UV LED 에피 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 275nm에서 405nm까지 MOCVD 범위에서 성장한 UV LED 에피 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 일반적으로 UV로 알려진 자외선 전자기 방사선은 많은 산업 및 응용 분야에서 사용됩니다. 새롭게 떠오르는 UV LED는 새로운 혁신적인 애플리케이션을 추진할 수 있는 경쟁력 있는 기술이 될 것입니다. UV-LED는 수명이 길고 기존 수은 UV 램프보다 환경 친화적입니다.

 

1. UV LED Epi Wafer 사양

	크기	정위	방사	파장	두께	기판	표면	사용 가능한 영역
PAM-50-LED-UV-365-PSS	50mm	0 ° ± 0.5 °	UVA	365nm	425um+/-25um	사파이어	P / L	> 90 %의
PAM-50-LED-UV-405-PSS	50mm	0 ° ± 0.5 °	UVA	405nm	425um+/-25um	사파이어	P / L	> 90 %의
PAM-50-LED-UVC-275-PSS	50mm	0 ° ± 0.5 °	UVC	275nm	425um+/-25um	사파이어	P / L	> 90 %의

 

2. 티그 구조의 UV LED 에피택시

PAM-190320-UV-LED

구성	두께
CTL	5nm
P-ALGaN/GaN	–
EBL	–
MQW	–
SRL	60nm
N-GaN(N-AlGaN)	–
U-GaN	–
AlN으로	25nm
PSS	–

 

UV Epi LED 칩 성능은 다음과 같습니다.

큰 상자	VF1	LOP1	WLP1	HW1	INT1
1	3.77	28.9	366.1	17	12157
1	3.76	30.04	366.2	17.1	13281
2	3.73	22.07	366.3	17	8791
1	3.67	29.48	366.1	17.2	12961
1	3.73	21.06	366.1	17	8417
1	3.72	33.44	366	17.2	15812
1	3.73	37.23	366	17.4	18198
1	3.74	38.44	365.9	17.4	19148
1	3.75	38.84	366.2	17.5	18683
1	3.75	39.73	366.3	17.6	19625

 

3. 소개자외선 LED에피웨이프r P과정

3.1 만들기에스반도체여afer 그리고에스기판

먼저, 반도체 웨이퍼를 만듭니다. 특정 재료 구성 - GaAs, GaP 또는 그 사이의 일부 물질은 생산되는 LED의 색상에 따라 결정됩니다. 결정질 반도체는 고온, 고압의 챔버에서 성장합니다. 갈륨, 비소 및/또는 인광체는 챔버에서 정제되고 함께 혼합됩니다. 열과 압력을 액화시키고 구성 요소를 함께 눌러 용액에 강제로 넣습니다. 챔버 안의 가압된 가스로 빠져나가는 것을 방지하기 위해 일반적으로 액체 산화붕소 층으로 덮어 밀봉하여 ""서로 달라붙게"" 합니다. 이를 액체 캡슐화 또는 초크랄스키 결정 성장 방법이라고 합니다. 그러나 UV LED의 경우 사파이어 소재가 일반적으로 사용됩니다.

둘째, 잉곳을 약 10mil 두께 또는 쓰레기 봉투만큼 두꺼운 매우 얇은 반도체 웨이퍼로 자릅니다. 표면이 매우 부드러워질 때까지 웨이퍼를 연마하면 표면에 더 많은 반도체 층을 쉽게 수용할 수 있습니다. 원리는 그림을 그리기 전에 테이블을 닦는 것과 비슷합니다. 각 웨이퍼는 균일한 조성을 갖는 단결정 재료이어야 합니다. 불행하게도 LED의 성능이 저하되는 크리스탈 결함이 있는 경우가 있습니다. 베이킹하는 동안 케이크에 걸려 있는 혼합되지 않은 꽃이나 설탕의 불완전성을 고려하십시오. 연마 공정에서도 결함이 발생할 수 있습니다. 이러한 결함은 장비 성능을 저하시킬 수도 있습니다. 결정이 결함처럼 보일수록 단결정처럼 행동합니다. 규칙적인 결정 구조가 없으면 물질은 반도체로 기능하지 않습니다. 동시에, Epi-Ready 사파이어 기판의 경우 평탄도는 일반적으로 2인치 크기, TTV<10um, BOW<10um, WARP<10um의 경우 에피택시에 대한 중요한 매개변수입니다.

