이산화규소 웨이퍼
이산화규소 웨이퍼는 다양한 크기의 단면/양면 연마 및 단면/양면 산화 처리된 PAM-XIAMEN에서 제공할 수 있습니다. 집적회로 공정에서 산화는 필수적인 공정 기술이다. 초기 사람들은 SiO2에서 붕소, 인, 비소, 안티몬과 같은 불순물 원소의 확산 속도를 발견한 이후2Si, SiO의 확산 속도보다 훨씬 느립니다.2필름은 소자 생산에서 선택적 확산을 위한 마스크로 널리 사용되어 왔으며 실리콘 평면 기술의 출현을 촉진했습니다. 동시에, SiO2Si 표면에서 성장한 필름은 Si와의 접착력이 좋을 뿐만 아니라 화학적 특성과 전기 절연성이 매우 안정적입니다. 그러므로,열산화물 실리콘 웨이퍼집적 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. SiO의 사양2구입할 수 있는 웨이퍼는 다음과 같습니다.
1. 이산화규소 웨이퍼의 사양
| 아니. | 크기(인치) | 유형 | 정위 | 두께(um) | SiO2(nm) | 저항률 범위(ohm-cm) | 표면 처리 |
| PAM-01 | 1 | 피 | 100 | 525 ± 10 | 330nm | 0-0.005 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-02 | 2 | 피 | 100 | 500 ± 20 | 3um | 1-10 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-04 | 2 | NS | 100 | 285±15 | 1um | 1-10 | 2면 광택 처리, 2면 산화 |
| PAM-09 | 3 | FZ | 100 | 400 ± 10 | 2um | 10000-20000 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-015 | 4 | / | 100 | 400 ± 10 | 2um | 10000-20000 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-025 | 4 | 피 | 100 | 400 ± 10 | 500nm | 3000-5000 | 1면 광택 처리, 1면 산화 |
| PAM-035 | 4 | NS | 100 | 500 ± 25 | 270/320nm | 0.01-0.05 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-036 | 4 | 피 | 100 | 700 ± 10 | 300-310nm | 0.001-0.002 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-037 | 4 | 피 | 100 | 700 ± 10 | 305±5nm | 0-0.1 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-052 | 4 | 피 | 100 | 500 ± 20 | 150nm | 0-0.0015 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-054 | 4 | 피 | 111 | 500 ± 25 | 50-80nm | 0-0.05 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-056 | 6 | NS | 100 | 510±15 | 200nm | 6000-10000 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-057 | 6 | 피 | 111 | 645±25 | 500nm | 5-25 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-059 | 6 | / | 100 | 650 ± 25 | 500nm | 5000-10000 | 2면 광택, 1면 산화 |
| PAM-060 | 6 | 피 | 100 | 675 ± 25 | 500nm | 0.5-100 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-061 | 6 | / | 100 | 625 ± 25 | 2um | 1-100 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-062 | 6 | NS | 100 | 650 ± 50 | 2.8um | 0.1-100 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-066 | 8 | 피 | 100 | 720±25 | 100-500nm | 0.005-100 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-070 | 5 | NS | 100 | 525 ± 15 | 300nm | 0-0.005 | 1면 광택 처리, 1면 산화 |
| PAM-084 | 6 | 피 | 100 | 675 ± 25 | 8um±5% | 10-20 | 1면 광택, 2면 산화 |
| PAM-086 | 12 | 피 | 100 | 650 ± 50 | 100-500nm | 1-100 | 2면 광택 처리, 2면 산화 |
2. 실리콘 웨이퍼 산화 공정
실리콘 웨이퍼에서 이산화규소의 산화 공정은 표면 공정, 즉 산화제가 실리콘 웨이퍼 표면의 Si 원자와 반응하는 것입니다. SiO일 때2실리콘 표면에 형성된 층은 산화제가 Si와 직접 접촉하는 것을 방지하므로 산화제는 SiO를 통해 확산되어야 합니다.2. 층이 SiO2에 도달하면2, 이산화규소 웨이퍼 인터페이스는 Si 원자와 반응하여 새로운 SiO를 형성합니다.2층, SiO 만들기2필름은 더 두꺼워지고 동시에 SiO2-Si 인터페이스가 Si로 발전합니다.
3. 실리콘 웨이퍼 산화막 성장률에 영향을 미치는 요인
산화 소스, 원자 밀도, 온도 등과 같은 많은 요소가 실리콘 웨이퍼 열 산화물 성장 속도에 영향을 미칩니다.
원자 밀도가 다르기 때문에 동일한 온도, 산화 압력 및 기타 조건에서 원자 밀도가 높은 결정면은 산화 성장 속도가 더 높습니다.산화규소 웨이퍼, 저온에서의 선형 스테이지가 더 분명합니다.
실리콘 웨이퍼 산화물 온도의 영향은 포물선 속도 상수 B와 선형 상수 B/A 및 온도 사이의 관계에서 볼 수 있습니다. 다음 표에 나타난 바와 같이, 서로 다른 산화 분위기와 서로 다른 온도에서 A, B, B/A의 값이 주어졌습니다.
| 산화된 형태 | 온도/℃ | A/um | B/(um2/분) | B/A(음/분) |
| 건식산소산화 | 1200 | 0.04 | 7.5x10-4 | 1.87x10-2 |
| 1100 | 0.09 | 4.5x10-4 | 0.50x10-2 | |
| 1000 | 0.165 | 1.95x10-4 | 0.118x10-2 | |
| 920 | 0.235 | 0.82x10-4 | 0.0347×10-2 | |
| 습식 산소 산화
(95℃ 수증기) |
1200 | 0.050 | 1.2x10-2 | 2.40x10-1 |
| 1100 | 0.11 | 0.85x10-2 | 0.773x10-1 | |
| 1000 | 0.226 | 0.48x10-2 | 0.212x10-1 | |
| 920 | 0.50 | 0.34x10-2 | 0.068x10-1 | |
| 수증기 산화 | 1200 | 0.017 | 1.457x10-2 | 8.7x10-1 |
| 1094 | 0.083 | 0.909x10-2 | 1.09x10-1 | |
| 973 | 0.3550 | 0.520x10-2 | 0.146x10-1 |
4. 이산화규소 웨이퍼의 품질 평가
산화 후 산화층이 있는 실리콘 웨이퍼의 품질을 평가해야 합니다. 일부 테스트는 파괴적이기 때문에 테스트에 특별히 사용되는 특정 수의 샘플을 다른 위치에 배치하는 동시에 크리스탈 가든 배치를 용광로 튜브로 보냅니다. 일반적으로 열산화물 성장 실리콘 웨이퍼의 표면검사와 두께검사 등이 주로 포함됩니다. 표면 검사는 일반적으로 SiO2를 사용하여 각 실리콘 웨이퍼에 대해 수행됩니다.이 자외선 아래에서 나타나는 표면 입자, 불규칙성 및 얼룩을 포함하여 고휘도 자외선 아래에서 나타납니다.
실리콘 웨이퍼 산화물 두께의 검출은 다양한 장치 또는 다양한 목적의 요구 사항으로 인해 매우 중요합니다. 예를 들어, MOS 게이트 산화막의 두께는 매우 엄격합니다. 이산화규소 웨이퍼의 검출 기술에는 색상 비교, 가장자리 계산 간섭, 엘립소메트리 및 주사 전자 현미경 등이 포함됩니다.
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