Substrat AlN Kristal Tunggal

Anda boleh membeli substrat Aln Crystal tunggal dengan kecekapan penukaran fotoelektrik yang lebih tinggi daripada kumpulan semikonduktor jurang tidak langsung dariPAM-XIAMEN. Aluminium nitrida (ALN) adalah bahan pemancar cahaya biru dan ultraviolet yang penting, yang digunakan dalam diod pemancar ultraviolet ultraviolet/dalam, diod laser ultraviolet, dan pengesan ultraviolet. Di samping itu, ALN boleh membentuk penyelesaian pepejal yang berterusan dengan nitrida III sepertiGandan Inn, dan aloi ternary atau kuartalnya dapat mencapai pelarasan berterusan jurang bandnya dari band yang kelihatan ke band ultraviolet yang mendalam, menjadikannya bahan luminescence berprestasi tinggi yang penting. Berikut adalah spesifikasi yang kami tawarkan:

1. Tunggal Aln Substrate wafer

PAM210702-AS

diameter		10 mm*
ketebalan		400 ± 50 μm
Jenis Kristal		2H
Orientasi		{0001} ± 0.5 °
Permukaan selesai al -al		CMP (penggilap sisi berganda boleh disesuaikan)
Kekasaran	Wajah al	≤0.5 nm
	N muka (bahagian belakang)	≤1.2 μm
bentuk		Bulat
calar		Tiada
Cip		Tiada
XRD@(0002)		≤300 arcsec
Pekali penyerapan		≤100 cm-1
Kawasan Boleh Digunakan		≥90%
TTV		≤30 μm
Bow		≤30 μm
Balut		≤30 μm
retak		Tidak ada, dengan mata kasar, cahaya intensiti tinggi
Pencemaran permukaan		Tidak ada, dengan mata kasar, cahaya tersebar
Pembungkusan		Cawan wafer tunggal

 

Saiz berikut disediakan:

Sl. Tidak.	Saiz
PAM-AIN-01010	10x10mm
Pam-Ain-010	Dia. 10mm
Pam-Ain-015	Dia. 15mm
Pam-Ain-020	Dia. 20mm
PAM-ALN-025	Dia. 25.4mm
Pam-Ain-030	Dia. 30mm
Pam-Ain-050	Dia. 50.8mm
Pam-Ain-M	M-pesawat

2. Kelebihan dan Kekurangan Proses Pertumbuhan Substrat ALN

Pada masa ini, walaupun substrat kristal tunggal ALN yang disediakan oleh kaedah PVT telah dikomersialkan; Harga substrat ALN sangat tinggi, yang menghalang pengkomersialannya secara besar-besaran. Di samping itu, kristal tunggal ALN yang ditanam oleh kaedah PVT biasanya kuning atau coklat, dan mempunyai transmisi cahaya yang lemah, yang tidak kondusif untuk penyediaan peranti pemancar cahaya ultraviolet yang mendalam sebagai substrat. Oleh itu, untuk merealisasikan aplikasi berskala besar substrat kristal tunggal Aln, perlu mencadangkan skim penyediaan kos yang cekap dan rendah.

Dalam seni terdahulu, proses pertumbuhan biasa untuk menyediakan satu kristal ALN termasuk pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD), pengangkutan wap fizikal (PVT) dan epitaxy fasa wap hidrida (HVPE). Kelebihan dan kekurangan ketiga -tiga proses ini adalah seperti berikut:

Kelebihan proses MOCVD adalah: kawasan besar bahan kristal filem tipis Aln boleh disediakan, kawasan yang ditentukan oleh saiz ruang pertumbuhan, dan diameter maksimum adalah 6 inci; Ia boleh bersedia untuk mendapatkan pelbagai struktur halus dan mempunyai permukaan yang sangat rata. Ia berkaitan dengan kadar pertumbuhan yang lebih perlahan bahan di bawah proses MOCVD.

Walau bagaimanapun, kelemahan proses MOCVD adalah: sukar untuk mengatasi tekanan dan dislokasi yang tinggi yang disebabkan oleh heteroepitaxial; dan kadar pertumbuhan bahan proses MOCVD adalah perlahan (beberapa ratus nanometer sejam), yang tidak sesuai untuk menyediakan substrat ALN komersial dengan ketebalan beratus -ratus mikron. Pra-reaksi dari kompaun organik aluminium logam TMAL dan NH 3 adalah serius.

