실리콘 카바이드 회로
진행 중인 실리콘 카바이드 회로 실리콘은 대부분의 전자 응용 분야에서 선택되는 반도체 재료이지만 고전압에서 큰 전류를 제어해야 하는 경우에는 성능이 좋지 않습니다. 약 50년 동안 과학자들은 탄화규소를 이러한 분야의 유망한 대안으로 주목해 왔습니다.
2″ SiC 웨이퍼에서 성장한 그래핀 층의 두께 분포 결정
하이라이트 •SiC에서 성장한 그래핀의 두께는 AES 깊이 프로파일링을 통해 결정되었습니다. •AES 깊이 프로파일링을 통해 SiC에 버퍼층이 있는지 확인했습니다. •버퍼층에 불포화 Si 결합이 존재하는 것으로 나타났습니다. • 다점 분석을 사용하여 웨이퍼 상의 그래핀 두께 분포를 결정했습니다. 오거 전자 분광법...