GaAs Epiwafer

GaAs Wafer (Gallium Arsenide) GaAs (galium arsenida) Wafers
23_thumb_G_1332111934894

GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

Kategori: Tag:, , , , ,
  • Penerangan

Penerangan Produk

GaAs Epi wafer 

As a leading GaAs epi wafer foundry, PAM-XIAMEN are manufacturing various types of epiwafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, which make a low gallium arsenide epi wafer defect. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities.

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epitaxial wafer:

substrat bahan Keupayaan bahan Permohonan
GaAs GaAs suhu rendah THz
GaAs GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs Schottky Diod
Dalam p InGaAs pengesan PIN
Dalam p InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs laser
GaAs GaAs / ALAS / GaAs  
Dalam p InP / InAsP / InGaAs / InAsP  
GaAs GaAs / InGaAsN / AlGaAs  
/ GaAs / AlGaAs
Dalam p InP / InGaAs / InP photodetectors
Dalam p InP / InGaAs / InP  
Dalam p InP / InGaAs  
GaAs GaAs / InGaP / GaAs / AlInP Cell solar
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP
GaAs GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs Cell solar
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
Dalam p InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703nm Laser
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs  
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs HEMT
GaAs GaAs / ALAS / GaAs / ALAS / GaAs mHEMT
GaAs GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / Jurang wafer LED, lampu keadaan pepejal
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,
/ GaAsP / GaAs / GaAs substrat 950nm, 1300nm, 1550nm Laser
GASB AlSb / GaInSb / Inas pengesan IR, PIN, sensing, cemera IR
silikon InP atau GaAs di Silicon IC kelajuan tinggi / mikropemproses
INSB Berilium didopkan INSB  
/ Undoped INSB / Te didopkan INSB /

 

Gallium arsenide is currently one of the most important compound semiconductor materials with the highest mature epi wafer technology. GaAs material has the characteristics of large forbidden band width, high electron mobility, direct band gap, high luminous efficiency. Due to all all these epi wafer advantages, GaAs epitaxy is currently the most important material used in the field of optoelectronics. Meanwhile, it is also an important microelectronic material. According to the difference in electrical conductivity, GaAs epi wafer materials can be divided into semi-insulating (SI) GaAs and semiconductor (SC) GaAs.

In the field of epitaxial wafers, the epi wafer market share of RF and laser applications is very large.

 

Untuk lebih spesifikasi terperinci, sila semak perkara berikut:

LT-GaAs epi lapisan pada GaAs substrat

LT GaAs Thin Film for Photodetectors and Photomixers

Low Temperature Grown InGaAs 

GaAs Schottky Diod Epitaxial Wafers

InGaAs / InP wafer epi PIN

InGaAsP / InGaAs pada substrat InP

InGaAs APD Wafers with High Performance

 

wafer GaAs / ALAS

InGaAsN epitaxially pada GaAs atau wafer InP

Struktur bagi photodetectors InGaAs

InP / InGaAs / InP epi wafer

InGaAs Struktur Wafer

AlGaP / GaAs Epi Wafer untuk your Solar

sel-sel solar tiga persimpangan

Solar Cell Structure Epitaxially Grown on InP Wafer

GaAs Epitaxy

GaInP / InP epi wafer

AlInP / GaAs epi wafer

Growth of GaAsSb / InGaAs Type-II Superlattice

 

struktur lapisan 703nm Laser

wafer 808nm laser

wafer 780nm laser

 

wafer GaAs PIN epi

AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer

1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure

InGaAs Photodiode Structure

GaAs / AlGaAs / GaAs epi wafer

GaAs HBT Epi Wafer

GaAs Based Epitaxial Wafer untuk LED dan LD, sila lihat di bawah desc.
GaAs pHEMT epi wafer (GaAs, AlGaAs, InGaAs), please see below desc.
wafer GaAs mHEMT epi(MHEMT: metamorf elektron tinggi mobiliti transistor)
GaAs HBT epi wafer (GaAs HBT adalah transistor simpang dwikutub, yang terdiri daripada sekurang-kurangnya dua semikonduktor yang berbeza, yang oleh GaAs berasaskan teknologi.) Kesan medan Metal-semikonduktor transistor (MESFET)
 