Kelebihan proses HVPE adalah bahawa kawasan besar bahan kristal ALN boleh disediakan. Kawasan bahan kristal tunggal ALN ditentukan oleh saiz substrat heterogen dan ruang pertumbuhan. Pada masa ini, kawasan terbesar hanya diameter 2 inci. HVPE mempunyai kadar pertumbuhan yang cepat, boleh menyediakan bahan kristal tunggal Aln tebal (beberapa ratus mikron tebal) yang digunakan sebagai substrat, dan mempunyai dislokasi threading heterogen yang baik (ketumpatan dislokasi 10⁶cm^-2-10⁷cm^-2).

Walau bagaimanapun, kelemahan proses HVPE adalah: Sukar untuk terus berkembang secara heteroepitax untuk mendapatkan bahan dengan permukaan rata dan kristal yang tinggi; Sukar untuk mengatasi lenturan dan retak filem epitaxial yang disebabkan oleh tekanan yang disebabkan oleh pertumbuhan heteroepitaxial, yang menjadikannya sukar untuk mendapatkan lapisan heterogen. Melucut dari bahagian bawah untuk mendapatkan bahan kristal tunggal yang tidak disokong oleh Aln yang tidak disokong, hasil bahan adalah rendah, dan ia tidak sesuai untuk pengkomersialan.

Kelebihan PVT adalah: pertumbuhan bahan yang cepat (beberapa beratus -ratus mikrometer sejam); Ketumpatan dislokasi rendah (10²cm^-2-10⁴cm^-2); kos penyelenggaraan peralatan yang rendah; Ia sangat mudah untuk menghasilkan pengeluaran apabila prosesnya matang.

Walau bagaimanapun, kelemahan proses PVT adalah: suhu pertumbuhan bahan sangat tinggi, dan terdapat keperluan yang tinggi untuk kawalan kecerunan suhu ruang pertumbuhan; Kristal tunggal ALN yang ditanam oleh PVT kebanyakannya oren dan coklat, dan penghantaran cahaya tidak baik; Polariti bahan adalah kawalan yang sukar.

3. Masalah teknikal untuk menyediakan wafer kristal tunggal

Untuk menjadikan ALN ​​dikomersialkan, pengeluar substrat ALN harus mengambil tindakan untuk menyelesaikan masalah teknikal berikut:

Pertama, masalah penyerapan cahaya UV dari substrat kristal tunggal ALN yang disediakan oleh PVT masih belum diselesaikan. Oleh itu, selepas mendapatkan kristal tunggal HVPE-ALN, untuk meningkatkan prestasi luminescence peranti pemancar cahaya ultraviolet yang mendalam, kaedah penggilap mekanikal kimia (CMP) untuk menghilangkan substrat PVT-ALN yang sangat telus dan substrat PVT-ALN yang sangat mahal. Oleh itu, bahan substrat adalah alasan untuk mendapatkan kristal tunggal ALN. Ini adalah sisa yang besar, dan kos pengeluaran peranti pemancar cahaya ultraviolet yang mendalam meningkat;

Kedua, proses CMP itu sendiri adalah memakan masa dan intensif buruh, dan permukaan bahan yang diproses tidak sekata, yang terdedah kepada masalah pengoksidaan;

Ketiga, ALN yang ditanam oleh proses HVPE mempunyai banyak tekanan, dan masalah seperti retak terdedah berlaku semasa proses pengisaran dan penggilap.

4. Aln aplikasi substrat kristal tunggal

Aln Crystal adalah substrat yang ideal untuk bahan epitaxial GAN, Algan dan Aln. Berbanding dengan substrat nilam atau SIC, Aln dan GaN mempunyai padanan haba yang lebih tinggi dan keserasian kimia, dan tekanan antara substrat dan lapisan epitaxial lebih kecil. Oleh itu, apabila Aln Crystal digunakan sebagai substrat untuk pertumbuhan epitaxial GaN, ia dapat mengurangkanKetumpatan kecacatan dalam peranti, meningkatkan prestasi peranti, dan mempunyai prospek aplikasi yang baik dalam penyediaan suhu tinggi, frekuensi tinggi, dan peranti elektronik berkuasa tinggi.

Di samping itu, menggunakan substrat ALN untuk membesar komponen aluminium (Al) bahan epitaxial yang tinggi juga boleh mengurangkan ketumpatan kecacatan dalam lapisan epitaxial nitride, dan sangat meningkatkan prestasi dan hayat perkhidmatan peranti semikonduktor nitrida. Di samping itu, wafer substrat ALN mempunyai pekali optik nonlinear yang tinggi dan boleh digunakan dalam pemancar harmonik kedua.

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi e -mel kami di[email protected] dan [email protected].