실리콘 잉곳

실리콘 잉곳

실리콘 잉곳 제조회사인 PAM-XIAMEN에서 P형 또는 N형 실리콘 잉곳 결정체를 구매하실 수 있습니다. 단결정 실리콘 잉곳을 얻기 위해서는 실리콘 소재를 단결정 용광로에서 녹인 후 일련의 공정을 거쳐 단결정 실리콘 막대로 성장한 후 단결정 실리콘 막대를 기계 가공하여 최종적으로 실리콘 부울 결정을 얻습니다.

실리콘 잉곳

1. 실리콘 잉곳 목록

잉곳 번호 잉곳 직경 유형, 방향 잉곳 길이 (mm) 저항 일생 수량
PAM-XIAMEN-INGOT-24 103.4 N111 167 15000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-25 103.5 N111 196 17000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-62 105 N100 165 810 1
PAM-XIAMEN-INGOT-67 MC200 P110 243 0.313 3.51 % 1
PAM-XIAMEN-INGOT-89 200 P110 186 1.61 10.56 % 1
PAM-XIAMEN-INGOT-93 86 N100 76 4700 1
PAM-XIAMEN-INGOT-94 82 N100 75 6800 1
PAM-XIAMEN-INGOT-95 79 N100 102 13000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-100 8 " 300mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-108 4 " 95mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-109 6 " 252mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-113 2 " 195mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-114 삼" 95mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-127 A면 140mm 및 B면 170mm 100mm 1

2. 성장방법에 따른 실리콘 결정의 분류

단결정 실리콘은 매우 중요한 결정질 실리콘 소재입니다. 실리콘 잉곳 공장의 다양한 실리콘 잉곳 성장 방법에 따라 구역 용융 단결정 실리콘과 초크랄스키 단결정 실리콘으로 나눌 수 있습니다.

* 존 용융 단결정 실리콘은 플로팅 존 용융법으로 제조되므로 FZ 실리콘 단결정이라고도 합니다. FZ 실리콘 잉곳은 주로 고전력 장치에 사용되며 단결정 실리콘 시장에서 작은 부분만을 차지합니다.

* 초크랄스키 단결정 실리콘은 CZ 단결정 실리콘이라 불리는 초크랄스키법으로 제조됩니다. CZ 실리콘 잉곳은 주로 마이크로 전자 집적 회로 및 태양 전지에 사용됩니다.

3. CZ 또는 FZ 크리스탈 실리콘 잉곳에 대한 산업 표준

태양광, 전력 장치 또는 기타 분야용 실리콘 잉곳은 고품질과 경쟁력 있는 가격을 제공합니다. 게다가,단결정 실리콘 결정규정된 기준을 충족합니다. 또한 실리콘 잉곳 순도를 맞춤 설정할 수 있습니다.

3.1 실리콘 단결정 저항률과 캐리어 수명

FZ 고저항 Si 잉곳의 저항률 범위와 소수 캐리어 수명은 다음 표의 요구 사항을 충족해야 합니다.

전도도 유형 도펀트 직경/mm 저항률 범위/(Ω- cm) 소수 캐리어 수명/us
p B 30~200 3 000~20 000 >500
n p 30~200 800~10 000 >1,000
저항률 값은 두 개의 프로브로 측정한 실리콘 단결정의 저항률입니다.

 

우리의 실리콘 결정 잉곳의 저항률 범위와 방사형 저항률 변화는 다음 표의 요구 사항을 충족합니다.

CZ Si 잉곳의 캐리어 수명은 공급자와 구매자 간의 협상을 통해 결정되어야 합니다.

전도도 유형 도핑 요소 저항률 범위/(Ω-cm) 방사형 저항률 변화 b/%
<50.8mm(100)/(111) 50.8mm(100)/(111) 76.2mm(100)/(111) 100mm(100)/(111) 125mm(100)/(111) 150mm(100)/(111) 200mm (100)
p B 0.001~0.1 ≤8 ≤8 ≤8 ≤6/≤6 ≤6/≤9 ≤5/≤8 ≤12
>0.1~60 ≤8 ≤8 ≤8 ≤8/≤9 ≤6/≤9 ≤5/≤8 ≤5
n P 0.001~0.1 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15
>0.1~60 ≤12/≤20 ≤12/≤20 ≤12/≤20 ≤12/≤25 ≤12/≤25 ≤12/≤25 ≤15
n SB ≤0.02 20분의 12 이하 20분의 12 이하 20분의 12 이하 ≤12/≤25 ≤10/≤25 10/35이하 ≤12
같이 ≤0.006 20분의 12 이하 20분의 12 이하 20분의 12 이하 ≤12/≤25 ≤12/≤30 ≤12/≤30 ≤12

 

* 저항률 값은 직선형 4핀을 사용하여 실리콘 단결정 단면에서 측정됩니다.

* 방사상 저항률 변화의 값은 4개의 바늘을 직선으로 사용하여 실리콘 잉곳의 특정 단면에서 측정됩니다.

3.2 실리콘 잉곳 방향 테스트를 위한 표준 방법

CZ 결정 방향 편차는 </= 2°여야 하며, FZ 실리콘 잉곳 결정 방향 편차는 </=5°여야 합니다. 실리콘의 잉곳 방향을 테스트하는 두 가지 주요 방법이 있습니다.

a) X선 회절 배향 방법

The atoms of a silicon ingot arranged in a three-dimensional periodic crystal structure can be regarded as the atoms arranged in a series of parallel planes with a vertical distance of d in space. When a parallel monochromatic X-ray strikes the plane, and the optical path difference between the adjacent planes of X-rays is an integer multiple of its wavelength, diffraction (reflection) occurs.

b) Light pattern orientation

After the silicon ingot surface is ground and preferentially etched, many tiny pits will appear. These pits are constrained on the plane related to the main boule direction of the material, and these boundary planes determine the pit shape of the etched surface. The light pattern of the small plane composed of pits is related to the crystallographic direction of the measured plane, so the light pattern can be used to determine the surface crystallographic direction and its deviation angle.

4. More posts about silicon ingot, please read:

1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm

2″ FZ Silicon Ingot with Diameter 50mm

Silicon Ingots-1

실리콘 잉곳-2

Silicon Ingots-3

P or N Type Silicon Crystal with A Orientation of (100), (110) or (111)

 

파워웨이웨이퍼

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