Perkhidmatan Fabrikasi GaN untuk Peranti HEMT

Perkhidmatan Fabrikasi GaN untuk Peranti HEMT

Bekalan PAM-XIAMENWafer epitaxial GaN HEMTdan perkhidmatan fabrikasi GaN. Perkhidmatan fabrikasi GaN kami yang dibekalkan termasuk proses hadapan dan proses belakang. Butiran lanjut tentang proses fabrikasi GaN untuk HEMT sila lihat di bawah:

GaN HEMT Wafer untuk kuasa, peranti RF

1. Perkhidmatan OEM – Wafer Epitaxial GaN berasaskan Si untuk Peranti Elektronik Kuasa dan RF

Fab GaN kami boleh epitaksi wafer GaN 4-8 inci, yang sesuai untuk kuasa, peranti elektronik RF mengikut keperluan struktur OEM anda. 

2. Perkhidmatan Faundri Cip GaN untuk Peranti Kuasa dan RF

Kami boleh membekalkan fotolitografi, etsa ion reaktif, etsa ion reaktif (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4), penyejatan rasuk elektron (Au, Ni, Cr, Al, Ti), penyejatan rasuk elektron (ITO), penyepuhlindapan pantas, Perkhidmatan CMP (penipisan, pengisaran, penggilap) dan lain-lain untuk proses fabrikasi GaN peranti HEMT.

2.1 Fotolitografi

Kami boleh mengawal fotolitografi dengan tepat dengan 1μm untuk wafer GaN dalam saiz 4 inci dan ke bawah. Kami juga boleh melakukan fotolitografi dengan tepat berdasarkan permintaan anda.

2.2 Goresan Plasma (ICP) Berganding Secara Induktif

Kita boleh melakukan etsa corak untuk bahan GaN, AlN dan AlGaN.

2.3 Goresan Ion Reaktif (RIE)

Kita boleh mendepositkan filem nipis SiO2 dan SiNx pada wafer GaN HEMT melalui etsa corak.

Peralatan Fabrikasi GaN - RIE

2.4 Pemendapan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD)

Kita boleh epitaksi filem SiO2 atau SiNx yang seragam, padat dan boleh dikawal ketebalan pada permukaan GaN HEMT epi 6 inci dan ke bawah oleh pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan Plasma.

2.5 Salutan penyejatan rasuk elektron (E-Beam)

Bahan sasaran dibombardir oleh pancaran elektron senapang elektron, dan filem ITO (Au, Ni, Cr, Al, Ti, dll) disejat pada permukaan GaN.

Atau lakukan pemendapan wap bagi filem logam seperti Ag dan Pt.

2.6 Penyepuhlindapan Pantas (RTA)

Kami boleh melakukan penyepuhlindapan pantas berdasarkan keperluan anda, memilih gas seperti N2 dan O2 untuk dipadankan dengan keperluan proses anda.

Pada masa ini, untuk mencapai keperluan elektrik peranti GaN yang anda perlukan, kami akan menetapkan kadar pemanasan dan penyejukan yang berbeza, suhu penyepuhlindapan dan masa untuk mengadun dan menggabungkan elektrod logam.

3. Perkhidmatan Ujian GaN

Kami membekalkan perkhidmatan ujian untuk wafer epitaxial GaN bagi memastikan kualiti proses fabrikasi GaN, iaitu:

3.1 Ujian XRD Bahan Filem Nipis Semikonduktor

Kami menggunakan pengimbasan ω untuk mengimbas satah kristal berbeza daripada bahan HEMT filem nipis GaN 2-4 inci. Berdasarkan prinsip pengimejan ruang penyongsangan ujian lengkung goyang, kami akan mencapai ukuran pemetaan ruang penyongsangan, mendapatkan komposisi dan tegasan AlGaN, dan ukuran ketebalan filem.

3.2 Ujian AFM untuk Epiwafer

Terdapat 2 mod untuk ujian AFM: satu mengetik dan satu lagi adalah kenalan. AFM dilengkapi dengan modul C-AFM boleh mengesan topografi permukaan GaN dan juga boleh menyiasat saluran semasa dalam GaN.

Fungsi kerja bahan logam dan potensi permukaan semikonduktor GaN boleh diuji oleh KPFM. Manakala daya geseran domain mikro pada epi GaN boleh diukur dengan fungsi LFM. Untuk pengedaran domain magnetik, kita boleh menggunakan fungsi MFM untuk menguji.

