PAM-XIAMEN boleh menawarkan AlGaAs / GaAs p-HEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) heterostructure epitaxial wafer yang ditanam melalui proses MBE atau MOCVD. Heterostruktur mempunyai saluran pengaliran mobiliti tinggi yang dibentuk oleh gas elektron dua dimensi, yang merupakan bahan yang sesuai untuk aplikasi tanpa wayar. Lebar garis proses pHEMT GaAs kami adalah kira-kira 0.15-0.5μm, sangat rendah tetapi dengan frekuensi ultra tinggi dan ciri hingar rendah dan frekuensi operasi boleh setinggi 100GHz. Spesifikasi khusus wafer epiaksi GaAs pHEMT adalah seperti berikut, kami juga boleh menyediakan tersuai Wafer epi GaAs:
1. GaAs pHEMT Wafer Specifications
No. 1 LN pHEMT Epi Structure (PAM160711-GAAS)
| lapisan | Bahan | x | Dopant | Concentration | Ketebalan (A) | Kenyataan |
| 12 | n+-GaAs | – | Si | 5.0E+18 sm-3 | 500 | – |
| 11 | n-AlAs | – | Si | – | – | – |
| 10 | n-AlxGa1-xSebagai | 0.22 | Si | – | – | – |
| 9 | Si | – | Si | 5.0E+12 sm-2 | – | – |
| 8 | AlxGa1-xSebagai | 0.22 | – | – | 30 | – |
| 7 | DalamxGa1-xSebagai | – | – | – | – | – |
| 6 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 5 | Malangnya | – | – | – | – | – |
| 4 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 3 | Malangnya | – | – | – | – | – |
| 2 | AlxGa1-xAs/GaAs | 0.22 | – | – | 185/15 | 10 X SL |
| 1 | GaAs | – | – | – | 5000 | – |
| Substrat SI GaAs | ||||||
No.2 Power pHEMT Epitxial Structure (PAM160711-GAAS)
| lapisan | Bahan | x | Dopant | Concentration | Ketebalan (A) | Kenyataan |
| 13 | n+-GaAs | – | Si | – | 500 | – |
| 12 | n-AlAs | – | – | – | – | – |
| 11 | GaAs | – | – | – | – | |
| 10 | n-AlxGa1-xSebagai | 0.24 | Si | – | – | – |
| 9 | Si | – | Si | 3.0E+12 sm-2 | – | – |
| 8 | AlxGa1-xSebagai | – | – | – | 25 | – |
| 7 | DalamxGa1-xSebagai | – | – | – | – | – |
| 6 | AlxGa1-xSebagai | – | – | – | 30 | – |
| 5 | Si | – | Si | 1.0E+12 sm-2 | – | – |
| 4 | AlxGa1-xSebagai | – | – | – | – | – |
| 3 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 2 | AlxGa1-xSebagai | 0.24 | – | – | – | – |
| 1 | GaAs | – | – | – | – | – |
| Substrat SI GaAs | ||||||
No.3 GaAs Epi Wafers for pHEMTs (PAM161121-PHEMT)
| Layer material with doping | Ketebalan (A) | Doping level | Composition | Note |
| n+-GaAs | 400 | – | – | – |
| Malangnya | – | – | – | – |
| GaAs | – | – | – | – |
| n-AIGaAs | – | 3E+17cm-3 | – | – |
| GaAs | 9 | – | – | – |
| Si | – | – | – | – |
| GaAs | – | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | – | Spacer |
| i-GaAs | – | – | – | – |
| i-InGaAs | – | – | – | – |
| i-GaAs | – | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | 0.24 | – |
| GaAs | – | – | – | |
| Si | – | 1.5E+12cm-2 | – | – |
| GaAs | 9 | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | – | – |
| AIGaAs 100A/GaAs 20A superlattice 15 periods | – | – | – | – |
| i-GaAs | – | less than 5E+14cm-3 | – | – |
| S.I. GaAs substrate |
We also can provide InP-based pHEMT epitaxial wafer:
PAM160526-INP
| lapisan | Bahan | Concentration | ketebalan |
| 8 | N+ InxGa1-xSebagai | – | 20nm |
| 7 | N+ InP etch stopper | – | – |
| 6 | i-InxAl1-xAs Schottky barrier | – | – |
| 5 | Si-delta-doping | n=6×1012 cm-2 | – |
| 4 | i-InxAl1-xAs spacer | – | – |
| 3 | i-InxGa1-xAs channel | – | – |
| 2 | DalamxAl1-x As buffer | – | 300nm |
| 1 | metamorphic buffer (linearly graded from substrate to
DalamxGa1-x As) |
– | – |
| InP substrate |
Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, dengan pempopularan dan aplikasi komunikasi mudah alih dan sistem Internet tanpa wayar, permintaan yang kukuh untuk produk peranti semikonduktor telah dirangsang. Bahan epitaxial semikonduktor ialah asas penting untuk peranti yang digunakan dalam komunikasi tanpa wayar. Untuk memenuhi keperluan pasaran untuk kualiti dan kos produk, adalah sangat penting untuk membangunkan proses yang berkapasiti tinggi dan stabil. GaAs pHEMT mempunyai prestasi cemerlang dalam peneraju aplikasi wayarles, dan telah bergerak ke arah pengeluaran besar-besaran. Oleh itu, pembangunan proses epitaxial yang cekap memainkan peranan penting dalam mengurangkan kos dan masa tindak balas pasaran. Molecular beam epitaxy (MBE) ialah kaedah teknikal utama untuk mengembangkan bahan epitaxial GaAs pHEMT. Berbanding dengan kaedah pertumbuhan lain, seperti pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD), MBE mempunyai ketepatan kawalan dan kestabilan yang lebih tinggi.
