CZ 단결정 실리콘

단결정 벌크 실리콘 생산업체인 PAM-XIAMEN은 CZ법으로 성장한 76.2~200mm의 N&P 도펀트가 포함된 <100>, <110> 및 <111> 단결정 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. Czochralski 방법은 CZ 방법이라고 하는 결정 성장 방법입니다. 직관 가열 시스템에 통합되어 흑연 저항에 의해 가열되고 고순도 석영 도가니에 포함된 폴리실리콘을 녹인 다음 용접용 용융물의 표면에 종자 결정을 삽입합니다. 그 후, 회전하는 종자 결정을 낮추고 녹입니다. 넥킹(necking), 넥킹(necking), 숄더링(shouldering), 등직경 조절, 마무리의 단계를 거쳐 몸을 스며들고 만지고, 점차적으로 들어올려 마무리하거나 당긴다.

  • 기술

제품 설명

단결정 벌크 실리콘 생산업체인 PAM-XIAMEN은 CZ법으로 성장한 76.2~200mm의 N&P 도펀트가 포함된 <100>, <110> 및 <111> 단결정 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. Czochralski 방법은 CZ 방법이라고 하는 결정 성장 방법입니다. 직관 가열 시스템에 통합되어 흑연 저항에 의해 가열되고 고순도 석영 도가니에 포함된 폴리실리콘을 녹인 다음 용접용 용융물의 표면에 종자 결정을 삽입합니다. 그 후, 회전하는 종자 결정을 낮추고 녹입니다. 넥킹(necking), 넥킹(necking), 숄더링(shouldering), 등직경 조절, 마무리의 단계를 거쳐 몸을 스며들고 만지고, 점차적으로 들어올려 마무리하거나 당긴다.

1. Specifications for CZ Monocrystalline Silicon Wafers

유형 전도 유형 정위 직경 (mm) 전도도 (Ω • cm)
CZ N 및 P <100> <110> 및 <111> 76.2-200 1-300
MCZ N 및 P <100> <110> 및 <111> 76.2-200 1-300
헤비 도핑 N 및 P <100> <110> 및 <111> 76.2-200 0.001-1
  직경 (mm) 두께 (음)
웨이퍼 76.2-200 ≥160

 

2. Classification of CZ Monocrystalline Silicon Wafer

2.1 CZ-실리콘

무겁게 / 저농도CZ는 단결정 실리콘 is suitable for fabrication of various integrated circuits (IC), diodes, triodes, green-energy solar panel. During the monocrystalline silicon production, the special elements (such as Ga, Ge) can be added to produce the high-efficiency, radiation-resistant and anti-degenerating solar cell materials for special components.

CZ는 크게 결정을 도핑

Adopting the special doping device and CZ monocrystalline silicon wafer technology, the heavily-doped (P, Sb, As) CZ monocrystalline silicon thin film with very low resistivity can be produced, is mainly used as the lining material for epitaxial wafers, and is used to produce the special electronic devices for LSI switch power supplies, Schottky diodes and field-control high-frequency power electronic devices.

<110> Special orientation CZ-silicon

그만큼<110>의 실리콘 단결정 has the original orientation <110>, the further processing for orientation adjustment is unnecessary; the <110>monocrystalline silicon crystal structure has the perfect characteristics, and low oxygen & carbon contents, is a new solar cell material and can be used the new generation cell material.

2.2 MCZ-Monocrystalline Silicon

The magnetic-field is used in the czochralski process to produce the CZ mono-crystalline silicon wafers with the characteristics of low oxygen content and high resistivity uniformity; the MCZ규소다양한 IC를, 개별 소자 및 저산소 태양 전지용 실리콘 물질을 제조하기에 적합하다.

한 눈에 우리의 장점

1.Advanced 에피 성장 장비 및 시험 장비.

낮은 결함 밀도와 우수한 표면 거칠기와 높은 품질 2.Offer.

우리의 고객을위한 연구 팀 지원 및 기술 지원을 3.Strong

 

4 "프라임 CZ 실리콘 웨이퍼 두께 = 200 ± 25 ㎛의 1

4 "프라임 CZ 실리콘 웨이퍼 두께 = 200 ± 25 ㎛의 -2-

4 "프라임 CZ 실리콘 웨이퍼 두께 = 200 ± 25 μm의 3

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 525 ± 25 μm의

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 525 ± 25μm 인

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 525 ± 25 μm의 2

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 525 ± 25 μm의 3

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 525 ± 25 μm의 4

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 1500 ± 25μm 인

4 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼 두께 200 ㎛.

8″CZ Prime Silicon Wafer

8″CZ Prime Silicon Wafer-1

8″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer

6″CZ Prime Silicon Wafer-1

6″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer-3

6″ CZ Si Wafer

6″ CZ Silicon Wafer

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼-2

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼-3

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼-2

4″CZ Prime Silicon Wafer-6

4″CZ Prime Silicon Wafer-7

4″CZ Prime Silicon Wafer-8

4″CZ Prime Silicon Wafer-9

4″CZ Prime Silicon Wafer-10

4″CZ Prime Silicon Wafer-11

4″CZ Prime Silicon Wafer-12

4″CZ Prime Silicon Wafer-13

4″CZ Prime Silicon wafer-14

4″CZ Prime Silicon wafer-15

4″CZ Prime Silicon wafer-16

2″CZ Prime Silicon Wafer

2″CZ Prime Silicon Wafer-1

2 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -2

2″CZ Prime Silicon Wafer-3

2″CZ Prime Silicon Wafer-4

3″CZ Prime Silicon Wafer

3″CZ Prime Silicon Wafer-1

6 "CZ 프라임 웨이퍼 (1)

12″ 실리콘 웨이퍼 300mm TOX (Si 열 산화 웨이퍼)

12 "국무 학년 실리콘 웨이퍼

4 "CZ 에피 택셜 프라임 실리콘 웨이퍼-3

2″ Silicon Oxide Wafer

3″ Silicon Oxide Wafer

4″ Silicon Oxide Wafer

3″ CZ Si Lapped Wafer

8″ CZ Silicon Wafer SSP

COP Free Wafer

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