PAM-XIAMEN menawarkan cip GaN FET 650V untuk pengecasan pantas. Dalam pasaran semasa,sumber pengecasan pantas gallium nitrideterutamanya menggunakan cip GaN 650V (GaN FETs) sebagai suis kuasa, dan ciri frekuensi tinggi galium nitrida digunakan untuk menjadikan produk pengecasan cepat terminal lebih kecil dalam saiz dan kecekapan yang lebih tinggi.
PAM65D150DNBI-TS siri 650V, 150mΩ gallium nitride(GaN) FET ialah peranti yang biasanya terpasang. Cip GaN PAM-XIAMEN menawarkan kecekapan yang lebih baik melalui cas pintu yang lebih rendah, kelajuan pensuisan yang lebih pantas dan cas pemulihan terbalik yang lebih kecil, memberikan kelebihan ketara berbanding peranti silikon(Si) tradisional. PAM-XIAMEN ialah salah satu pembuat cip GaN termaju dengan inovasi bertaraf dunia.
1. Parameter Cip 650V GaN FETs
| simbol | parameter | Nilai had | Unit |
| RθJC | Persimpangan ke kes | 1.3 | ° C / W |
1.1 Mutlak maksimum Penarafan GaN 650V Cip FET (TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| simbol | parameter | Nilai had | Unit | |
| VDSS | Salirkan ke voltan sumber | 650 | V | |
| VDSS | Pintu ke voltan sumber | 一 25 ~ + 2 | ||
| ID | Arus saliran berterusan @TC=25°C | 15 | A | |
| Arus saliran berterusan @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Arus saliran nadi | 65 | A | |
| PD | Pelesapan kuasa maksimum @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Suhu Operasi | kes | 一 55 ~ 150 | ° C |
| TJ | Persimpangan | 一 55 ~ 175 | ° C | |
| TS | suhu penyimpanan | 一 55 ~ 150 | ° C | |
AtasBawah
1.2 Parameter Elektrik 650VGan Chipset (TJ=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| simbol | parameter | min | Typ | Dagangan | Unit | Keadaan ujian |
| Ciri Peranti Maju | ||||||
| V (BL) DSs | Voltan sumber longkang | — | 650 | — | v | Vcs = -25V |
| Vasth) | Voltan ambang pintu | — | -18 | — | v | VD = Vas, ID = luA |
| RDS (dihidupkan) | Sumber rintangan longkang | — | 150 | 180 | mQ | Vcs = OV, ID-10A |
| — | — | — | VGs = OV, ID-10A, TJ= 150'C | |||
| lDss | Kebocoran longkang ke sumber semasa |
— | — | 3 | uA | VD = 650V, VGs = -25V |
| — | — | 30 | VD = 400V, VGs = -25V, T = 150'c |
|||
| lass | Gerbang ke sumber ke hadapan arus kebocoran |
— | 3.7 | 100 | nA | VGs= 2V |
| Pembalikan pintu ke sumber arus kebocoran |
— | -3.5 | -100 | VGS= -25V | ||
| CIs | Kapasiti input | — | 650 | — | pF | vGs = -25V, VDS= 300V, f = 1MHz |
| Coss | Kapasiti output | — | 40 | — | ||
| CRSS | Kapasiti terbalik | — | 10 | — | ||
| QG | Jumlah caj pintu | — | 9 | — | nC | VDS= 200V, VGS= -25V hingga ov, SayaD= 10A |
| QGS | Bayaran sumber gerbang | — | 2 | — | ||
| QGD | Bayaran longkang pintu | — | 7 | — | ||
| tn | Masa pemulihan terbalik | — | 4 | — | NS | Adakah = 0A hingga 11A, VDD= 400V di / dt = 1000A / uS |
| Q. | Bayaran pemulihan terbalik | — | 17 | — | nC | — |
| TIX (dihidupkan) | Kelewatan menghidupkan | — | 0.5 | — | — | VD = 200VVG = -25V hingga ov, ID = 10A |
| tR | Bangkit masa | — | 9 | — | ||
| tD (mati) | Kelewatan matikan | — | 0.5 | — | ||
| tF | Masa jatuh | — | 10 | — | ||
| Karakteristik Peranti Terbalik | ||||||
| VSD | Voltan terbalik | — | 7 | — | v | VGS= -25V, Is = 10A, Tc = 25 ′ C |
1.3 Ciri-ciri Biasa 650V GaNPengecas Cip (TJ=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
1.4 Uji Litar dan Bentuk Gelombang 650V GaNKuasa Chip
1.5 DIMENSI PAKEJ 650VCip GaN
| ITEM | I.ow 1imit (Mm) |
Pusat (Mm) |
Atas 1imit (Mm) |
| A | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Ciri Umum 650V GaNKuasa FET
Mudah dipandu—serasi dengan pemandu pagar standard
Kerugian pengaliran dan pensuisan yang rendah
Qrr rendah 17nC—tiada diod roda bebas
diperlukan
mematuhi RoHS dan bebas Halogen
3. Automotif Cip 650V GaN FETs
Pengecas pantas
Tenaga yang boleh diperbaharui
Telecom dan data-com
Motor servo
Perindustrian
Automotif
4. Kelebihan Cip GaN 650V
Meningkatkan kecekapan melalui pensuisan pantas
Ketumpatan kuasa meningkat
Saiz dan berat sistem dikurangkan
Sebagai wakil generasi ketiga bahan semikonduktor, apabila galium nitrida digunakan dalam peranti pengecasan pantas, kuasa output peranti cip GaN adalah tiga kali ganda berbanding bahan tradisional dalam kes saiz yang sama. Teknologi GaN FET mentakrifkan semula standard untuk pengecasan pantas telefon mudah alih. Industri semikonduktor generasi ketiga juga menyambut perkembangan baharu disebabkan penggunaan galium nitrida.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.comdanpowerwaymaterial@gmail.com