2. Mengenai Bahan Epitaxial GaAs pHEMT
2-DEG dalam pHEMT adalah lebih terhad daripada HEMT biasa: terdapat sekatan berganda pada kedua-dua belah telaga berpotensi, jadi ia mempunyai ketumpatan permukaan elektron yang lebih tinggi (kira-kira 2 kali lebih tinggi). Pada masa yang sama, mobiliti elektron juga lebih tinggi daripada GaAs. Oleh itu, prestasi pHEMT adalah lebih unggul. Struktur epitaxial GaAs pHEMT heterojunction ganda bukan sahaja meningkatkan kestabilan suhu voltan ambang peranti, tetapi juga meningkatkan ciri-ciri volt-ampere keluaran peranti, supaya peranti mempunyai rintangan keluaran yang lebih besar, transkonduktans yang lebih tinggi, dan lebih besar. kapasiti pengendalian semasa dan kekerapan operasi yang lebih tinggi, bunyi yang lebih rendah dan sebagainya.
Rajah Jalur Tenaga bagi Heterojunction pHEMT
Mobiliti saluran bahan epitaxial GaAs pHEMT adalah salah satu petunjuk yang paling penting. Meningkatkan mobiliti saluran dengan berkesan boleh meningkatkan prestasi DC dan RF produk gallium arsenide pHEMT (seperti transistor pHEMT GaAs, penguat pHEMT GaAs dan MMIC), yang mempunyai kesan yang hebat pada parameter aplikasi seperti transkonduktans, rintangan dalam keadaan, pemotongan. kekerapan, angka hingar, keuntungan RF, dan kecekapan penukaran kuasa.
3. Mengenai GaAs pHEMT
pHEMT ialah struktur transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT) yang dipertingkatkan, juga dikenali sebagai transistor mobiliti elektron tinggi pseudo-matched (pHEMT), iaitu transistor kuasa GaA frekuensi radio yang dibuat menggunakan lapisan epitaxial khas yang ditanam pada GaAs boleh mencapai voltan rendah dan kecekapan tinggi apabila digunakan dalam telefon selular dan modem frekuensi radio.
Aplikasi GaAs pHEMT adalah dalam jalur frekuensi gelombang gelombang mikro dan milimeter kerana ciri-ciri cemerlang mobiliti elektron yang tinggi, kecekapan modulasi arus yang tinggi dan kehilangan yang rendah. Apabila frekuensi operasi peranti memasuki jalur frekuensi gelombang milimeter, pengaruh kesan parasit pada prestasi peranti menjadi sangat jelas. Model ialah asas reka bentuk litar, dan kaedah mengekstrak parameter model dengan tepat bagi kesan parasit frekuensi tinggi transistor sentiasa menjadi tumpuan penyelidikan dalam industri.
Dengan pembangunan berterusan komponen dan infrastruktur komunikasi wayarles 5G, teknologi GaAs pHEMT akan memainkan peranan penting untuk memenuhi pelbagai ciri rangkaian wayarles baharu. Dalam pembangunan komponen utama 5G, kami terus menambah baik aliran proses pHEMT GaAs kami untuk menyediakan rangkaian penuh produk berkaitan dalam aplikasi radar radio digital linear, V-band, E-band dan W-band.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.