의 SiC 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 SiC 웨이퍼와 에피택시를 제공합니다. SiC 웨이퍼는 탁월한 성능을 갖춘 3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. 넓은 밴드갭, 높은 열 전도성, 높은 항복 전기장, 높은 고유 온도, 방사선 저항, 우수한 화학적 안정성 및 높은 전자 포화 드리프트 속도 등의 장점을 가지고 있습니다. SiC 웨이퍼는 항공우주, 철도 운송, 광전지 발전, 송전, 신에너지 차량 및 기타 분야에서도 큰 응용 가능성을 갖고 있으며 전력 전자 기술에 혁명적인 변화를 가져올 것입니다. Si 페이스 또는 C 페이스는 질소 가스로 포장된 에피 레디 등급의 CMP이며, 각 웨이퍼는 100개의 청정실에서 하나의 웨이퍼 컨테이너에 들어 있습니다.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.