3C-SIC Homoepitaxial Wafer
Compared with 4H-SiC and 6H-SiC, cubic SiC (3C-SiC, β-SiC) has the highest theoretical electron mobility at room temperature (1000 cm·V-1· S-1), yang memberikan kelebihan dalam aplikasi peranti MOS. Pada masa yang sama,3C-SiCJuga mempunyai ciri -ciri yang sangat baik seperti voltan kerosakan tinggi, kekonduksian terma yang baik, kekerasan tinggi, bandgap lebar, rintangan suhu tinggi, dan rintangan radiasi. Oleh itu, ia telah menunjukkan potensi besar dalam aplikasi dalam elektronik, optoelektronik, sensor, dan keadaan yang melampau, mempromosikan pembangunan dan inovasi teknologi yang berkaitan. Pam-Xiamen boleh menawarkan wafer homoepitaxial 3C-SIC, dengan parameter epitaxial berikut:
1. Parameter Teknikal Wafer Homoepitaxial 3C-SIC
| Perkara | 3C-SIC Homoepitaxy | ||
| substrat | |||
| Saiz | 2 inch | 4 inci | |
| Kekonduksian | Jenis N | ||
| Orientasi | on axis:<111>±0.5° | ||
| Kerintangan | ≤1mΩ.cm | ||
| Orientasi Rata Utama | {1-10}±5.0° | ||
| Panjang Rata Utama | 32.5mm ± 2mm | 47.5mm ± 2mm | |
| Permukaan Selesai | DSP | ||
| Lapisan Epi | |||
| Kekonduksian | N, P Jenis | ||
| Kekasaran permukaan | ≤2nm | ||
| ketebalan | pelbagai | 5 ~ 100um | |
| toleransi | ± 10% | ||
| keseragaman | ≤4% | ||
| Kepekatan Pembawa | pelbagai | 1e15 ~ 5e16cm-3 | |
| toleransi | ± 15% | ||
| keseragaman | ≤10% | ||
Permohonan:
Homoepitaxy 3C-SIC sesuai untuk pelbagai diod, planar dan parit MOSFET, litar bersepadu suhu tinggi berasaskan, dll.
2. Kelebihan wafer 3c-Sic
Berbanding dengan 4H-SIC, ketumpatan keadaan antara muka 3C-SIC lebih rendah dan pergerakan saluran lebih tinggi. Hasil eksperimen telah menunjukkan bahawa ketumpatan keadaan antara muka pintu oksigen 3C-SIC sekurang-kurangnya satu urutan magnitud lebih rendah daripada 4H-SIC. Oleh itu, MOSFET berasaskan 3C-SIC dengan spesifikasi voltan di bawah 1200V mempunyai kelebihan prestasi yang sangat baik, terutamanya rintangan saluran rendah mereka dan kestabilan oksigen pintu gerbang yang sangat tinggi, yang membolehkan mereka mengimbangi kebolehpercayaan dan kebolehpercayaan peranti.
3. Menyusun kecacatan kesalahan dalam pertumbuhan homoepitaxal 3c sic
Penyelidik mengeluarkan substrat silikon melalui etsa dalam penyelesaian HNO3 dan HF sebelum melaksanakan pertumbuhan homoepitaxial, dan kemudian mendepositkan filem nipis 3C-SIC menggunakan kaedah CVD. Pencirian terperinci untuk menyusun kecacatan kesalahan pada bahan 3C-SIC dicapai melalui analisis HR-XRD dan STEM, menunjukkan tingkah laku jenis kecacatan ini dalam bahan epitaxial homogen. Di samping itu, penyelidikan mendapati bahawa pertumbuhan homoepitaxial filem tebal 3c-SIC dapat mengurangkan ketumpatan kesalahan susunan, terutama menggunakan kadar pertumbuhan yang perlahan adalah bermanfaat untuk menutup penutupan kesalahan. Oleh itu, pertumbuhan homoepitaxial dapat mengurangkan kecacatan dalam wafer 3C-SIC.
4. MOSFET direka pada wafer epitaxial 3C-SIC
Kajian terdahulu telah menunjukkan bahawa MOSFET yang dibuat pada filem nipis 3C-SIC yang ditanam epitaxially pada substrat 3C-SIC menggunakan kaedah CVD boleh menghasilkan peranti dengan mobiliti saluran yang tinggi dan voltan kerosakan oksida yang tinggi. Peranti ini mempamerkan pintu operasi linearity dan ketepuan yang sangat baik. Dengan penambahbaikan selanjutnya dalam pertumbuhan substrat dan pengoptimuman proses, diharapkan peranti mobiliti saluran yang lebih efisien dapat disediakan menggunakan 3C SIC.
Rajah.1 Perbandingan prestasi MOSFET N-saluran yang disediakan berdasarkan 3C-SIC, 6H-SIC & 4H-SIC
Sama ada anda memerlukan wafer sic untuk penyelidikan atau untuk aplikasi perindustrian, sila hubungi kami e -mel di[email protected] dan [email protected].