PAM-XIAMEN menawarkan wafer GaN pada Si HEMT untuk mod Kuasa, D. Kerana struktur heterojunction GaN dan AlGaN, HEMT GaN pada struktur Substrat Si mempunyai satu sifat penting mobiliti elektron yang tinggi. Wafer HEMT Si boleh digunakan untuk fabrikasi peranti serta pemantauan proses. Maklumat lebih khusus tentang struktur wafer 2DEG HEMT, sila lihat di bawah:
1.Struktur GaN pada Si HEMT Epi Wafer
1.1 D-MODE GaN pada Struktur Wafer HEMT Silikon
| Saiz wafer | 2″, 4″, 6″,8″ |
| struktur AlGaN / Gan HEMT | rujuk 1.2 |
| Ketumpatan pembawa | >9E12 cm2 |
| Mobiliti dewan | / |
| Kerintangan Lembaran | / |
| AFM RMS (nm）daripada 5x5um2 | <0.25nm |
| Tunduk(um) | <=30um |
| pengecualian Edge | <5mm |
| Lapisan pasif SiN | 0~5nm |
| Lapisan penutup u-GaN | 2nm |
| Al komposisi | 20-30% |
| Lapisan penghalang AlGaN | / |
| saluran GaN | / |
| penimbal AlGaN | / |
| AlN | / |
| Bahan substrat | Substrat silikon |
| Ketebalan wafer Si (μm) | 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
1.2 AlGaN/GaN pada Struktur Si HEMT
1.3 GaN pada Si HEMT Epitaxy
PAM160623-HEMT
| Timbunan Lapisan Epi Atas | Parameter |
| Jenis Substrat | Silikon <111> +/- 0.5º |
| Penampan Voltan Tinggi | 3 hingga 5.5µm |
| Saluran GaN | GaN (penjual ketebalan untuk ditentukan) |
| Lapisan Penghalang | AlGaN |
| Lapisan Cap (untuk AlGaN) | SiN |
| Wafer Bow | +/- 50µm maks |
| Pengecualian Edge | 5 mm |
| Menegak / Sisi Pecah voltan | > 1000 V |
| Arus Kebocoran Menegak | <100nA / mm pada 600V |
| Mobiliti Elektron (AlGaN) | / |
| Ketumpatan Caj Helaian (AlGaN) | / |
| Kerintangan Lembaran | <400 ohm/Petak |
| Substrat | |
| Bahan | Silicon |
| orientasi | <111> |
| Saiz | 6 inci (150mm) Separa Piawai |
| Kaedah Pertumbuhan Kristal | CZ |
| Jenis | Jenis-P |
| Bahagian belakang | kasar |
| ketebalan | 675+/-25um |
Kindly note for the wafer inspection:
1/For AlGaN content uniformity, AlGaN thickness uniformity, and pGaN content uniformity of GaN/Si HEMT wafer, the data we provided are multi-point.
2/As for particles on Gan on Si wafer, our detection equipment can identify the particles with diameter >10um and the less than 200 particles with diameter >10um;
3/We provide sample test data of the GaN HEMT wafer when shipping.
2. What is a D Mode GaN HEMT ?
Antara muka antara bahan AlGaN dan GaN dalam GaN pada Siwafer epitaxial HEMTmembentuk lapisan elektron mobiliti tinggi yang dipanggil "gas elektron dua dimensi (2DEG)" disebabkan oleh kekutuban kristal, yang membentuk lapisan semula jadi antara sumber dan longkang GaN pada peranti kuasa Si. Saluran tersebut memberikan GaN HEMT sifat biasa yang wujud, iaitu peranti mod penyusutan (jenis D).
Ciri biasa hidup adalah penghalang utama untuk aplikasi GaN pada Si HEMT, kerana dalam penukar kuasa apabila pemacu get mengeluarkan voltan sifar, suis mesti disimpan dalam keadaan biasa mati, dan pintu matikan negatif voltan GaN HEMT memerlukan kerumitan litar pemacu get yang lebih tinggi, dan juga meningkatkan risiko kegagalan litar. Oleh itu, HEMT GaN jenis D dan MOSFET jenis E voltan rendah berasaskan silikon biasanya dibungkus bersama untuk membentuk peranti cascode. Voltan sumber parit MOSFET menentukan voltan sumber get HEMT, membentuk peranti yang dimatikan secara normal, dan litar pemanduannya boleh digerakkan oleh peranti berasaskan silikon tradisional.
3. FAQ for D Mode GaN on Silicon HEMT Wafer
Q1: In the quotation for GaN on Si wafers for power I saw that the AlGaN has both a GaN and a Si3Nx cap.
Is this Si3Nx cap grown in-situ or is it deposited later?
Also, If it is in-situ, is it possible to get a 3nm Si3Nx cap without a GaN cap?
A: The Si3Nx cap of GaN on Si HEMT epitaxial wafer grown is In-situ.
Yes, 3nm Si3Nx cap without a GaN cap is available.
Q2: For Si based GaN HEMT epitaxial wafer, when the Gate Voltage is not applied, the D-mode wafer is in the normally open state of the Channel, and the E-mode one is in the closed state of the Channel. Can I understand it this way?
A: Yes, your understanding is right.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.