GA2O3 pada Sapphire Heteroepitaxy
Sapphire based gallium oxide(Ga2O3) epitaxial technology is currently one of the hotspots in semiconductor material research. β- Ga2O3 has the characteristics of ultra-high bandgap, high breakdown voltage, and strong radiation resistance, and has shown broad application prospects in the fields of high-voltage, high-power, and high-efficiency electronic devices. Sapphire, as an insulating substrate, can provide a favorable crystal growth environment for gallium oxide epitaxy, thereby improving the quality of epitaxial films and device performance. PAM-XIAMEN can prepare high-quality Ga2O3 on sapphire heteroepitaxial thin film with the following parameters:
1.Parameter epitaxialβ GA2O3 pada nilamsubstrat
| Perkara | GA2O3 Heteroepitaxy | |
| gred | Gred Perindustrian | Gred penyelidikan |
| substrat | ||
| Bahan | Sapphire （Al2O3） | |
| Saiz | 10*10mm, 10*15mm, 2 inci, disesuaikan | |
| ketebalan | 430um | |
| Orientasi | 0001） | |
| Epilayer | ||
| Polytype | β-GA2O3 | |
| ketebalan | 0.01 ~ 0.2um | |
| toleransi | ± 5% | ± 10% |
| keseragaman | ≤5% | ≤10% |
| Orientasi | (-201) 、 (002） | |
| Konduksi | UID | |
| Kekasaran permukaan | ≤5nm (10*10um） | |
| Ketumpatan kecacatan | <1cm-2 | <2cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥95% | ≥90% |
2. Ipengaruh daripadaLuar paksi sAppHireSUbstrate onMOrphology
Orientasi substrat adalah faktor utama yang mempengaruhi kualiti filem epitaxial. Baru-baru ini, pasukan penyelidikan menggunakan kaedah MOCVD untuk mengkaji teknologi pertumbuhan galium oksida pada substrat nilam dengan sudut yang salah. Hasilnya menunjukkan bahawa substrat nilam yang salah dipotong dapat meningkatkan kualiti kristal epitaxial bahan-bahan galium oksida. Sebagai contoh, apabila sudut pemotongan substrat adalah 6 °, lengkung goyang sinar-X filem epitaxial mempunyai lebar penuh terkecil pada separuh maksimum (FWHM) dan kualiti kristal yang lebih tinggi. Ini mempunyai kesan positif untuk mengkaji pertumbuhan heteroepitaxial filem nipis galium oksida dan mempromosikan aplikasi mereka.
3.PermohonanPRospek Gallium Oxide Berbasis Sapphire
GA2O3 mengenai Teknologi Sapphire mempunyai aplikasi yang berpotensi dalam bidang berikut:
Fotodetektor Ultraviolet Solar Blind: Filem tipis GA2O3 sesuai untuk pengesanan ultraviolet buta solar kerana ciri-ciri bandgap yang tinggi, dengan kepekaan yang tinggi dan keupayaan anti-interferensi;
Peranti kuasa, seperti diod Schottky (SBDs) dan transistor kesan medan semikonduktor logam oksida (MOSFET), boleh digunakan untuk voltan tinggi, alat elektronik kuasa tinggi;
Bidang lain: seperti peranti RF, penderiaan gas, fotokatalisis, dan penyimpanan maklumat.
Pada masa ini, GA2O3 pada wafer epitaxial sapphire telah menjadi bahan yang ideal untuk peranti kuasa tinggi, menyokong saiz tersuai untuk memenuhi keperluan aplikasi yang berbeza. Industri Gallium Oxide global telah memasuki peringkat awal pengkomersialan, dengan peranti kuasa dan fotodetektor ultraviolet buta solar menjadi arahan yang jelas untuk pengkomersialan.
* Lesen diperlukan.
Sama ada anda memerlukan wafer GA2O3 untuk penyelidikan atau untuk aplikasi perindustrian, sila hubungi kami e -mel di[email protected] dan [email protected].