Substrat AlN Kristal Tunggal
Anda boleh membeli substrat AlN kristal tunggal dengan kecekapan penukaran fotoelektrik yang lebih tinggi daripada semikonduktor jurang jalur tidak langsung daripadaPAM-XIAMEN. Aluminium nitrida (AlN) ialah bahan pemancar cahaya biru dan ultraungu yang penting, yang digunakan dalam diod pemancar cahaya ultraungu/ultraviolet dalam, diod laser ultraungu dan pengesan ultraungu. Selain itu, AlN boleh membentuk larutan pepejal berterusan dengan III nitrida sepertiGandan InN, dan aloi ternari atau kuaternarinya boleh mencapai pelarasan berterusan bagi jurang jalurnya daripada jalur yang boleh dilihat kepada jalur ultraungu dalam, menjadikannya bahan pencahayaan berprestasi tinggi yang penting. Berikut adalah spesifikasi yang kami tawarkan:
1. Wafer Substrat AlN Kristal Tunggal
PAM210702-AS
| diameter | 10 mm* | |
| ketebalan | 400 ± 50 μm | |
| Jenis Kristal | 2H | |
| Orientasi | {0001} ± 0.5 ° | |
| Permukaan selesai al -al | CMP (penggilap sisi dua boleh disesuaikan) | |
| Kekasaran | Wajah al | ≤0.5 nm |
| N muka (bahagian belakang) | ≤1.2 μm | |
| bentuk | Bulat | |
| calar | Tiada | |
| Cip | Tiada | |
| XRD@(0002) | ≤300 arcsec | |
| Pekali penyerapan | ≤100 cm-1 | |
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥90% | |
| TTV | ≤30 μm | |
| Bow | ≤30 μm | |
| Balut | ≤30 μm | |
| retak | Tiada, dengan mata kasar, cahaya keamatan tinggi | |
| Pencemaran permukaan | Tiada, dengan mata kasar, cahaya meresap | |
| Pembungkusan | Cawan wafer tunggal | |
Saiz berikut tersedia:
| Sl. Tidak. | Saiz |
| PAM-AIN-01010 | 10x10mm |
| Pam-Ain-010 | Dia. 10mm |
| Pam-Ain-015 | Dia. 15mm |
| Pam-Ain-020 | Dia. 20mm |
| PAM-ALN-025 | Dia. 25.4mm |
| Pam-Ain-030 | Dia. 30mm |
| Pam-Ain-050 | Dia. 50.8mm |
| Pam-Ain-M | M-pesawat |
2. Kebaikan dan Keburukan Proses Pertumbuhan Substrat AlN
Pada masa ini, walaupun substrat kristal tunggal AlN yang disediakan oleh kaedah PVT telah dikomersialkan; harga substrat AlN adalah sangat tinggi, yang menghalang pengkomersilan berskala besarnya. Di samping itu, kristal tunggal AlN yang ditanam dengan kaedah PVT biasanya berwarna kuning atau coklat, dan mempunyai penghantaran cahaya yang lemah, yang tidak kondusif untuk penyediaan peranti pemancar cahaya ultraungu dalam sebagai substrat. Oleh itu, untuk merealisasikan aplikasi berskala besar substrat AlN kristal tunggal telus, adalah perlu untuk mencadangkan skim penyediaan yang cekap dan kos rendah.
Dalam seni terdahulu, proses pertumbuhan biasa untuk menyediakan AlN kristal tunggal termasuk pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD), pengangkutan wap fizikal (PVT) dan epitaksi fasa wap hidrida (HVPE). Kelebihan dan kekurangan ketiga-tiga proses ini adalah seperti berikut:
Kelebihan proses MOCVD ialah: kawasan besar bahan kristal filem nipis AlN boleh disediakan, kawasannya ditentukan oleh saiz ruang pertumbuhan, dan diameter maksimum ialah 6 inci; ia boleh disediakan untuk mendapatkan pelbagai struktur halus dan mempunyai permukaan yang sangat rata. Ia berkaitan dengan kadar pertumbuhan bahan yang lebih perlahan di bawah proses MOCVD.
Walau bagaimanapun, kelemahan proses MOCVD adalah: sukar untuk mengatasi tekanan dan kehelan tinggi yang disebabkan oleh heteroepitaxial; dan kadar pertumbuhan bahan proses MOCVD adalah perlahan (beberapa ratus nanometer sejam), yang tidak sesuai untuk menyediakan substrat AlN komersial dengan ketebalan ratusan mikron. Pra-tindak balas sebatian organik aluminium logam TMAl dan NH 3 adalah serius.
