GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN membuat pelbagai jenis bahan semikonduktor jenis n silikon doped III-V epi wafer berdasarkan Ga, Al, In, As dan P yang ditanam oleh MBE atau MOCVD. Kami menyediakan struktur epiwafer GaAs khusus untuk memenuhi spesifikasi pelanggan, sila hubungi kami untuk maklumat lebih lanjut.

  • Penerangan

Penerangan Produk

GaAs Epi wafer 

As a leading GaAs epi wafer foundry, PAM-XIAMEN are manufacturing various types of epiwafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, which make a low gallium arsenide epi wafer defect. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities.

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epitaxial wafer:

substrat bahan Keupayaan bahan Permohonan
GaAs GaAs suhu rendah THz
GaAs GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs Schottky Diod
Dalam p InGaAs pengesan PIN
Dalam p InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs laser
GaAs GaAs / ALAS / GaAs  
Dalam p InP / InAsP / InGaAs / InAsP  
GaAs GaAs / InGaAsN / AlGaAs  
/ GaAs / AlGaAs
Dalam p InP / InGaAs / InP photodetectors
Dalam p InP / InGaAs / InP  
Dalam p InP / InGaAs  
GaAs GaAs / InGaP / GaAs / AlInP Cell solar
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP
GaAs GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs Cell solar
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
Dalam p InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703nm Laser
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs  
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs HEMT
GaAs GaAs / ALAS / GaAs / ALAS / GaAs mHEMT
GaAs GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / Jurang wafer LED, lampu keadaan pepejal
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,
/ GaAsP / GaAs / GaAs substrat 950nm, 1300nm, 1550nm Laser
GASB AlSb / GaInSb / Inas pengesan IR, PIN, sensing, cemera IR
silikon InP atau GaAs di Silicon IC kelajuan tinggi / mikropemproses
INSB Berilium didopkan INSB  
/ Undoped INSB / Te didopkan INSB /

 

Gallium arsenide is currently one of the most important compound semiconductor materials with the highest mature epi wafer technology. GaAs material has the characteristics of large forbidden band width, high electron mobility, direct band gap, high luminous efficiency. Due to all all these epi wafer advantages, GaAs epitaxy is currently the most important material used in the field of optoelectronics. Meanwhile, it is also an important microelectronic material. According to the difference in electrical conductivity, GaAs epi wafer materials can be divided into semi-insulating (SI) GaAs and semiconductor (SC) GaAs.

In the field of epitaxial wafers, the epi wafer market share of RF and laser applications is very large.

 

Untuk lebih spesifikasi terperinci, sila semak perkara berikut:

LT-GaAs epi lapisan pada GaAs substrat

InGaAs Berkembang Suhu Rendah

GaAs Schottky Diod Epitaxial Wafers

InGaAs / InP wafer epi PIN

InGaAsP / InGaAs pada substrat InP

InGaAs APD Wafers with High Performance

 

wafer GaAs / ALAS

InGaAsN epitaxially pada GaAs atau wafer InP

Struktur bagi photodetectors InGaAs

InP / InGaAs / InP epi wafer

InGaAs Struktur Wafer

AlGaP / GaAs Epi Wafer untuk your Solar

sel-sel solar tiga persimpangan

GaAs Epitaxy

GaInP / InP epi wafer

AlInP / GaAs epi wafer

 

struktur lapisan 703nm Laser

wafer 808nm laser

wafer 780nm laser

 

wafer GaAs PIN epi

GaAs / AlGaAs / GaAs epi wafer

GaAs Based Epitaxial Wafer untuk LED dan LD, sila lihat di bawah desc.
 
