광택 웨이퍼

에피 택셜 실리콘 웨이퍼 에피 택셜 실리콘 웨이퍼
에칭 웨이퍼 에칭 웨이퍼
광택 웨이퍼

폴리 시드 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 연마된 웨이퍼, n 유형 또는 p 유형을 <100>, <110> 또는 <111> 방향으로 제공할 수 있습니다. 주로 실리콘 정류기(SR), 실리콘 제어 정류기(SCR), 자이언트 트랜지스터(GTR), 사이리스터(GRO) 생산을 위한 FZ 연마 웨이퍼

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  • 기술

제품 설명

연마 된 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 연마된 웨이퍼, n 유형 또는 p 유형을 <100>, <110> 또는 <111> 방향으로 제공할 수 있습니다. 자세한 사양은 아래 표를 참조하십시오.

한 눈에 우리의 장점

  • 고급 에피택시 성장 장비 및 테스트 장비.
  • 결함 밀도가 낮고 표면 거칠기가 우수한 최고 품질을 제공합니다.
  • 고객을 위한 강력한 연구팀 지원 및 기술 지원

1. Polished Silicon Wafer의 사양

1.1 FZ 연마 웨이퍼 사양

FZ 연마 실리콘 웨이퍼: 주로 실리콘 정류기(SR), 실리콘 제어 정류기(SCR), 자이언트 트랜지스터(GTR), 사이리스터(GRO) 생산용

유형 전도 유형 정위 직경 범위 (mm) 저항 범위 (Ω cm) 기하학적 매개 변수 입자 성, 표면 금속
FZ N 및 P <100> 및 <111> 76.2-200 >1000 T≥260 (음)
TTV≤2 (음)
TIR≤2 (um)
STIR≤1 (um) (20 * 20)
Graininess≤10pcs(≥0.3um), ≤20pcs(≥
표면 금속≤5E10/cm2 BSD:에치피트 밀도>1E106pcs/cm2 폴리:5000-12000 A
NTDFZ N <100> 및 <111> 76.2-200 30-800
CFZ N 및 P <100> 및 <111> 76.2-200 1-50
GDFZ N 및 P <100> 및 <111> 76.2-200 0.001-300

1.2 CZ 연마 웨이퍼 사양 

유형 전도 유형 정위 직경 범위 (mm) 저항 범위 (Ω cm) 기하학적 매개 변수 입자 성, 표면 금속
MCZ N 및 P <100> <110> 및 <111> 76.2-200 1-300 T≥260 (음)
TTV≤2 (음)
TIR≤2 (um)
STIR≤1 (um) (20 * 20)
Graininess≤10pcs(≥0.3um),≤20pcs(≥0.2um)
표면 metal≤5E10/cm2 BSD:Etchpit 밀도>1E106pcs/cm2LTO:3500~8000±250A
CZ N 및 P <100> <110> 및 <111> 76.2-200 1-300
MCZ는 고농도의 N 및 P <100> & <111> 76.2-200 0.001-1

 

2. Polished Wafer에 대하여

고순도 전자 등급 폴리실리콘은 전기적, 표면 물리적 특성, 불순물 표준 및 기타 사양을 충족하는 연마된 웨이퍼를 생산하기 위해 결정 풀링, 슬라이싱, 베벨링, 래핑, 에칭, 연마 및 세정 단계를 거칩니다. 어닐링, 에피택시, SOI 등의 특수 공정을 거친 웨이퍼는 연마된 웨이퍼를 기반으로 가공됩니다.

PW(Polished Wafer)는 원자 평탄도를 갖는 실리콘 칩으로 단면 또는 양면을 연마한 실리콘 웨이퍼로 실리콘 웨이퍼 응용 분야의 약 70%를 차지합니다. 단결정 실리콘 잉곳이 생산된 후 고순도 실리콘 원소의 웨이퍼인 잉곳의 원통형 단결정 실리콘에서 얇은 조각으로 절단됩니다. 연마의 목적은 처리된 표면의 잔류 손상층을 추가로 제거하는 것입니다. 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼는 장치를 제조하거나 에피택셜 기판 재료로 직접 사용할 수 있습니다. 연마된 Si 웨이퍼는 디지털 및 아날로그 집적 회로, 메모리, 전력 장치 및 기타 칩에 널리 사용됩니다.

 

집적 회로 제조용 N형 Sb 도핑 실리콘 웨이퍼

PAM XIAMEN은 MCZ 실리콘 잉곳과 실리콘 웨이퍼를 제공합니다.

PAM XIAMEN은 광학 및 SAW 부품을위한 흑색 리튬 니오 베이트 웨이퍼를 제공합니다.

실리콘 웨이퍼의 화학 양론 LPCVD 질화물

한쪽 스퍼터링 Cr/Au 층 두께가 10/50nm인 4″ Prime CZ Si 웨이퍼

XRD 측정을위한 제로 회절 Si 웨이퍼 직경 32mm

실리콘 질화물 도파관 – 제공되는 기판 및 서비스

실리콘 웨이퍼의 초저 응력 니트 론

저 응력 질화물 실리콘 웨이퍼

목표 응력 LPCVD 질화물

(211) 방향의 실리콘 웨이퍼

실리콘 웨이퍼 절단

프라임 그레이드 실리콘 웨이퍼

실리콘 웨이퍼 속성

소프트 리소그래피 용 실리콘 웨이퍼

실리콘 웨이퍼 PDMS 마이크로 유체 칩 플랫폼

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25.4 (1 인치) 실리콘 웨이퍼

다공성 실리콘 웨이퍼

실리콘 잉곳 -1

실리콘 잉곳 -2

실리콘 웨이퍼 두께 : 275 +-25µm

실리콘 웨이퍼 두께 : 1000μm

2 ″ 실리콘 웨이퍼 두께 : 1000 ± 25μm

Si 웨이퍼 두께 : 675 ± 25 um

4 ″ Si 웨이퍼 두께 : 500 ± 20μm

3 ″ Si 웨이퍼 두께 : 380 ± 20μm

50.8mm (2 인치) 실리콘 웨이퍼 -1

이 50.8mm (2 인치)의 실리콘 웨이퍼 -2-

50.8mm (2 인치) 실리콘 웨이퍼 -3

50.8mm (2 인치) 실리콘 웨이퍼 -4

이 50.8mm (2 인치)의 실리콘 웨이퍼 -5-

76.2mm (3 인치) 실리콘 웨이퍼

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -1

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -2-

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -3-

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -4

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -5

100mm (4 인치) 실리콘 웨이퍼 -6

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(100) 지향 실리콘 웨이퍼 -2

(100) 지향 실리콘 웨이퍼 -3

(100) 실리콘 웨이퍼 지향 -4-

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2 "CZ 국무 실리콘 웨이퍼

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2 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -2

2″CZ 프라임 실리콘 웨이퍼-4

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4 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -7

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 (8)

4 "CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 (9)

4 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -10

4 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -11

4 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -12

4 ″ CZ 프라임 실리콘 웨이퍼 -13

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    이 회사는 결정 성장, 결정 처리, 웨이퍼 처리, 연마, 세척 및 테스트를 통합하는 완전한 SiC(탄화규소) 웨이퍼 기판 생산 라인을 보유하고 있습니다. 요즘 우리는 축상 또는 축외에서 반절연 및 전도성을 갖춘 상용 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 공급합니다. 사용 가능한 크기: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" 및 8", 다음과 같은 핵심 기술을 통해 돌파 결함 억제, 종결정 가공 및 급속 성장으로 실리콘 카바이드 에피택시, 소자 등과 관련된 기초 연구 및 개발을 촉진합니다.

     

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