GaN 기반 LED 에피택셜 웨이퍼
PAM-XIAMEN의 GaN(질화갈륨) 기반 LED 에피택셜 웨이퍼는 초고휘도 청색 및 녹색 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD) 애플리케이션용입니다.
- 설명
제품 설명
LED 에피택셜 웨이퍼는 적절한 온도로 가열된 기판입니다. LED 웨이퍼 소재는 반도체 조명 산업 기술 발전의 초석이다. 다양한 기판 재료에는 다양한 LED 에피택셜 웨이퍼 성장 기술, 칩 처리 기술 및 디바이스 패키징 기술이 필요합니다. LED 에피웨이퍼용 기판은 반도체 조명 기술의 발전 경로를 결정짓는다. 발광 효율을 달성하기 위해 에피택시 웨이퍼 공급업체는 GaN 기반 LED 에피택시 웨이퍼에 더 많은 관심을 기울이고 있습니다. 에피택시 웨이퍼 가격이 저렴하고 에피 웨이퍼 결함 밀도가 작기 때문입니다. GaN 기판의 LED 에피 웨이퍼 장점은 고효율, 넓은 면적, 단일 램프 및 고전력을 실현하여 공정 기술을 단순화하고 큰 수율을 향상시키는 것입니다. LED 에피 웨이퍼 시장의 발전 전망은 낙관적이다.
1. LED 웨이퍼 목록
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LED 에피택셜 웨이퍼 |
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| 크기 | 정위 | 방사 | 파장 | 두께 | 기판 | 표면 | 사용 가능한 영역 | |
| PAM-50-LED-BLUE-F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-BLUE-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-블루 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-BLUE-SIL | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-200-LED-BLUE-SIL | 200mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-녹색-F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-녹색-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-그린-F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-녹색-PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-녹색 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 610 ~ 630nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 660 | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 850NM | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 940nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 365nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 405nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UV | 405nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 450nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
LED 에피택셜 웨이퍼 제조업체인 PAM-XIAMEN은 마이크로 LED, 초박형 웨이퍼, UV LED 연구 또는 LED 제조업체와 같은 LED 및 레이저 다이오드(LD) 애플리케이션용 활성화 및 비활성 GaN Epi LED 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. GaN의 LED 에피택셜 웨이퍼는 LCD 백라이트, 모바일, 전자 또는 UV(자외선)용 PSS 또는 평면 사파이어를 사용하여 MOCVD로 성장하며 InGaN/GaN 활성 영역 및 GaN 우물/AlGaN이 있는 AlGaN 층을 포함하여 파란색, 녹색 또는 빨간색 방출이 가능합니다. 다양한 칩 크기에 대한 장벽.
2. InGaN/질화 갈륨(질화갈륨) 기반 LED 에피택셜 웨이퍼
Al2O3-2” 에피 웨이퍼 사양(LED 에피택셜 웨이퍼)의 GaN
| 흰색: 445~460nm |
| 청색：465～475nm |
| 녹색: 510~530nm |
1. 성장기술 – MOCVD
2. 웨이퍼 직경: 50.8mm
3. 웨이퍼 기판 재료: 패턴 사파이어 기판(Al2O3) 또는 평면 사파이어
4. 웨이퍼 패턴 크기: 3X2X1.5μm
3. 웨이퍼 구조:
| 구조 레이어 | 두께(μm) |
| p 형 질화 갈륨 | 0.2 |
| P-AlGaN으로 | 0.03 |
| InGaN/GaN(활성 영역) | 0.2 |
| n 형 GaN으로 | 2.5 |
| U-의 GaN | 3.5 |
| Al2O3(기재) | 430 |
4. 칩을 만들기 위한 웨이퍼 매개변수:
| 여자 이름 | 색 | 칩 크기 | 형질 | 외관 | |
| PAM1023A01 | 블루 | 10밀 x 23밀 |  |
조명 | |
| Vf = 2.8~3.4V | LCD 백라이트 | ||||
| 포 = 18~25mW | 모바일 기기 | ||||
| Wd = 450~460nm | 가전제품 | ||||
| PAM454501 | 블루 | 45밀 x 45밀 | Vf = 2.8~3.4V |  |
일반조명 |
| 포 = 250~300mW | LCD 백라이트 | ||||
| Wd = 450~460nm | 옥외 디스플레이 |
5. LED 에피타이셜 웨이퍼의 적용:
*청색 LED 에피택셜 웨이퍼에 대한 자세한 정보가 필요한 경우 당사 영업부서로 문의하시기 바랍니다.
조명
LCD 백라이트
모바일 기기
가전제품
6. LED Epi 웨이퍼의 사양을 예로 들면 다음과 같습니다.
사양 PAM190730-LED
– 사이즈 : 4인치
– WD : 455 ± 10nm
– 밝기 : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN 두께 : <4.1㎛
– u-GaN 두께 : <2.2㎛
– 기판 : 패턴사파이어 기판(PSS)
7.GaAs(갈륨비소) 기반 LED 웨이퍼 재질:
GaAs LED 웨이퍼의 경우 MOCVD로 성장합니다. GaAs LED 웨이퍼의 파장은 아래를 참조하세요.
빨간색:585nm,615nm,620~630nm
노란색:587 ~ 592nm
노란색/녹색: 568 ~ 573nm
8. LED 에피택셜 웨이퍼의 정의:
우리가 제공하는 것은 리소그래피 공정, n- 및 금속 접점 등이 없는 베어 LED 에피 웨이퍼 또는 처리되지 않은 웨이퍼입니다. 그리고 나노 광전자 공학 연구와 같은 다양한 응용 분야를 위해 제조 장비를 사용하여 LED 칩을 제작할 수 있습니다.
주목:
중국 정부는 갈륨 재료(GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, GaSb 등)와 반도체 칩 제조에 사용되는 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자재의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협력을 바랍니다!
GaAs LED 웨이퍼 사양에 대한 자세한 내용을 보려면 다음 사이트를 방문하세요.LED용 GaAs Epi 웨이퍼
UV LED 웨이퍼 사양을 보려면 다음 사이트를 방문하세요.UV LED 에피 웨이퍼
실리콘 사양의 LED 웨이퍼에 대해서는 다음을 방문하십시오.실리콘 위의 LED 웨이퍼
Blue GaN LD 웨이퍼 사양을 보려면 다음을 방문하세요.블루 GaN LD 웨이퍼
Violet GaN LD 웨이퍼의 경우 다음을 방문하십시오.405nm GaN 레이저 다이오드 웨이퍼
850-880nm 및 890-910nm 적색 적외선 AlGaAs /GaAs LED 에피웨이퍼
평면 또는 PSS 사파이어 기판의 GaN LED 구조 에피택시
금속유기화학증착법으로 성장한 질화물막의 V자형 피트 형성
더 많은 파운드리 서비스를 보려면 다음을 방문하세요.LED 제조를 위한 GaN 파운드리 서비스
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