마지막으로, 엄격한 화학적 공정과 초음파 공정을 통해 다양한 용매를 사용하여 웨이퍼를 세척합니다. 연마된 웨이퍼 표면에 침전되어 있을 수 있는 먼지, 먼지, 유기물 등을 제거하는 공정입니다. 처리가 깨끗할수록 LED의 품질이 좋아집니다. UV LED에 사용되는 사파이어 기판의 경우 표면을 Ra<0.2nm로 처리해야 합니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.2 추가이자형축상엘에어

필터 케이크에 더 많은 층을 추가하는 것과 같이 웨이퍼 표면에 반도체 결정의 추가 층을 성장시킵니다. 결정에 불순물이나 도펀트를 첨가하는 방식이다. 이번에는 MOCVD라는 공정으로 결정층을 성장시킨다. 이 기술에서는 아래 기판과 동일한 결정 배향을 갖는 반도체 층인 에피택셜 층이 도핑되지 않은 AlGaN, n 도핑된 AlGaN 및 양자 우물의 핵심 재료인 InGaN을 비롯한 다양한 GaN 재료로 웨이퍼에 증착됩니다. 웨이퍼는 용융된 액체를 담는 용기 아래의 채널을 통해 밀어지는 흑연 슬라이드 위에 놓입니다. 서로 다른 도펀트를 연속 용융물에 추가하거나 여러 도펀트를 동일한 용융물에 추가하여 서로 다른 전자 밀도를 갖는 재료 층을 생성할 수 있습니다. 증착된 층은 웨이퍼의 결정 구조의 연속이 될 것입니다.

LED 에피층을 증착한 후 추가 도펀트를 추가하여 다이오드의 색상이나 효율 특성을 변경할 수 있습니다. 그렇지 않으면 도핑된 경우, 웨이퍼는 다시 고온의 용광로 튜브에 배치되며, 여기서 가장 일반적으로 질소 또는 암모늄 아연은 도펀트가 포함된 기체 분위기에 잠겨 있습니다. LED 에피 공정 중에는 일반적으로 빛을 자외선으로 만들기 위해 다이오드 상단에 질소를 첨가합니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.3추가 중에탈씨접촉하다UV LED 에피 웨이퍼에

그런 다음 웨이퍼에 금속 접점이 정의됩니다. 접점 패턴은 설계 단계에서 결정되며 다이오드를 단독으로 사용하는지 아니면 조합하여 사용하는지에 따라 달라집니다. 포토레지스트 및 감광성 화합물의 접촉 패턴 재현 웨이퍼가 회전함에 따라 액체 레지스트가 물방울로 증착되어 표면에 분포됩니다. 낮은 온도(화씨 약 215도 또는 섭씨 100도)에서 잠깐 구워서 레지스트를 경화시킵니다. 다음으로 메인 패턴이나 마스크를 칩 위에 놓고 UV 노광 레지스트를 사용하여 포토레지스트에 복사합니다(네거티브로 만든 사진의 경우처럼). 레지스트의 노출된 영역은 현상액으로 헹구고 노출되지 않은 영역은 유지되어 반도체 층을 덮습니다.

이제 접촉 금속이 패턴 위로 증발하여 노출된 영역을 채웁니다. 증발은 진공 밀봉된 또 다른 높은 온실에서 발생합니다. 큰 금속 조각이 기화되는 온도까지 가열됩니다. 증기가 차가운 창문을 원자화하는 것처럼 이는 노출된 반도체 웨이퍼에 응결되어 달라붙습니다. 그런 다음 아세톤으로 포토레지스트를 씻어내고 금속 접점만 남깁니다. 마지막 달에 따라 다릅니다

3.4장착 및 포장

개별 UV LED 에피 웨이퍼는 적절한 패키지에 장착되고 전체 어셈블리는 플라스틱으로 밀봉됩니다.

4.365nm 적용자외선 LED에피택셜 웨이퍼

위조문서 탐지
살모넬라균 및 시겔라균 검출
운전면허증 UV 마킹
염료 침투 검사(NDI/NDT)
자기 표면 분석
위조화폐 감지
UV 경화(365nm 필요)
호텔 객실 점검
고양이 소변
욕실 점검

기타 파장, 치수, 층 두께 및 에피택셜 설계를 포함한 UV LED 에피 웨이퍼 사양에 대해 논의하려면 당사에 문의하십시오.

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