kesan medan Heterojunction transistor (HFET)
elektron tinggi mobiliti transistor (HEMT)
Pseudomorphic elektron tinggi mobiliti transistor (pHEMT)
Salunan terowong cahaya (JPJ)
PIN diod
peranti kesan dewan
ubah Diod kemuatan (VCD)
GaAs substrate, 50 nm of InAlP, and then 2.5 microns of GaAs PAM210406-INALP

 

Sekarang kita senaraikan beberapa spesifikasi:

GaAs HEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Al komposisi / Dalam komposisi / rintangan Lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
5000 ~ 6500cm2 / V · S / 0.5 ~ 1.0x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 0.01 / ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
GaAs (galium arsenida) pHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Al komposisi / Dalam komposisi / rintangan Lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
5000 ~ 6800cm2 / V · S / 2.0 ~ 3.4x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 0.01 / ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
Remark:GaAs pHEMT: Compared with GaAs HEMT, GaAs PHEMT also incorporates InxGa1-xAs,where InxAs  is constrained to x < 0.3 for GaAs-based devices. Structures grown with the same lattice constant as HEMT, but different band gaps are simply referred to as lattice-matched HEMTs.
GaAs mHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Rintangan komposisi / lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
InP HEMT epiwafer, size:2~4inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Rintangan komposisi / lembaran / Dewan mobiliti Sila hubungi jabatan teknikal kami

  

Remark: GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material,a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As). The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors (FETs), and integrated circuits (ICs)

aplikasi peranti

RF Switch, Power and low-noise amplifiers, Hall sensor, modulator optik

stesen telefon bimbit atau asas: Wireless

Automotive radar, MMIC, RFIC, Fiber optik Communications

GaAs Epi Wafer untuk LED serie / IR:

Huraian 1.General:

1.1 Kaedah Pertumbuhan: MOCVD
1.2 GaAs epi wafer for Wireless Networking

1.3wafer GaAs epi bagi LED/ IR dan LD / PD

2.Epi ciri-ciri komputer wafer:

2.1 Saiz Wafer: 2 "diameter

2.2 GaAs Epi Wafer Structure(from top to bottom):

P + GaAs

p-Jurang

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Buffer

GaAs substrat

3.Chip sepcification (Base pada 9mil * cip 9mil)

3.1 Parameter

Chip Saiz 9mil * 9mil

Ketebalan 190 ± 10um

diameter elektrod 90um ± 5um

3.2 aksara optik elctric (Ir = 20mA, 22 ℃)

Panjang gelombang 620 ~ 625nm

voltan hadapan 1.9 ~ 2.2V

Reverse ≥10v voltan

Reverse 0-1uA semasa

3.3 Light aksara intensiti (Ir = 20mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer avelength

Perkara

Unit

Merah

Kuning

Kuning hijau

Penerangan

Gelombang Panjang (λD)

nm

585.615.620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

IF = 20mA

Kaedah pertumbuhan: MOCVD, MBE

epitaxy = pertumbuhan filem dengan hubungan yang kristalografi antara filem dan substrat homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = filem dan substrat adalah bahan yang sama heteroepitaxy = filem dan substrat adalah bahan-bahan yang berbeza. untukmaklumat lanjut kaedah pertumbuhan, sila klik berikut:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:

Shortwave Infrared InGaAs Sensor

InGaAs SWIR Detector

InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector

Epiwafer for Photonic Integrated Chip:

AlGaAs Thin Film Epitaxy for Photonic Integrated Chips

Awak juga mungkin menyukai…

  • wafer InPwafer InP
    Baca Lebih

    wafer InP

    PAM-XIAMEN offers VGF InP(Indium Phosphide) wafer with prime or test grade including  low dope, N type or semi-insulating. The mobility of InP wafer is different in different type, low doped one>=3000cm2/V.s, N type>1000 or 2000cm2V.s(depends on different doping concentration), P type: 60+/-10 or 80+/-10cm2/V.s(depends on different Zn doping concentration), and semi-insulting one>2000cm2/V.s, the EPD of Indium Phosphide is below 500/cm2 normally.