Peralatan Fabrikasi GaN - AFM

3.3 Pengimbas Pengimbasan Spektrum PL Wafer Epitaxial

Pengimejan pengimbasan spektrum PL wafer epitaxial kami dalam faundri boleh menguji wafer semikonduktor di bawah saiz 6 inci.

Kandungan ujian termasuk ketebalan filem epitaxial dan pemantulan (PR); memaparkan dan mengeluarkan nilai purata bagi setiap parameter yang diukur (Min), min ralat kuasa dua (Std), kadar sisihan piawai (CV) dan lain-lain. Selain itu, ujian boleh menunjukkan taburan pemetaan setiap parameter dan ledingan wafer.

3.4 Mikroskop Daya Probe Kelvin

Mikroskop daya atom mempunyai fungsi ujian KPFM. Ia boleh mengukur fungsi kerja bahan logam dan potensi permukaan wafer GaN HEMT. Ia boleh menguji perubahan potensi permukaan peranti HEMT di bawah pencahayaan apabila dipasang dengan sistem ujian bantuan cahaya.

3.5 Ujian Kesan Dewan Suhu Tinggi dan Rendah

Pengukuran Dewan suhu tinggi bagi bahan filem nipis semikonduktor tersedia. Suhu ujian ialah 90-700K, dan kekuatan medan magnet magnet ialah 0.5 T, rintangan lembaran diukur maksimum ialah 10^11 ohm/sq, arus ujian minimum ialah 1μA, julat DC adalah dari 1μA hingga 20 mA, dan mod AC juga tersedia (sampel rintangan tinggi tidak boleh diukur dalam mod AC).

3.6 Spektrum Transien Tahap Dalam

Kami membekalkan spektroskopi sementara tahap dalam suhu tinggi dan ujian spektroskopi sementara tahap dalam berbantukan cahaya, yang boleh mengesan tahap tenaga dalam semikonduktor dan keadaan antara muka sederhana dan mengesan kekotoran dan kecacatan. Spektrum sementara tahap dalam boleh diberikan untuk mencirikan jurang jalur semikonduktor Spektrum kekotoran DLTS, tahap kecacatan dalam dan keadaan antara muka dalam taburan dengan suhu.

3.7 Ujian Pengangkutan Kuantum

Kami mempunyai suhu rendah dan ujian pengangkutan kuantum medan magnet yang kuat, ujian rintangan magneto talian dan ujian Dewan. Sampel adalah Mula-mula ukur suhu pembolehubah IV, dan kemudian ukur rintangan magneto. Julat pengukur magneto-resistif ialah 0.1ohm-100ohm.

Untuk semikonduktor III-V, mobiliti sampel dan perubahan kepekatan elektron dengan suhu boleh diuji dengan suhu rendah dan pengukuran Dewan medan magnet yang kuat.

Untuk sampel kuantiti kesan sub-kurung seperti gas elektron dua dimensi, medan magnet panas rendah dan kuat boleh membawa kepada pembelahan Zeeman, jadi kesan kuantum seperti ayunan SdH boleh diukur dan sifat pengangkutan subband yang berbeza (kepekatan elektron mobiliti Belanja ) boleh diperolehi.

3.8 Analisis Parameter Elektrik Bahan dan Struktur Filem Nipis Semikonduktor

Analisis parameter elektrik bahan dan struktur filem nipis semikonduktor disediakan. Kami menganalisisnya berdasarkan parameter elektrik berikut

Penunjuk unit ukuran sumber DC: voltan maksimum 210V, arus maksimum 100mA, kuasa maksimum 2W; penunjuk unit pengukuran nadi: frekuensi penjana nadi sistem: 50MHz-1Hz; lebar nadi minimum: 10ns; voltan nadi maksimum: 80V, -40V-40V.

3.9 Spektrometer Raman Dipertingkat Tip

Kami boleh melakukan ujian Raman kawasan mikro, memiliki spektrometer Raman (TERS) yang dipertingkatkan tip Neaspec, dengan resolusi spatial 10nm dan peningkatan keamatan Raman.

Peralatan ujian adalah lebih daripada 1000 kali lebih kuat, dan boleh mengukur kekuatan medan hampir dan keyakinan bit perintah ketiga atau lebih.

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini