Wafer Diod Laser 940nm

Wafer Diod Laser 940nm

Laser semikonduktor dalam jalur inframerah dekat (760-1060nm) berdasarkan substrat GaAs adalah yang paling matang dan paling banyak digunakan, dan telah pun dikomersialkan.Kami boleh membekalkan wafer diod laser GaAs untuk panjang gelombang 940nm. Selain itu, pelbagai wafer laser dengan panjang gelombang yang berbeza boleh ditawarkan, lebih lanjut sila rujukhttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/epi-wafer-for-laser-diode.

Kajian teori dan eksperimen mendapati bahawa dengan melaraskan komposisi dan ketebalan setiap lapisan, panjang gelombang pengikat laser telaga kuantum InGaAs/AlGaAs boleh meliputi julat 900-1300nm. Ini bukan sahaja mengisi jurang laser GaAs dan laser InP dalam jalur ini, tetapi juga sangat menggalakkan pembangunan laser dan industri lain yang berkaitan. Lebih banyak spesifikasi wafer epi diod laser GaAs, sila lihat jadual di bawah:

Wafer Diod Laser GaAs

1. Struktur Epitaxial Diod Laser 940nm InGaAs / GaAs

Struktur LD 940nm (PAM201224-940LD)

Bahan Kepekatan Doping ketebalan PL
P+ GaAs P>5E19  
P-AlGaAs  
AlGaA yang dibatalkan LOC~0.42um  
Lapisan aktif GaInAs dinyahdop 922+ -3nm
AlGaA yang dibatalkan  
N-AlGaAs d~2.5um  
Penampan N GaAs  
N substrat GaAs, N=(0.4~4)x1018, d=350~625um, (100) 15°

 

2. Mengapa Menggunakan Sistem Bahan InGaAs/GaAs untuk Menghasilkan Diod Laser?

Untuk merealisasikan panjang gelombang diod laser GaAs sebanyak 940nm, memandangkan tenaga peralihannya adalah kira-kira 1.319eV, yang jauh lebih kecil daripada jurang jalur GaAs, GaAs/AlGaAs padanan biasa (λ=0.7-0.9um) dan InGaAsP/InP (λ=1.1-1.65um) sukar dicapai. Panjang gelombang pelepasan bahan InGaAs boleh antara 0.9-1.1um. Walau bagaimanapun, tiada satu pun sebatian binari mempunyai substrat yang sepadan dengan kisinya. Untuk berkembang pada substrat GaAs, ketidakpadanan kekisi kira-kira 3% diperlukan. Sekiranya lapisan pertumbuhan epitaxial cukup nipis, tegasan akibat ketidakpadanan kekisi boleh ditahan oleh ubah bentuk keanjalan lapisan pertumbuhan tanpa menghasilkan kecacatan atau kehelan yang disebabkan oleh tekanan yang berlebihan.

Laser telaga kuantum InGaAs/GaAs tidak mengalami kegagalan mengejut yang dikaitkan dengan kecacatan garis gelap, dan mempamerkan jangka hayat yang lebih lama daripada laser semikonduktor AlGaAs/GaAs. Kecacatan garis gelap <100> mempunyai kadar pertumbuhan yang tinggi dalam laser telaga kuantum GaAs, tetapi ditindas dalam laser telaga kuantum InGaAs. Sebabnya ialah kerana atom In lebih besar daripada atom Ga, Al, dan As, perambatan kecacatan terhalang dan bertindak sebagai agen pinch-off kehelan. Di samping itu, berbanding dengan laser GaAs/AlGaAs, tenaga yang dikeluarkan oleh penggabungan semula sinaran dan bukan sinaran dalam laser telaga kuantum InGaAs adalah lebih kecil; antara muka InGaAs/GaAs mempunyai kurang pusat penggabungan semula bukan sinaran berbanding antara muka AlGaAs/GaAs. Substrat GaAs adalah lutsinar kepada panjang gelombang 940 nm, dengan itu mengurangkan kadar tindak balas kecacatan akibat peningkatan penggabungan semula, seperti resapan, penceraian, dan penghapusan. Jadi telaga kuantum terikan InGaAs mempunyai kebolehpercayaan yang lebih baik untuk laser gallium arsenide epitaxial.

Oleh kerana laser GaAs 940nmn mengamalkan kejuruteraan jalur tenaga yang penting bagi bahan semikonduktor, bukan sahaja prestasi laser semikonduktor telah dipertingkatkan dan dipertingkatkan lagi, seperti ketumpatan arus ambang yang lebih rendah, pekali keuntungan yang lebih tinggi, dan kepekaan suhu yang lebih rendah, lebih sesuai untuk membuat tinggi- laser kuasa dan jangka hayat panjang, dsb. Sementara itu, memandangkan julat panjang gelombang pelepasan sistem bahan InGaAs/GaAs ialah 0.9-1.1um, ia memenuhi kawasan buta panjang gelombang pelepasan yang sepadan dengan bahan GaAs/AlGaAs dan InGaAsP/InP. Laser semikonduktor gallium arsenide ditanam InGaAs sebagai lapisan aktif mempunyai prospek aplikasi yang lebih luas dan lebih penting dalam bidang ketenteraan, komunikasi, perubatan dan lain-lain.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di [email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini