ± 5° |
| 기본 플랫 길이 | 16.00 ± 1.70 mm |
| Secondary flat orientation Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° | |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Secondary flat length | 8.00 ± 1.70 mm |
| 표면 마감 | Single or double face polished |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | Please consult our engineer team |
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1.12 6H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
| 기판 속성 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 6H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 6H |
| 직경 | (50.8 ± 0.38) mm |
| 두께 | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | Nitrogen |
| 비저항(RT) | 0.02 ~ 0.1 Ω·cm |
| 표면 거칠기 | < 0.5 nm(Si-면 CMP Epi-준비); <1nm(C면 광학 광택제) |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50 arcsec |
| 마이크로파이프 밀도 | A<0.5cm-2 B<2cm-2 C<15cm-2 D<50cm-2 |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001>± 0.5° |
| 축 해제 | 3.5° toward <11-20>± 0.5° |
| 기본 평면 방향 | Parallel {1-100} ± 5° |
| 기본 플랫 길이 | 16.00 ± 1.70 mm |
| Secondary flat orientation | Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Secondary flat length | 8.00 ± 1.70 mm |
| 표면 마감 | Single or double face polished |
| 포장 | 단일 웨이퍼 박스 또는 멀티 웨이퍼 박스 |
| 사용 가능한 영역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| 고강도 빛에 의한 긁힘 | Please consult our engineer team |
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1.13 12인치 SiC 기판 웨이퍼
|
12인치(300mm) 4H-SiC 기판 사양(PAM07282026) |
|
| 매개 변수 | 값 |
| 직경 | 300.0±0.5mm |
| 두께 | 700±50μm |
| 폴리 타입 | 4H |
| 도펀트 | n형 질소 |
| 표면 방향 | NA |
| 노치 방향 | <1-100>±5° |
| 노치 깊이 | 1-1.25mm |
| 비저항 | NA |
| TTV | NA |
| 활 | NA |
| 경사 | NA |
| 마이크로파이프 밀도 | NA |
| 눈에 보이는 탄소 함유물 | NA |
| 금속 불순물 | NA |
| 대성동 | NA |
| BPD | NA |
| 테드 | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| 총 사용 가능 면적(2mm*2mm) | NA |
| 전면 품질 | |
| 앞 | 시 |
| 표면 마감 | 사이페이스 CMP |
| 입자 | NA |
| 긁힘 | NA |
| 오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염/핀홀 | NA |
| 가장자리 칩/인덴트 | NA |
| 다형 영역 | NA |
| 전면 거칠기 | NA |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 |
| 뒷면 품질 | |
| 백마무리 | C면 연마 |
| 긁힘 | NA |
| 가장자리 칩/인덴트 | NA |
| 뒷면 거칠기 | NA |
| 후면 레이저 마킹 | 노치 바로 위 |
| 가장자리 | 모따기 |
| 포장 | 질소 충전 또는 진공이 포함된 다중/단일 웨이퍼 카세트, 에피 지원 |
참고: "NA"는 요구 사항이 없음을 의미합니다.
1.14 SiC 시드 크리스탈 웨이퍼:
| Size | Type | 정위 | 두께 | MPD | Polishing Condition | |
| No.1 | 105mm | 4H, N type | C(0001)4deg.off | 500+/-50um | <=1/cm-2 | – |
| No.2 | 153mm | 4H, N type | C(0001)4deg.off | 350+/-50um | <=1/cm-2 | – |
4H N-type or semi-insulating SIC,5mm*5mm, 10mm*10mm WAFER SPECIFICATION: Thickness:330μm/430μm
4H N-type or semi-insulating SIC,15mm*15mm, 20mm*20mm WAFER SPECIFICATION:Thickness:330μm/430μm
a-plane SiC Wafer, size: 40mm*10mm,30mm*10mm,20mm*10mm,10mm*10mm,specs below:
6H/4H N type Thickness:330μm/430μm or custom
6H/4H Semi-insulating Thickness:330μm/430μm or custom
1.15 실리콘 카바이드 재료 특성
| SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES | ||
| 폴리 타입 | Single Crystal 4H | Single Crystal 6H |
| Lattice Parameters | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Stacking Sequence | ABCB | ABCACB |
| Band-gap | 3.26 eV | 3.03 eV |
| Density | 3.21 · 103 kg/m3 | 3.21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Expansion Coefficient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Refraction Index | no = 2.719 | no = 2.707 |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| Dielectric Constant | 9.6 | 9.66 |
| Thermal Conductivity | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Break-Down Electrical Field | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Saturation Drift Velocity | 2.0 · 105 m/s | 2.0 · 105 m/s |
| Electron Mobility | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| hole Mobility | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohs Hardness | ~9 | ~9 |
2. About SiC Wafer
Silicon carbide wafer have excellent thermodynamic and electrochemical properties.
In terms of thermodynamics, the hardness of silicon carbide is as high as 9.2-9.3 on the Mohs at 20°C. It is one of the hardest materials and can be used to cut rubies. The SiC wafer thermal conductivity exceeds that of copper, which is 3 times that of Si and 8-10 times that of GaAs. And SiC wafer thermal stability is high, it is impossible to be melted under normal pressure.
In terms of electrochemistry, bare silicon carbide wafer has the characteristics of wide band gap and breakdown resistance. The band gap of SiC substrate wafer is 3 times that of Si, and breakdown electric field is 10 times that of Si, and its corrosion resistance is extremely strong.
Therefore, SiC-based SBDs and MOSFETs are more suitable for working in high-frequency, high-temperature, high-voltage, high-power, and radiation-resistant environments. Under the conditions of the same power level, SiC devices can be used to reduce the volume of electric drives and electronic controls, meeting the needs of higher power density and compact design. On the one hand, silicon carbide substrate wafer fabrication technology is mature, and the SiC wafer cost is competitive currently. On the other hand, the trend of intelligence and electrification continues to evolve. The traditional cars has brought huge demand for SiC power semiconductors. Thus, the global SiC wafer market is growing rapidly.
3. Q&A of SiC Wafer
3.1 What is the barrier of SiC wafer becoming a wide application same as silicon wafer?
1.Due to the physical and chemical stability of SiC, the crystal growth of SiC is extremely difficult, which seriously hinders the development of SiC semiconductor devices and their electronic applications.
2.Since there are many kinds of SiC structures with different stacking sequences (also known as polymorphism) , the growth of electronic grade SiC crystal is hindered. The polymorphs of SiC, such as 3C SiC, 4H SiC and 6h SiC.
3.2 What kind of SiC wafer do you offer?
What you need belongs to cubic phase, there are cubic (c), hexagonal (H) and rhombic (R). what we have are hexagonal, such as 4H and 6h, C is cubic, like 3C silicon carbide.
4. Please see below sub-catalogue:
4H N Type SiC
4H Semi-insulating SiC
SiC Ingots
Lapped Wafers
Polishing Wafer
PAM-XIAMEN Offers High Purity Semi-Insulating SiC substrate
SiC(Silicon Carbide) Boule Crystal
HPSI SiC Wafer for Graphene Growth
Thick Silicon Carbide Substrate
Why do We Need High Purity Semi-insulating SiC Wafer?
Phonon Properties of SiC Wafer
