sic zener 다이오드 에피 택셜 웨이퍼 *s

In order to improve the performance of Zener diodes, researchers are constantly exploring new semiconductor materials and advanced manufacturing processes. For example, by using wide bandgap materials such as gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), etc., Zener diode can withstand higher voltage, temperature, and power density, which is expected to significantly improve its efficiency and stability, while reducing device size and energy consumption. PAM-XIAMEN can grow SIC 에피 택셜 웨이퍼제너 다이오드의 제조를 위해, 다음 구조를 예로 들어 보자. 또한 맞춤형 구조를 성장시킬 수 있습니다.

1.SIC 기반 제너 다이오드 에피 택셜 웨이퍼의 구조

2. 고장중sic zener의 메커니즘NS요오드

Sic Zener Diodes에서, 분해 메커니즘은 일반적으로 밴드 터널링과 트랩 보조 터널링의 두 가지 주요 메커니즘을 포함합니다.

밴드 터널링은 높은 전기장과 매우 ​​높은 도핑 농도에서 발생하는 양자 기계 효과입니다. 이 과정에서, 전자는 원자가 밴드에서 터널에서 밴드 갭을 직접 가로 지르며 전도 대역으로 향합니다. 이 메커니즘은 일반적으로 전기장이 매우 강할 때만 중요합니다. 즉, 밴드 갭 폭이 비교적 크기 때문에 (약 3.2 eV -3.4 eV) 밴드 터널링을 달성하기 위해 더 높은 전기장이 필요하기 때문입니다.

트랩 보조 터널링 (TAT)은 원자 결함, 격자 결함 또는 도핑에 의해 도입 된 깊은 수준의 트랩에 의존하여 에너지 밴드에 중간 상태를 도입하여 전자가 이들 중간 상태를 통해 밴드 갭을 통해 점차 터널을 터널로 연결하여 직접 밴드 터널링에 필요한 전기장을 감소시킬 수있게한다. 고유 한 결함, 계면 상태 및 SIC 재료의 불순물로 인해 트랩이 도입 될 수 있으며,이 메커니즘은 실제 장치에서도 일반적입니다.

3. 의 장점SiC를 기반 ZenerNS요오드

실리콘 카바이드 제너 다이오드는 안정적인 전압 조절을 달성하기 위해 실리콘 카바이드 재료의 우수한 성능을 활용하는 특수 유형의 다이오드입니다. 제너 다이오드는 본질적으로 제너 분해를 통해 비교적 일정한 전압을 유지하므로 전압 조절기 및 과전압 보호기에 이상적인 선택이됩니다.

기존의 실리콘 기반 제너 다이오드와 비교하여, SIC 웨이퍼는 더 넓은 밴드 갭 및 더 큰 파괴 전계 강도를 가지며,이를 통해 SIC 제너 다이오드는 일반적으로 손상없이 수십 볼트에서 수백 또는 수천 볼트까지 더 높은 전압에서 작동 할 수 있습니다.

게다가 SIC는 우수한 열 안정성을 가지므로 SIC 제너 다이오드는 성능 저하없이 더 높은 온도에서 작동 할 수 있습니다. 이는 가혹한 환경 조건에서 작업 해야하는 응용 프로그램에 중요합니다. SIC 반도체는 열전도율이 높고 열을 효과적으로 소산하여 과열없이 더 큰 전력을 처리 할 수 ​​있습니다.

전자 제품의 소형화 및 다기능 성이 높아짐에 따라 연구원들은 Zener 다이오드를 다른 전자 구성 요소와 통합하여보다 작고 다기능적인 모듈을 형성하기 위해 노력하고 있습니다. 예를 들어, 복잡한 전원 관리 요구 사항을 충족하기 위해 Zener 다이오드를 MOSFET, 컨트롤러 등과 통합합니다. 자동차 전자 장치, 항공 우주, 의료 장비 등과 같은 특정 산업 또는 응용 시나리오의 경우, 연구는 온도 범위 운영, 빠른 응답 또는 고전압 저항 수준과 같은 특수 특성을 갖춘 제너 다이오드 개발에 중점을 둡니다.

연구를 위해 SIC 웨이퍼가 필요하든 산업 응용 프로그램을 위해서는 이메일로 문의하십시오.[email protected] 과 [email protected].