PAM-하문사용 가능한 크기: 2인치, 3인치, 4인치, 6인치의 SiC(실리콘 카바이드) Boule Crystal을 제공하며 사용 가능한 길이는 5~10mm 또는 10~15mm입니다. 고정 크기는 10mm와 같이 실행 가능합니다. 아래의 4인치 및 6인치 크기 사양을 참조하세요.
1. SiC Boule Crystal의 사양
No.1: 4″ SiC Boule 결정, 생산 등급
폴리타입: 생산 - 4H
직경: 생산-100,0 mm+/-0,2 mm
캐리어 유형: 생산-N 유형
저항률: 생산-0,015~0,028 Ohm-cm
방향: 생산–4,0˚±0,5˚
기본 평면 방향: 생산 {10-10}±5,0˚
기본 평면 길이: 생산 32,5 mm±2,5 mm
2차 플랫 배향(5%) : 생산-Si면이 오리엔테이션 플랫에서 90˚ CCW / C면이 오리엔테이션 플랫에서 90˚ CCW
2차 평면 길이: 생산-18,0mm±2,0mm.
고강도 빛에 의한 균열: 생산 - 방사형 깊이에서 각각 1mm 이하
고강도 빛에 의한 Hex Plate : 생산량 <5% (누적 면적 <5%)
마이크로파이프 밀도: 생산-<5 /сm2
Option1:두께: 10~15mm
Option2:두께: 5~10mm
No.2: 4″ SiC Boule Crystal, 더미 등급
폴리타입: 더미- 4H
직경: -100,0mm+/-0,2mm
캐리어 유형: N 유형
저항력: -0,015~0,028 Ohm-cm
방향:-4,0˚±0,5˚
1차 평면 방향:{10-10}±5,0˚
1차 플랫 길이:32,5mm±2,5mm
2차 플랫 방향(5%): Si면은 오리엔테이션 플랫에서 90˚ CCW/ C면은 오리엔테이션 플랫에서 90˚ CCW
2차 플랫 길이: -18,0mm±2,0mm.
고강도 빛에 의한 균열:- 반경 방향 깊이가 3mm ≤4mm
고강도 빛에 의한 육각판: <10% (누적 면적 <10%)
마이크로파이프 밀도:<5 0/сm2
Option1:두께: 10~15mm
Option2:두께: 5~10mm
No.3: 6″ SiC Boule 결정, 생산 등급
폴리타입: 생산 - 4H
직경: 생산-150,0mm+/-0,2mm
캐리어 유형: 생산-N 유형
저항률: 생산-0,015~0,028 Ohm-cm
방향: 생산–4,0˚±0,5˚
기본 평면 방향: 생산 {10-10}±5,0˚
기본 플랫 길이: 생산 47,5 mm±2,5 mm
보조 평면 방향: 해당 없음
보조 평면 길이: 해당 없음
고강도 빛에 의한 균열: 생산 - 방사형 깊이에서 각각 1mm 이하
고강도 빛에 의한 Hex Plate : 생산량 <5% (누적 면적 <5%)
마이크로파이프 밀도: 생산-<5 /сm2
Option1:두께: 10~15mm
Option2:두께: 5~10mm
No.4: 6″ SiC Boule Crystal, 더미 그레이드
폴리타입: 더미 – 4H
직경: 150,0mm+/-0,2mm
캐리어 유형: N 유형
저항력: 0,015~0,028 Ohm-cm
방향: 4,0˚±0,5˚
기본 평면 방향: {10-10}±5,0˚
1차 플랫 길이:47,5mm±2,5mm
보조 평면 방향: 해당 없음
보조 평면 길이: 해당 없음
고강도 빛에 의한 균열 : 3mm
반경 방향 깊이 ≤4mm
고강도 빛에 의한 육각판: <10% (누적 면적 <10%)
마이크로파이프 밀도: -<50 /сm2
Option1:두께: 10~15mm
Option2:두께: 5~10mm
SiC(Silicon Carbide) Boule Crystal
2. SiC 잉곳에 고온 어닐링이 필요한 이유는 무엇입니까?
PVT 승화로 제조된 SiC 결정에는 일반적으로 전위, 마이크로채널, 적층 결함, 다중 유형 함유물 및 함유물과 같은 결함이 있습니다. 그리고 위의 결함 구조와 주변의 법선 격자점 사이의 왜곡과 같은 이러한 결함은 주변에 응력장을 생성합니다. SiC 결정의 불균일한 성장도 스트레스를 생성합니다. 응력이 존재하면 이후 가공(예: 라운딩, 표면 연삭, 다중 와이어 절단 등)에서 쉽게 균열이 발생하여 SiC 웨이퍼의 수율이 크게 감소할 수 있습니다.
SiC 결정의 품질을 향상시키고 구조적 결함과 열 응력을 줄이기 위해서는 SiC 결정을 고온에서 어닐링해야 합니다. 이 과정은 기본적으로 가열 – 보온 – 냉각의 세 가지 과정으로 나눌 수 있으며 이는 여러 번 반복될 수 있습니다. SiC 결정의 높은 온도 저항으로 인해 열 응력을 최소화하기 위해 SiC 웨이퍼의 어닐링 온도는 일반적으로 약 1800℃로 상대적으로 높습니다.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com