에피 택셜 실리콘 웨이퍼

에피 택셜 실리콘 웨이퍼

실리콘 에피택셜 웨이퍼(Epi Wafer)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 에피택셜 실리콘 단결정 층입니다(참고: 고도로 도핑된 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피택셜 실리콘층 사이에 버퍼층(예: 산화물 또는 폴리-Si)이 필요하며, 박막 트랜지스터에도 사용할 수 있습니다.

  • 기술

제품 설명

에피 택셜 실리콘 웨이퍼

실리콘 에피 택셜 웨이퍼(에피 웨이퍼)단결정 위에 증착된 에피택셜 실리콘 단결정 층입니다.실리콘 웨이퍼(참고: 고도로 도핑된 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층 층을 성장시키는 것이 가능하지만, 벌크 Si 기판과 상단 에피택셜 사이에 버퍼 층(예: 산화물 또는 폴리-Si)이 필요합니다. 실리콘층으로, 박막 트랜지스터에도 사용할 수 있습니다.

에피택셜 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법에는 기상 에피택시, 액상 에피택시, 분자선 에피택시 등이 있다. 그 중 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기반 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy)가 주요 실리콘 에피택시 성장 공정이다. 일반적으로 사용되는 소스는 SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 및 SiH4입니다.

다양한 반도체 장치의 요구를 충족시키기 위해 에피택셜 실리콘 웨이퍼 생산을 위한 다양한 실리콘 에피택셜 기술이 개발되었습니다. 저온 에피택시와 감압 에피택시의 실리콘 에피택시 성장 외에, 실리콘 웨이퍼의 특정 부분에 실리콘 에피택시층을 증착하는 선택적 에피택시도 있다.

기판의 결정 구조를 계속하면서이 정확한 도핑 농도로 증착 될 때 에피 택셜 층을 도핑 할 수있다.

에피 저항율 <150 Ω · cm로 1 Ω · cm의 최대

에피 층의 두께 <1 ~ 150까지 음 음

구조 : N / N +, N- / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.

웨이퍼 신청 : 디지털, 선형, 전원, MOS, BiCMOS 공정 장치.

한 눈에 우리의 장점

1. 고급 에피택셜 성장 장비, 테스트 장비 및 에피택셜 실리콘 기술.

낮은 결함 밀도와 우수한 표면 거칠기와 높은 품질 2.Offer.

우리의 고객을위한 연구 팀 지원 및 기술 지원을 3.Strong

 

6 "(150mm) 웨이퍼 규격 :

  명세서
기판 하위 사양 번호  
잉곳 성장 법 CZ
도전 형 N
도펀트 같이
정위 (100)는, ± 0.5 °
저항 ≤0.005Ohm.cm
RRG ≤15 %
[오이] 콘텐츠 8 ~ 18 ppma
직경 150 ± 0.2 mm
기본 평면 길이 55 ~ 60mm
차 평면 위치 {110} ± 1 °
둘째 평면 길이 두 가구 연립 주택
둘째 평면 위치 두 가구 연립 주택
두께 625 ± 15 UM
특성을 뒷면 :  
1, BSD / 폴리 실리콘 (A) 1.BSD
2, SIO2 2.LTO : 500 ± 5000
3, 에지 제외 3.EE:?0.6 mm
레이저 마킹 없음
전면 거울 연마
에피 구조 N / N +
도펀트 PHOS
두께 3 ± 0.2 UM
Thk.Uniformity ≤5 %
측정 위치 가장자리에서 중심 (1 점) 10mm (@ 90 ° 4 점)
계산 [티맥스-를 Tmin] ÷ [티맥스를 Tmin +] X 100 %
저항 2.5 ± 0.2 Ohm.cm
Res.Uniformity ≤5 %
측정 위치 가장자리에서 중심 (1 점) 10mm (@ 90 ° 4 점)
계산 [인 Rmax-Rmin에] ÷ [인 Rmax + Rmin에] X 100 %
스택 결함 밀도 ≤2 (개 / cm2)
안개 없음
긁힘 없음
분화구, 오렌지 껍질, 없음
에지 크라운 ≤1 / 3 에피 두께
미끄러짐 (mm) 총 길이 ≤ 1Dia
이물질 없음
돌아 가기 표면 오염 없음
총 포인트 결함 (입자) ≤30@0.3um

실리콘 에피 웨이퍼 판매-1

실리콘 에피 웨이퍼 판매-2

6 "실리콘 EPI 웨이퍼

4 "실리콘 웨이퍼 EPI-1

4 "실리콘 웨이퍼 EPI-2

4 "실리콘 웨이퍼 EPI-3

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