Cip 650V GaN FETs untuk Pengecasan Pantas
PAM-XIAMEN menawarkan cip GaN FET 650V untuk pengecasan pantas. Dalam pasaran semasa,sumber pengecasan pantas gallium nitrideterutamanya menggunakan cip GaN 650V (GaN FETs) sebagai suis kuasa, dan ciri frekuensi tinggi galium nitrida digunakan untuk menjadikan produk pengecasan cepat terminal lebih kecil dalam saiz dan kecekapan yang lebih tinggi.
PAM65D150DNBI-TS siri 650V, 150mΩ gallium nitride(GaN) FETs ialah peranti yang biasa digunakan. Cip GaN PAM-XIAMEN menawarkan kecekapan yang lebih baik melalui cas pintu yang lebih rendah, kelajuan pensuisan yang lebih pantas dan cas pemulihan terbalik yang lebih kecil, memberikan kelebihan ketara berbanding peranti silikon(Si) tradisional. PAM-XIAMEN ialah salah satu pembuat cip GaN termaju dengan inovasi bertaraf dunia.
1. Parameter Cip 650V GaN FETs
| simbol | parameter | Hadkan nilai | Unit |
| RθJC | Persimpangan ke kes | 1.3 | ° C / W |
1.1 Mutlak maksimum Penarafan 650V GaN Cip FET (TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| simbol | parameter | Hadkan nilai | Unit | |
| VDSS | Longkang ke sumber voltan | 650 | V | |
| VDSS | Gerbang ke voltan sumber | 一 25 ~ + 2 | ||
| ID | Arus saliran berterusan @TC=25°C | 15 | A | |
| Arus saliran berterusan @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Arus longkang nadi | 65 | A | |
| PD | Pelesapan kuasa maksimum @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Suhu Operasi | kes | 一 55 ~ 150 | ° C |
| TJ | Persimpangan | 一 55 ~ 175 | ° C | |
| TS | Suhu penyimpanan | 一 55 ~ 150 | ° C | |
AtasBawah
1.2 Parameter Elektrik 650VGan Chipset (TJ=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| simbol | parameter | min | Typ | Dagangan | Unit | Keadaan ujian |
| Ciri Peranti Hadapan | ||||||
| V (BL) DSs | Voltan punca longkang | — | 650 | — | v | Vcs = -25V |
| Vasth) | Voltan ambang pintu | — | -18 | — | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS (dihidupkan) | Sumber longkang pada rintangan | — | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| — | — | — | VGs=OV, ID-10A,TJ= 150'C | |||
| lDss | Kebocoran longkang ke sumber semasa |
— | — | 3 | uA | VDs=650V,VGs=-25V |
| — | — | 30 | VDs=400V,VGs=-25V, T = 150'c |
|||
| lass | Gerbang ke sumber ke hadapan arus bocor |
— | 3.7 | 100 | nA | VGs= 2V |
| Gerbang ke sumber terbalik arus bocor |
— | -3.5 | -100 | VGS= -25V | ||
| CIs | Kemuatan input | — | 650 | — | pF | vGs = -25V, VDS=300V,f=1MHz |
| Coss | Kapasiti keluaran | — | 40 | — | ||
| CRSS | Kapasiti terbalik | — | 10 | — | ||
| QG | Jumlah caj pintu | — | 9 | — | nC | VDS= 200V, VGS=-25V ke ov, SayaD= 10A |
| QGS | Caj sumber pintu | — | 2 | — | ||
| QGD | Caj longkang pintu | — | 7 | — | ||
| tn | Masa pemulihan terbalik | — | 4 | — | NS | Adakah=0A hingga 11A,VDD= 400V di/dt=1000A/uS |
| Q. | Caj pemulihan terbalik | — | 17 | — | nC | — |
| TIX (dihidupkan) | Kelewatan hidupkan | — | 0.5 | — | — | VDs=200VVG=-25V ke ov, ID = 10A |
| tR | Bangkit masa | — | 9 | — | ||
| tD (mati) | Kelewatan mematikan | — | 0.5 | — | ||
| tF | Masa jatuh | — | 10 | — | ||
| Ciri-ciri Peranti Songsang | ||||||
| VSD | Voltan terbalik | — | 7 | — | v | VGS=-25V, Is=10A, Tc=25′ C |
1.3 Ciri-ciri Biasa 650V GaNPengecas Cip (TJ=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
1.4 Uji Litar dan Bentuk Gelombang 650V GaNKuasa Chip
1.5 DIMENSI PAKEJ 650VCip GaN
| ITEM | I.ow 1imit (Mm) |
Pusat (Mm) |
Atas 1imit (Mm) |
| A | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Ciri Umum 650V GaNKuasa FET
Mudah dipandu—serasi dengan pemandu pagar standard
Kerugian pengaliran dan pensuisan yang rendah
Qrr rendah 17nC—tiada diod roda bebas
diperlukan
mematuhi RoHS dan bebas Halogen
3. Automotif Cip GaN FETs 650V
Pengecas cepat
Tenaga yang boleh diperbaharui
Telekom dan data-com
Motor servo
Perindustrian
Automotif
4. Faedah Cip GaN 650V
Meningkatkan kecekapan melalui pensuisan pantas
Ketumpatan kuasa meningkat
Mengurangkan saiz dan berat sistem
Sebagai wakil generasi ketiga bahan semikonduktor, apabila galium nitrida digunakan dalam peranti pengecasan pantas, kuasa output peranti cip GaN adalah tiga kali ganda berbanding bahan tradisional dalam kes saiz yang sama. Teknologi GaN FET mentakrifkan semula standard untuk pengecasan pantas telefon mudah alih. Industri semikonduktor generasi ketiga juga menyambut perkembangan baharu disebabkan penggunaan galium nitrida.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected]dan[email protected]