실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼가 필요한 이유는 무엇입니까?

탄화 규소 에피 택셜 웨이퍼는 탄화 규소 기판에 특정 요구 사항과 기판과 동일한 결정을 갖춘 단결정 필름 (에피 택셜 층)이 성장한 일종의 탄화 규소 웨이퍼입니다. 실제 응용 분야에서 거의 모든 와이드 밴드 갭 반도체 장치는 에피택셜 층에서 만들어지며 탄화 규소 웨이퍼 자체는 GaN 에피택셜 층 기판으로 사용하는 것을 포함하여 기판으로만 사용됩니다.

기존의 실리콘 전력 장치와 달리 SiC 전력 장치는 탄화규소 단결정 소재로 직접 제작할 수 없습니다. 전도성 단결정 기판 위에 고품질의 에피택시 물질을 성장시켜야 하며, 에피택시층 위에 각종 소자를 제작해야 합니다.

에피택셜 공정은 전체 산업에서 매우 중요한 공정입니다. 모든 소자는 기본적으로 에피택시로 구현되기 때문에 에피택시의 품질은 소자의 성능에 큰 영향을 미친다. 그러나 에피택시 품질은 산업의 중심이자 산업 발전에 핵심적인 역할을 하는 결정과 기판의 가공에 의해 영향을 받는다.