Lazim

Wafer Gallium Arsenide, P/P

Q: Please let us know if you could supply below wafer, qty 25/50/300. Gallium Arsenide wafers, P/P 150.00±0.25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI undoped GaAs:-[100-2.0°towards[110]]±0.5°, u > 4,000cm²/Vs, Both-sides-polished, 1 Flat 57.5±2.5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificate: obligatory, Sealed under nitrogen in single wafer cassette A: Yes, will check the delivery time and come back [...]

EPD untuk Substrat GaAs

PAM-XIAMEN boleh membekalkan wafer GaAs dengan EPD kurang daripada 5000/cm2. S: Bolehkah anda menasihati EPD yang dijamin untuk substrat dan epi di bawah? Wafer Gallium Arsenide, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI tidak terdod GaAs:-[100]±0.5°, n-jenis Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, Digilap satu sisi, belakang- matte sisi terukir, 2 Flat, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Kerintangan >1E7 Ohm-cm, Jangka hayat pembawa <1ps, Dimeterai di bawah nitrogen [...]

Wafer Gallium Arsenide, GaAs, VGF, Separa Penebat, Tidak Didop

S: Kami ingin bertanya di bawah. (001) +/- 0.5o Orientasi Separa Penebat, Kerintangan Tidak Terdop ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Sisi Digilap (Ra < 10Å), EPI Sedia, Sebelah Belakang Digores Separuh Standard AS, Tidak Penandaan Laser Wafer gaya labah-labah individu [...]

S: Saya ingin tahu kepekatan dopan substrat SiC yang biasa anda sediakan? Apakah kepekatan maksimum dopan Nitrogen yang boleh anda berikan? Saya sedang mencari wafer SiC berdop nitrogen yang tinggi?

S: Saya ingin tahu kepekatan dopan substrat SiC yang biasa anda sediakan? Apakah kepekatan maksimum dopan Nitrogen yang boleh anda berikan? Saya sedang mencari wafer SiC berdop nitrogen yang tinggi? A: Kepekatan dopan Nitrogen kami ialah 1E18/cm3-1E19/cm3, yang tergolong dalam dopan berat.

S: Bolehkah anda menawarkan bahan kristal mono SiC dengan Kekonduksian Terma tinggi > 490 W/mK, wafer dengan ketebalan: 300-1000um untuk pembuatan sink haba peranti semikonduktor?

S: Bolehkah anda menawarkan bahan kristal mono SiC dengan Kekonduksian Terma tinggi > 490 W/mK, wafer dengan ketebalan: 300-1000um untuk pembuatan sink haba peranti semikonduktor? A: Kekonduksian Terma> 490 W/mK ialah nilai teori SiC mono, namun kami telah menguji beberapa wafer, kekonduksian terma adalah di bawah 450W/mK, iaitu lebih rendah daripada [...]

S: Aplikasi kami adalah untuk penyepuhlindapan gelombang mikro. Oleh itu, silikon karbida mesti boleh menyerap gelombang mikro?

S: Aplikasi kami adalah untuk penyepuhlindapan gelombang mikro. Oleh itu, silikon karbida mesti boleh menyerap gelombang mikro? A: Oleh kerana pemalar dielektrik 6H dan 4H adalah besar, jadi jika wafer SiC adalah sebagai bahan penyerap, terutamanya untuk mencapai melalui reka bentuk struktur padanan Elektromagnet. Saya tidak tahu sama ada ia betul.