Kelebihan proses HVPE ialah kawasan besar bahan kristal tunggal AlN boleh disediakan. Luas bahan kristal tunggal AlN ditentukan oleh saiz substrat heterogen dan ruang pertumbuhan. Pada masa ini, kawasan terbesar hanya berdiameter 2 inci. HVPE mempunyai kadar pertumbuhan yang cepat, boleh menyediakan bahan kristal tunggal filem tebal AlN (tebal beberapa ratus mikron) digunakan sebagai substrat, dan mempunyai kehelan benang heterogen yang baik (ketumpatan terkehel 106cm-2-107cm-2).
Walau bagaimanapun, kelemahan proses HVPE ialah: sukar untuk terus tumbuh secara heteroepitaxial untuk mendapatkan bahan dengan permukaan rata dan kehabluran tinggi; adalah sukar untuk mengatasi lenturan dan keretakan filem epitaxial yang disebabkan oleh tekanan yang disebabkan oleh pertumbuhan heteroepitaxial, yang menjadikannya sukar untuk mendapatkan lapisan heterogen. Pelucutan dari bahagian bawah untuk mendapatkan bahan kristal tunggal filem tebal AlN yang luas dan luas yang tidak disokong, hasil bahan adalah rendah, dan ia tidak sesuai untuk pengkomersilan.
Kelebihan PVT ialah: pertumbuhan bahan yang cepat (beberapa ratus mikrometer sejam); ketumpatan terkehel yang rendah (102cm-2-104cm-2); kos penyelenggaraan peralatan yang rendah; adalah sangat mudah untuk membuat skala pengeluaran apabila prosesnya matang.
Walau bagaimanapun, kelemahan proses PVT ialah: suhu pertumbuhan bahan adalah sangat tinggi, dan terdapat keperluan yang tinggi untuk kawalan kecerunan suhu ruang pertumbuhan; kristal tunggal AlN yang ditanam oleh PVT kebanyakannya berwarna oren dan coklat, dan penghantaran cahaya tidak baik; kekutuban bahan adalah sukar dikawal.
3. Masalah Teknikal untuk Menyediakan Wafer AlN Kristal Tunggal
Untuk menjadikan AlN dikomersialkan, pengeluar substrat AlN harus mengambil tindakan untuk menyelesaikan masalah teknikal berikut:
Pertama, masalah penyerapan cahaya UV substrat kristal tunggal AlN yang disediakan oleh PVT masih tidak diselesaikan. Oleh itu, selepas memperoleh kristal tunggal HVPE-AlN, untuk meningkatkan prestasi luminescence peranti pemancar cahaya ultraungu dalam, kaedah penggilap mekanikal kimia (CMP) untuk mengeluarkan substrat PVT-AlN yang kurang telus dan substrat PVT-AlN ini adalah bahan AlN kristal tunggal berkualiti tinggi, yang sangat mahal. Oleh itu, bahan substrat dikisar untuk mendapatkan kristal tunggal AlN. Ini adalah pembaziran yang besar, dan kos pengeluaran peranti pemancar cahaya ultraungu dalam meningkat;
Kedua, proses CMP itu sendiri memakan masa dan intensif buruh, dan permukaan bahan yang diproses adalah tidak rata, yang terdedah kepada masalah pengoksidaan;
Ketiga, AlN yang ditanam oleh proses HVPE mempunyai banyak tekanan, dan masalah seperti keretakan mudah berlaku semasa proses pengisaran dan penggilap.
4. Aplikasi Substrat Kristal Tunggal AlN
Kristal AlN ialah substrat yang sesuai untuk bahan epitaxial GaN, AlGaN dan AlN. Berbanding dengan substrat nilam atau SiC, AlN dan GaN mempunyai padanan haba dan keserasian kimia yang lebih tinggi, dan tegasan antara substrat dan lapisan epitaxial adalah lebih kecil. Oleh itu, apabila kristal AlN digunakan sebagai substrat untuk pertumbuhan epitaxial GaN, ia boleh mengurangkanketumpatan kecacatan dalam peranti, meningkatkan prestasi peranti, dan mempunyai prospek aplikasi yang baik dalam penyediaan peranti elektronik suhu tinggi, frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi.
Di samping itu, menggunakan substrat AlN untuk mengembangkan bahan epitaxial AlGaN komponen aluminium (Al) yang tinggi juga boleh mengurangkan ketumpatan kecacatan dalam lapisan epitaxial nitrida dengan berkesan, dan meningkatkan prestasi dan hayat perkhidmatan peranti semikonduktor nitrida. Selain itu, wafer substrat AlN mempunyai pekali optik tak linear yang tinggi dan boleh digunakan dalam pemancar harmonik kedua.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected] dan [email protected].