AlGaInP epi wafer

AlGaInP epi wafer

AlGaInP digunakan dalam pembuatan diod pemancar cahaya warna merah, oren, hijau dan kuning kecerahan tinggi, untuk membentuk cahaya pemancar heterostruktur. Ia juga digunakan untuk membuat laser diod.
Lapisan AlGaInP sering ditanam oleh heteroepitaxy pada gallium arsenide atau gallium phosphide untuk membentuk struktur telaga kuantum.

1.Spesifikasi Wafer AlGaInP pada Cip

Wafer LED AlGaInP untuk cip
No. Item:PAM-CAYG1101
dimensi:
Teknik pertumbuhan - MOCVD
Bahan Substrat: Gallium arsenide
Pengaliran Substrat: n jenis
Diameter: 2″
●Dimensi Cip:
1) Saiz cip: saiz hadapan: 8mil(±1mil)×8mil(±1mil)
bahagian belakang:9 juta(±1 juta)×9 juta(±1 juta)
2) Ketebalan cip: 7 juta (± 1 juta)
3) Saiz pad: 4 juta (± 0.5 juta)
4) Struktur: lihat 1-1
 
●Sifat Fotoelektrik
parameter Keadaan Min. Typ. Max. Unit
Voltan Hadapan(Vf1) Jika=10μA 1.35 V
Voltan Hadapan(Vf2) Jika=20mA 2.2 V
Voltan Terbalik(Lr) Vr=10V 2 μA
Panjang gelombang dominan(λd) Jika=20mA 565 575 nm
FWHM(Δλ) Jika=20mA 10 nm
 
●Keamatan Bercahaya:
Kod LC LD LE LF LG LH LI
IV(mcd) 20-30 25-35 30-35 35-50 40-60 50-70 60-80

2. Jurang jalur AlGaInP tegang pada substrat GaAs

Dalam tutorial ini kami ingin mengkaji jurang band tegangAlxGayDalam1-xyP pada substrat GaAs.
Parameter bahan diambil daripada
Parameter jalur untuk semikonduktor sebatian III-V dan aloinya
I. Vurgaftman, JR Meyer, LR Ram-Mohan
J. Appl. Fizik. 89 (11), 5815 (2001)
 
Untuk memahami kesan terikan pada jurang jalur pada komponen individu kuaterner ini, kita mula-mula mengkaji kesan pada
 
1)AlP tegang dengan tegangan berkenaan dengan GaAs
2)GaP tegang dengan tegangan berkenaan dengan GaAs
3)InP tegang secara mampat berkenaan dengan GaAs
4)AlxGa1-xP tegang dengan tegangan berkenaan dengan GaAs
5)GaxIn1-xP tegang berkenaan dengan GaAs
6)AlxIn1-xP tegang berkenaan dengan GaAs
7)Al0.4Ga0.6P tegang dengan tegangan berkenaan dengan GaAs
8)Ga0.4In0.6P tegang secara mampat berkenaan dengan GaAs
9)Al0.4Dalam0.6P tegang secara mampat berkenaan dengan GaAs
Setiap lapisan bahan mempunyai panjang 10 nm dalam simulasi.
Lapisan bahan 4), 5) dan 6) mengubah kandungan aloinya secara linear:
4) AlxGa1-xP dari 10 nm hingga 20 nm dari x=0.0 hingga x=1.0
5) GaxIn1-xP dari 30 nm hingga 40 nm dari x=0.0 hingga x=1.0
6)AlxIn1-xP dari 50 nm hingga 60 nm dari x=1.0 hingga x=0.0

3. Mengenai Struktur AlGaInP/InGaP

Memandangkan bahan kuaternari InGaAlP boleh mempunyai jurang jalur langsung yang luas, dengan melaraskan komposisi In, Al dan Ga, ia boleh dipadankan dengan kekisi dengan filem nipis GaAs yang berkualiti tinggi dan kos rendah. Julat pemancar cahaya struktur epitaxial boleh meliputi jalur merah, oren, kuning, kuning-hijau. Oleh itu dalam diod pemancar cahaya boleh dilihat, laser merah 650nm mempunyai pelbagai aplikasi.

Bahan kompaun kuaterner AlGaInP digunakan untuk mengembangkan wafer epitaxial GaAs, yang digunakan secara meluas dalam diod pemancar cahaya merah dan laser semikonduktor kecerahan tinggi dan telah menjadi bahan arus perdana untuk peranti pemancar cahaya merah. Susunan jalur pengaliran heterojunctions AlGaInP/GaInP adalah sangat kecil, dengan nilai maksimum kira-kira 270meV, yang lebih kecil daripada bahan 350meV AlGaAs. Penghalang elektronik agak rendah, dan arus bocor terbentuk. Arus ambang wafer epitaksi GaAs berasaskan laser meningkat, yang lebih jelas dalam operasi suhu tinggi dan arus tinggi. Lapisan AlGaInP akan berselerak dalam aloi, dan rintangan haba jauh lebih tinggi daripada AlGaAs. Haba yang berlebihan menyebabkan suhu simpang dan suhu permukaan rongga. Oleh itu, suhu ciri laser AlGaInP adalah lebih rendah, dan kecekapan penukaran elektro-optik menjadi lebih rendah semasa operasi berterusan, dan lebih banyak haba dihasilkan.

4. Indeks Biasan AlGaInP

 

Sumber: PAM-XIAMEN

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.

Kongsi catatan ini