Wafer LED Mikro Berdasarkan Substrat GaN Pukal

PAM-XIAMEN offers high-quality GaN-on-GaN Wafer yang dipimpin mikrodengan parameter tertentu seperti berikut. GAN diiktiraf secara meluas sebagai bahan substrat yang paling sesuai untuk pertumbuhan filem epitaxial GaN. Penggunaan pertumbuhan epitaxial homogen secara asasnya menangani ketidakcocokan kekisi dan isu -isu ketidakcocokan haba yang biasa dihadapi dengan substrat heterogen. Dengan meminimumkan tekanan yang disebabkan oleh perbezaan sifat bahan semasa proses pertumbuhan, GAN-on-GAN membolehkan pembentukan lapisan epitaxial GAN berkualiti tinggi yang mengatasi mereka yang ditanam pada substrat heterogen.

Wafer yang dipimpin mikro

1. Spesifikasi wafer EPI yang diketuai oleh mikro pada substrat gan pukal

Perkara	Gan-on-on-on-micro yang diketuai wafer untuk cahaya hijau dan biru
diameter	2 & 4 inci
substrat
Bahan	N taip fs gan
Orientasi	C Plane (0001) OFF sudut ke arah M-0.55 ± 0.15 °
Permukaan Selesai	SSP, DSP
Lapisan Epi
struktur	pgan/mqws/ngan
ketebalan	3.2 ± 0.5um
Kekasaran permukaan	<0.5nm
Ketumpatan Dislokasi	5*10⁷cm^-2
Zarah (> 20um)	<5pcs
panjang gelombang	Biru: 465 ± 10nm; Hijau: 525 ± 10nm
FWHMS panjang gelombang	Biru: <20nm; Hijau: <35nm

2. Perbandingan antara Gan-on-Sapphire dan Gan-on-Gan LED wafer

Pilihan substrat memainkan peranan penting dalam menentukan prestasi LED berasaskan GAN. Pada masa ini, lapisan pemancar cahaya di LED GAN biasanya terdiri daripada bahan GaN dan Indium Gallium Nitride (INGAN) dan epitaxially ditanam pada substrat sapphire atau silikon.

Walau bagaimanapun, pertumbuhan heteroepitaxial pada nilam atau silikon memperkenalkan cabaran yang signifikan akibat ketidakcocokan kekisi, mengakibatkan kepadatan kecacatan yang sangat tinggi (~ 10⁹-10¹⁰cm^-²) dalam filem nitrida. Kecacatan ini menyumbang kepada kecekapan LED yang dikurangkan dan prestasi peranti keseluruhan.

Pengukuran AFM (Rajah 1) membandingkan lapisan bercahaya LED biru yang ditanam pada substrat nilam dan GaN mendedahkan perbezaan yang menarik. Pada substrat nilam, lapisan bercahaya penuh dengan kecacatan, dan sebagai ketebalan kuantum (QW) meningkat dari 2.7 nm hingga 15 nm, saiz kecacatan tumbuh lebih besar. Sebaliknya, pada substrat GaN, walaupun pada ketebalan QW 15 nm, permukaannya kekal kurang kecacatan dan agak lancar.

Rajah 1 AFM wafer yang diketuai mikro pada substrat nilam dan GaN

Rajah 1 AFM wafer yang diketuai mikro pada substrat nilam dan GaN: (a) 2.7 nm QW, (b) 6.0 nm QW, (c) 15.0 nm QW

Tambahan pula, analisis keratan rentas TEM (Rajah 2) lapisan luminescent Gan-on-Gan menunjukkan bahawa antara muka antara kuantum sumur dan penghalang kuantum kekal lancar walaupun pada ketebalan 15 nm QW. Ini menunjukkan bahawa struktur Gan-on-gan mencapai kualiti bahan yang unggul, bebas daripada isu-isu ketidakcocokan kekisi yang lazim dalam pertumbuhan Gan-on-sapphire.

Rajah 2 TEM rentas lapisan luminescent LED biru ditanam pada substrat pukal GaN

Di samping itu, Gan-on-GAN mengurangkan kesan medan polarisasi yang disebabkan oleh ketidakcocokan kekisi, yang merupakan satu lagi batasan Gan-on-sapphire. Dengan mengurangkan kesan ini, GAN-on-GAN meningkatkan kecekapan kuantum dan prestasi LED secara keseluruhan.

3. Kelebihan penyediaan peranti pada wafer yang dipimpin oleh mikro Gan-on-on

Gan-on-Gan menyediakan beberapa kelebihan utama yang meningkatkan prestasi peranti dan memudahkan proses pembuatan:

1) Kelayakan struktur menegak
Substrat GAN N-jenis konduktif dalam GAN-on-GAN membolehkan pengeluaran struktur menegak. Ini menghapuskan keperluan untuk proses ablasi laser yang diperlukan dalam struktur menegak berasaskan nilam, memudahkan pembuatan, mengurangkan kos, dan meningkatkan hasil.

2) Pengekstrakan cahaya yang dipertingkatkan

Permukaan N muka di belakang substrat GAN membolehkan etsa basah untuk menghasilkan struktur piramid, meningkatkan kecekapan pengekstrakan cahaya. Ini penting untuk mengoptimumkan kecerahan dan kecekapan peranti, terutamanya dalam LED berprestasi tinggi.

3) Keseragaman paparan dan kecerahan yang unggul

Gan-on-Gan mempamerkan keseragaman paparan yang lebih baik dan kecerahan yang lebih tinggi berbanding dengan Gan-on-Sapphire. Kelebihan ini menjadikan paparan Gan-on-on-on-GAN yang sesuai untuk aplikasi di bawah cahaya ambien yang kuat, seperti peranti AR/MR.

4) Ketumpatan kecacatan yang dikurangkan

GAN-on-GAN dengan ketara mengurangkan ketumpatan kehelan, menangani pusat rekombinasi bukan radiasi yang biasanya mengehadkan kecekapan peranti. Ini diterjemahkan kepada kecekapan kuantum yang lebih tinggi, prestasi terma yang lebih baik, dan kebolehpercayaan peranti yang lebih baik.

Sama ada anda memerlukan wafer gan untuk penyelidikan atau untuk aplikasi perindustrian, sila hubungi kami e -mel di[email protected] dan [email protected].