  • Freestanding Gan substrat
    Baca Lebih

    Freestanding Gan substrat

    PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.

  • CdZnTe (CZT) Wafer
    Baca Lebih

    CdZnTe (CZT) Wafer
    Kadmium Zinc Telluride (CdZnTe atau CZT) adalah semikonduktor baru, yang membolehkan untuk menukar sinaran elektron dengan berkesan, ia adalah terutamanya digunakan dalam inframerah filem nipis epitaxy substrat, pengesan X-ray dan pengesan Gamma-ray CdZnTe.
  • Wafer silikon zon terapung
    Baca Lebih

    Terapung-Zone Mono-Kristal Silicon

    PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer silikon zon terapung, yang diperoleh melalui kaedah Zon Terapung. Rod silikon monohablur diperolehi melalui pertumbuhan zon terapung, dan kemudian memproses rod silikon monohablur menjadi wafer silikon, dipanggil wafer silikon zon terapung. Oleh kerana wafer silikon cair zon tidak bersentuhan dengan pijar kuarza semasa proses silikon zon terapung, bahan silikon berada dalam keadaan terampai. Oleh itu, ia kurang tercemar semasa proses lebur zon terapung silikon. Kandungan karbon dan kandungan oksigen lebih rendah, kekotoran kurang, dan kerintangan lebih tinggi. Ia sesuai untuk pembuatan peranti kuasa dan peranti elektronik voltan tinggi tertentu.

  • Nanofabrication
    Baca Lebih

    Fotoresist Nanofabrikasi

    PAM-XIAMEN Tawaran plat photoresist dengan photoresist

  • GaAs Wafer (Gallium Arsenide)
    Baca Lebih

    GaAs (galium arsenida) Wafers

    As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • Substrat Wafer SiC (Silikon Karbida)
    Baca Lebih

    SiC Wafer Substrat

    Syarikat itu mempunyai barisan pengeluaran substrat wafer SiC(silikon karbida) lengkap yang menyepadukan pertumbuhan kristal, pemprosesan kristal, pemprosesan wafer, penggilap, pembersihan dan ujian. Pada masa kini kami membekalkan wafer SiC 4H dan 6H komersial dengan separa penebat dan kekonduksian dalam paksi atas atau luar paksi, saiz tersedia: 5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” dan 8″, menembusi teknologi utama seperti sebagai penindasan kecacatan, pemprosesan kristal benih dan pertumbuhan pesat, menggalakkan penyelidikan dan pembangunan asas berkaitan epitaksi silikon karbida, peranti, dsb.

     

  • Germanium Wafer
    Baca Lebih

    Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
    PAM-XIAMEN menawarkan 2”, 3”, 4” dan 6” wafer germanium, yang merupakan singkatan kepada wafer Ge yang ditanam oleh VGF / LEC. Wafer Germanium jenis P dan N yang didop ringan boleh juga digunakan untuk eksperimen kesan Hall. Pada suhu bilik, germanium kristal rapuh dan mempunyai keplastikan yang sedikit. Germanium mempunyai sifat semikonduktor. germanium ketulenan tinggi didopkan dengan unsur trivalen (seperti indium, galium, boron) untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis P; dan unsur pentavalen (seperti antimoni, arsenik, dan fosforus) didopkan untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis N. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron tinggi dan mobiliti lubang tinggi.

Produk Berkaitan