포토 마스크

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크롬 포토마스크

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포토리소그래피 마스크

에이포토 마스크두꺼운 기판에 의해지지 마스킹 물질의 얇은 코팅하고, 상기 마스킹 물질은 다양한 각도로 빛을 흡수 및 맞춤 설계를 패터닝 할 수있다. 패턴은 빛을 조절하고 거의 모든 오늘날의 디지털 기기를 구축하는 데 사용되는 기본 과정 포토 리소그래피의 과정을 통해 패턴을 전송하는 데 사용됩니다.

포토 마스크는 무엇인가

포토 마스크의 구멍 또는 광 한정된 패턴에 비쳐 있도록 투명과 불투명 판이다. 그들은 일반적으로 포토 리소그래피에 사용됩니다. 석판포토 마스크크롬 금속 흡수 필름 ​​형성된 패턴으로 덮여 일반적 투명 용융 실리카 공백이다.포토 마스크 are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

석영과 소다 라임 유리 사이에 재료 -Difference 마스크 :

제조 마스크에 대한 유리의 가장 일반적인 유형은 석영과 소다 라임입니다. 석영 고가이지만, 소다 석회 유리가 불투명이고, 또한 깊은 자외선 (DUV) 파장에서 투명하다 (마스크 사용시 뜨거워 진다면 덜 팽창 수단) 열팽창 훨씬 낮은 계수의 장점을 갖는다. 파장 마스크 미만 또는 365nm의 같은지 노출하는 데 사용되는 곳 석영이 사용되어야 (i 선) .A 포토 리소그래피 마스크는 광이 정해진 패턴에 비쳐 있도록 투명 영역과 불투명 판 또는 막이다. 그들은 일반적으로 포토 리소그래피 공정에서 사용되는, 또한 산업 및 기술의 넓은 범위에 의해 많은 다른 응용 프로그램에서 사용됩니다. 그것은 즉, 필요한 해상도에 따라 서로 다른 응용 프로그램에 대한 마스크의 다른 종류 존재한다.

제품 세부 사항의 경우, luna@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com에 문의하시기 바랍니다.

1X 마스터 마스크

1X 마스터 마스크의 치수 및 기판 재료

1X 마스터 마스크에 대한 공통 사양 (석영 재료)

1X 마스터 마스크에 대한 일반적인 사양 (소다 라임 자료)

UT1X 마스크

UT1X 마스크 치수 기판 재료

UT1X 마스크에 대한 공통 사양

표준 바이너리 마스크

표준 바이너리 마스크 치수 및 기판 재료

표준 바이너리 마스크에 대한 공통 사양

중간 영역 마스크

중간 영역 마스크 치수 및 재료

중간 영역 마스크에 대한 공통 사양 (석영 재료)

중간 영역 마스크에 대한 공통 사양 (소다 라임 자료)