Lazim

Wafer Gallium Arsenide, P/P

Q: Please let us know if you could supply below wafer, qty 25/50/300. Gallium Arsenide wafers, P/P 150.00±0.25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI undoped GaAs:-[100-2.0°towards[110]]±0.5°, u > 4,000cm²/Vs, Both-sides-polished, 1 Flat 57.5±2.5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificate: obligatory, Sealed under nitrogen in single wafer cassette A: Yes, will check the delivery time and come back [...]

EPD untuk Substrat GaAs

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier lifetime <1ps, Sealed under [...]

S: Saya ingin tahu kepekatan dopan substrat SiC yang biasa anda sediakan? Apakah kepekatan maksimum dopan Nitrogen yang boleh anda berikan? Saya sedang mencari wafer SiC berdop nitrogen yang tinggi?

S: Saya ingin tahu kepekatan dopan substrat SiC yang biasa anda sediakan? Apakah kepekatan maksimum dopan Nitrogen yang boleh anda berikan? Saya sedang mencari wafer SiC berdop nitrogen yang tinggi? A: Kepekatan dopan Nitrogen kami ialah 1E18/cm3-1E19/cm3, yang tergolong dalam dopan berat.

S: Bolehkah anda menawarkan bahan kristal mono SiC dengan Kekonduksian Terma tinggi > 490 W/mK, wafer dengan ketebalan: 300-1000um untuk pembuatan sink haba peranti semikonduktor?

S: Bolehkah anda menawarkan bahan kristal mono SiC dengan Kekonduksian Terma tinggi > 490 W/mK, wafer dengan ketebalan: 300-1000um untuk pembuatan sink haba peranti semikonduktor? A: Kekonduksian Terma> 490 W/mK ialah nilai teori SiC mono, namun kami telah menguji beberapa wafer, kekonduksian terma adalah di bawah 450W/mK, iaitu lebih rendah daripada [...]

S: Aplikasi kami adalah untuk penyepuhlindapan gelombang mikro. Oleh itu, silikon karbida mesti boleh menyerap gelombang mikro?

S: Aplikasi kami adalah untuk penyepuhlindapan gelombang mikro. Oleh itu, silikon karbida mesti boleh menyerap gelombang mikro? A: Oleh kerana pemalar dielektrik 6H dan 4H adalah besar, jadi jika wafer SiC adalah sebagai bahan penyerap, terutamanya untuk mencapai melalui reka bentuk struktur padanan Elektromagnet. Saya tidak tahu sama ada ia betul.