하이라이트 • ZnO/Sapphire 템플릿에서 p-gan/i-ingan/n-gan (PIN) 태양 전지의 MOCVD 성장. • ZnO의 역 에칭이없는 심층적 인 구조적 특성. • 플로트 유리의 구조물의 화학적 리프트 오프 및 웨이퍼 결합. • 유리의 장치의 구조적 특성. 초록 p-gan/i-ingan/n-gan (핀) 구조는 금속 유기 증기 상 에피 탁시에 의해 zno- 부퍼 c-sapphire 기판상에서 에피 탁상으로 성장시켰다.
하이라이트 • N-polar inaln 박막은 분자 빔 에피 택시에 의해 GAN 기질상에서 성장 하였다. • 고온에서 준 3D에서 단계 흐름으로 전환 된 표면 형태. • 고온에서 인듐 플럭스를 증가시키기 위해 인듐 포화가 관찰되었습니다. • 알루미늄 플럭스 증가는 인듐 혼입 효율을 높이는 데 도움이되었습니다. • 0.19 nm RMS 거칠기를 갖는 N-polar inaln 필름이 입증되었다. 초록 N-Polar inaln Thin ...
화합물 반도체 결정 및 웨이퍼의 주요 개발자이자 공급 업체 인 Gan Wafer Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (Pam-Xiamen), Gan Wafer Serie : Sapphire Gan의 Sapphire Gan/Gan의 Sapphire Gan/Gan의 Sapphire Algan/gan에 대한 Gan 기판 웨이퍼 간에 Gan Sapphire는 gan wanfer의 상대적인 정보입니다. 웨이퍼 비용 : 그러나 LED 및 전력 전자 제품 제조업체 ...
