주요 내용 •웨이퍼 레벨의 이종 Si-to-InP 회로 제조 방식에 대해 설명합니다. •본딩 후 웨이퍼 간 정렬 정확도가 4~8μm 이상입니다. •최대 220GHz의 탁월한 성능을 갖춘 상호 연결이 시연되었습니다. •Al 기반 기술과 금 기반 기술을 결합할 때 필요한 팔라듐 장벽. Abstract InP-HBT 및 SiGe-BiCMOS 기술의 재료 특성을 활용하려면 [...]
InP(311)B 기판 위에 성장한 1550nm 대역 다중 적층 QD-SOA의 이득 특성 및 펨토초 광 펄스 응답 InP(311)B 기판에 기술을 적용하고 초고속 [...]에 적용하기 위한 기본 이득 특성과 펨토초 광 펄스 응답을 평가했습니다.
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