Wafer Diod Laser GaInP / AlGaInP 635nm

Wafer Diod Laser GaInP / AlGaInP 635nm

AlGaInP berasaskan GaAwafer diod laser can be supplied by PAM-XIAMEN with a band of 635nm. The III-V AlGaInP semiconductor material that can be lattice matched with the GaAs substrate has a wide direct band gap (1.9~2.3eV), a wide range of luminous wavelengths and high luminous efficiency. AlGaInP is the best material for preparing high-brightness red, orange, and yellow lasers and light-emitting diodes (LEDs). Following is a 635nm visible diode laser epi structure of GaInP / AlGaInP for reference:

Wafer Diod Laser AlGaInP

1. Epi-struktur Diod Laser AlGaInP pada Substrat GaAs

PAM210709-635LD

lapisan Bahan Pecahan Mol (x) Pecahan Mol (y) Terikan (%) PL (nm) Ketebalan Lapisan (um) Doping (E+18/cm3) Jenis Dopant
12 GaAs 0.2 >100 P++ C
11 GaIn(x)P 0.49 p mg
10 (AlyGa) Dalam(x)P 0.485 p mg
9 AlIn(x)P 0.485 p mg
8 AlIn(x)P 0.485 0.3 p mg
7 (AlyGa) Dalam(x)P 0.485 UD
6 GaIn(x)P xx 627 UD
5 (AlyGa) Dalam(x)P 0.485 UD
4 AlIn(x)P 0.485 n Si
3 AlIn(x)P 0.485 n Si
2 GaIn(x)P 0.49 n Si
1 GaAs 0.5 n Si

 

2. Mengapa Kembangkan Struktur GaInP / AlGaInP LD pada Substrat GaAs Luar Sudut?

Bahan-bahan laser telaga kuantum kuantum terikan mampat GaInP / AlGaInP diperolehi oleh pertumbuhan satu kali epitaxial MOCVD. Penggunaan terikan mampatan di kawasan aktif boleh mengurangkan arus ambang dan arus operasi sambil meningkatkan kecekapan. Memandangkan bahan GaInP dan AlGaInP boleh dengan mudah membentuk struktur tertib metastabil semasa proses epitaksi MOCVD, yang harus dielakkan sebanyak mungkin dalam laser, dan struktur tidak teratur mempunyai lebar garisan spektrum perolehan yang lebih sempit. Untuk mengelakkan pembentukan struktur tersusun dalam pertumbuhan MOCVD bahan GalnP / AlGaInP, laser telaga kuantum AlGaInP biasanya menggunakan substrat GaAs luar sudut. Selain itu, substrat luar sudut boleh meningkatkan kepekatan doping jenis-p dalam lapisan terkurung, dengan itu meningkatkan halangan elektron yang berkesan di kawasan aktif, mengurangkan kebocoran pembawa, dan membantu meningkatkan prestasi suhu tinggi peranti.

3. Mengapa Meningkatkan MQW AlGaInP, Daripada DH?

Berbanding dengan DH (heterojunction berganda), struktur MQW (telaga kuantum berbilang) AlGalnP boleh menjana ketumpatan pembawa yang lebih tinggi, dengan itu meningkatkan kecekapan penggabungan semula radioaktif; memendekkan panjang kawasan pemancar cahaya dengan berkesan, dengan itu mengurangkan penyerapan diri foton oleh bahan. GaInP / AlGaInP MQW menghasilkan kesan saiz kuantum, mengelakkan pencemaran bahan AlGaInP dengan komposisi Al yang tinggi oleh oksigen, dan dengan berkesan mengurangkan panjang gelombang pelepasan di bawah komposisi Al yang rendah. Oleh itu, tatasusunan diod laser AlGaInP ditanam dengan struktur telaga kuantum berbilang dan bukannya simpang diod laser AlGaInP, digunakan secara meluas dalam peranti optoelektronik, seperti LD dan LED, dsb.

4. Mengenai Dopan Lapisan AlInP dalam Struktur Epitaxial LD ​​AlGaInP

Untuk menyelesaikan masalah kebocoran pembawa, AlInP dengan jalur terbesar digunakan sebagai lapisan pelapisan. Oleh kerana indeks biasan yang rendah, ia boleh menyekat gelombang pengaliran cahaya dengan kuat. Dan lapisan AlInP perlu sangat dope dengan p-type atau n-type, mendapatkan kekonduksian elektrik setinggi mungkin. Ia dibuktikan bahawa kerana keresapan yang lebih rendah dan kebolehkawalan yang lebih baik, Mg lebih sesuai digunakan sebagai dopan jenis-p untuk AlInP daripada Zn. Sementara itu, didapati bahawa penambahan penghalang Mg tidak didop dalam lapisan pelapisan Al(Ga) InP boleh meningkatkan kecekapan pelepasan diod laser AlGaInP.

Dari segi doping n -jenis lapisan pelapisan AlInP, biasanya, Si digunakan sebagai dopan jenis n untuk lapisan epi AlInP.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.

Kongsi catatan ini