GaAs pHEMT epi wafer (GaAs, AlGaAs, InGaAs), sila lihat di bawah desc.
wafer GaAs mHEMT epi(MHEMT: metamorf elektron tinggi mobiliti transistor)
GaAs HBT epi wafer (GaAs HBT adalah transistor simpang dwikutub, yang terdiri daripada sekurang-kurangnya dua semikonduktor yang berbeza, yang oleh GaAs berasaskan teknologi.) Kesan medan Metal-semikonduktor transistor (MESFET)
 
kesan medan Heterojunction transistor (HFET)
elektron tinggi mobiliti transistor (HEMT)
Pseudomorphic elektron tinggi mobiliti transistor (pHEMT)
Salunan terowong cahaya (JPJ)
PIN diod
peranti kesan dewan
ubah Diod kemuatan (VCD)
GaAs substrate, 50 nm of InAlP, and then 2.5 microns of GaAs PAM210406-INALP

 

Sekarang kita senaraikan beberapa spesifikasi:

GaAs HEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Al komposisi / Dalam komposisi / rintangan Lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
5000 ~ 6500cm2 / V · S / 0.5 ~ 1.0x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 0.01 / ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
GaAs (galium arsenida) pHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Al komposisi / Dalam komposisi / rintangan Lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
5000 ~ 6800cm2 / V · S / 2.0 ~ 3.4x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 0.01 / ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
Remark:GaAs pHEMT: Compared with GaAs HEMT, GaAs PHEMT also incorporates InxGa1-xAs,where InxAs  is constrained to x < 0.3 for GaAs-based devices. Structures grown with the same lattice constant as HEMT, but different band gaps are simply referred to as lattice-matched HEMTs.
GaAs mHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Rintangan komposisi / lembaran Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan mobiliti / 2DEG Konsentrasi
teknologi pengukuran X-ray pembelauan / Eddy semasa Sila hubungi jabatan teknikal kami
Dewan Un-kenalan
injap biasa Struture bergantung Sila hubungi jabatan teknikal kami
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
toleransi yang standard ± 3% / tiada Sila hubungi jabatan teknikal kami
InP HEMT epiwafer, size:2~4inch
 Perkara   spesifikasi  Catatan
parameter Rintangan komposisi / lembaran / Dewan mobiliti Sila hubungi jabatan teknikal kami

  

Remark: GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material,a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As). The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors (FETs), and integrated circuits (ICs)

aplikasi peranti

RF Switch, Power and low-noise amplifiers, Hall sensor, modulator optik

stesen telefon bimbit atau asas: Wireless

Automotive radar, MMIC, RFIC, Fiber optik Communications

GaAs Epi Wafer untuk LED serie / IR:

Huraian 1.General:

1.1 Kaedah Pertumbuhan: MOCVD
1.2 GaAs epi wafer for Wireless Networking

1.3wafer GaAs epi bagi LED/ IR dan LD / PD

2.Epi ciri-ciri komputer wafer:

2.1 Saiz Wafer: 2 "diameter

2.2 GaAs Epi Wafer Structure(from top to bottom):

P + GaAs

p-Jurang

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Buffer

GaAs substrat

3.Chip sepcification (Base pada 9mil * cip 9mil)

3.1 Parameter

Chip Saiz 9mil * 9mil

Ketebalan 190 ± 10um

diameter elektrod 90um ± 5um

3.2 aksara optik elctric (Ir = 20mA, 22 ℃)

Panjang gelombang 620 ~ 625nm

voltan hadapan 1.9 ~ 2.2V

Reverse ≥10v voltan

Reverse 0-1uA semasa

3.3 Light aksara intensiti (Ir = 20mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer avelength

Perkara

Unit

Merah

Kuning

Kuning hijau

Penerangan

Gelombang Panjang (λD)

nm

585.615.620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

IF = 20mA

Kaedah pertumbuhan: MOCVD, MBE

epitaxy = pertumbuhan filem dengan hubungan yang kristalografi antara filem dan substrat homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = filem dan substrat adalah bahan yang sama heteroepitaxy = filem dan substrat adalah bahan-bahan yang berbeza. untukmaklumat lanjut kaedah pertumbuhan, sila klik berikut:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

Awak juga mungkin menyukai…