RF 소자의 기판으로 SiC 웨이퍼를 사용하는 경우, SiC는 반 절연이어야하며 저항률은 10 ^ 6 Ω · cm 이상이어야합니다. 사실 실리콘 카바이드의 저항률은 매우 높아야하지만 불순물 및 기타 결함으로 인해 실리콘 카바이드의 저항률이 감소했습니다.

저항률을 높이는 원리에 따르면 두 가지 유형의 반 절연 SiC가 있습니다. 하나는 반 절연을 도핑하고 불순물 V를 추가로 도입하여 보상하고 다른 하나는 고순도 반 절연입니다. 그러나 바나듐 도핑 된 반 절연 탄화 규소에는 두 가지 단점이 있습니다.

1. 백 게이트 효과 : 장치의 크기가 어느 정도 작을 때 바나듐이없는 영역은 실제로 전도성이있어 장치가 절연되지 않습니다.
2. 고온 고장 : 온도가 1000 ℃ 일 때 기판은 전도성이됩니다.

따라서 V 도핑 된 반 절연 SiC 기판은 괜찮지 만 일부 응용 분야에서는 여전히 HPSI 기판이 필요합니다.

However, the preparation of high purity semi insulating silicon carbide needs more technology. For example, the crucible structure is controlled. Three holes with a diameter of 1-4mm can be opened on the crucible, so that impurities n, B, Al and V can overflow from the holes during the heating process.

HPSI 기판

자세한 내용은 이메일로 문의하십시오victorchan@powerwaywafer.com및powerwaymaterial@gmail.com