Apa yang kami sediakan:
Perkara | N- yang tidak diendahkan | Si didop N + | Semi-penebat | P+ |
Freestanding Gan substrat | yes | yes | yes | |
GaN pada nilam | yes | yes | yes | yes |
InGaN pada nilam | yes | *** | ||
AlN pada nilam | yes | |||
Wafer LED | (p + GaN / MOW / N + GaN / N-AlGaN / N + GaN / N-GaN / safir) |
Substrat GaN bebas / GaN pada wafer safir / LED:
Untuk spesifikasi substrat GaN Freestanding / GaN pada wafer safir / LED, sila lihatWafer Gallium Nitride:
http://www.qualitymaterial.net/products_7.html
InGaN di Sapphire:
Untuk spesifikasi InGaN pada templat safir, lihat permintaanSubstrat InGaN:
https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html
AlN di Sapphire:
Untuk spesifikasi AlN pada templat safir, lihat permintaanSubstrat AlN:
http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html
AlGaN / GaN di Sapphire:
Untuk templat AlGaN / GaN pada safir, sila lihatAlGaN / GaN:
https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html
Pemalar kisi substrat GaN
Parameter kisi gallium nitrida diukur dengan menggunakan difraksi sinar-x beresolusi tinggi
GaN, struktur Wurtzite. Kekisi pemalar berbanding suhu.
GaN, struktur Wurtzite. Pemalar kisi c berbanding suhu
Hartanah dariGan substrat
HARTA / BAHAN | Cubic (Beta) GaN | Hexagonal (Alpha) GaN |
. | . | . |
struktur | Zinc Blende | Wurzite |
Kumpulan Angkasa | F bar4 3m | C46v(= P63mc) |
kestabilan | Meta-stabil | Stabil |
Parameter Kisi pada 300K | 0.450 nm | a0 = 0.3189 nm |
c0 = 0.5185 nm | ||
Ketumpatan pada 300K | 6.10 g.cm-3 | 6.095 g.cm-3 |
Moduli elastik pada 300 K | . . . | . . . |
Koef Pengembangan Termal Linear. | . . . | Sepanjang a0: 5.59 × 10-6K-1 |
pada 300 K | Sepanjang c0: 7,75 × 10-6K-1 | |
Polarisasi Spontan yang Dikira | Tidak berkaitan | - 0,029 C m-2 |
Bernardini et al 1997 | ||
Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
Pekali Piezo-elektrik yang dikira | Tidak berkaitan | e33 = + 0,73 C m-2 |
e31 = - 0,49 C m-2 | ||
Bernardini et al 1997 | ||
Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
A1 (TO): 66.1 meV | ||
E1 (HINGGA): 69.6 meV | ||
Tenaga Phonon | HINGGA: 68.9 meV | E2: 70.7 meV |
LO: 91.8 meV | A1 (LO): 91.2 meV | |
E1 (LO): 92.1 meV | ||
Suhu Debye | 600K (anggaran) | |
Slack, 1973 | ||
. . . | Unit: Wcm-1K-1 | |
1.3, | ||
Tansley et al 1997b | ||
2.2 ± 0.2 | ||
untuk GaN yang tebal dan bebas | ||
Vaudo et al, 2000 | ||
2.1 (0.5) | ||
untuk bahan LEO | ||
di mana beberapa (banyak) kehelan | ||
Kekonduksian terma | Florescu et al, 2000, 2001 | |
berhampiran 300K | ||
sekitar 1.7 hingga 1.0 | ||
untuk n = 1 × 1017hingga 4 × 1018cm-3 | ||
dalam bahan HVPE | ||
Florescu, Molnar et al, 2000 | ||
2.3 ± 0.1 | ||
dalam bahan HVPE-doped Fe | ||
kira-kira 2 x108 ohm-cm, | ||
& ketumpatan kehelan kira-kira. 105cm-2 | ||
(kesan ketumpatan T & dislokasi juga diberikan). | ||
Mion et al, 2006a, 2006b | ||
Takat lebur | . . . | . . . |
Constant dielektrik | . . . | Sepanjang a0: 10.4 |
pada Frekuensi Rendah / Rendah | Sepanjang c0: 9.5 | |
Indeks biasan | 2.9 pada 3eV | 2.67 pada 3.38eV |
Tansley et al 1997b | Tansley et al 1997b | |
Jurang Tenaga Alam Cth | Langsung | Langsung |
Jurang Tenaga Cth pada 1237K | 2.73 eV | |
Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
Jurang Tenaga Cth pada 293-1237 K | 3.556 - 9.9 × 10-4T2 / (T + 600) eV | |
Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
Jurang Tenaga Cth 300 K | 3.23 eV | 3.44 eV |
Ramirez-Flores et al 1994 | Monemar 1974 | |
. | . | |
3.25 eV | 3.45 eV | |
Logothetidis et al 1994 | Koide et al 1987 | |
. | ||
3.457 eV | ||
Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
Jurang Tenaga Cth. 0 K | 3.30 eV | 3.50 eV |
Ramirez-Flores et al1994 | Dingle et al 1971 | |
Ploog et al 1995 | Monemar 1974 | |
Ringkas Pembawa Intrinsik. pada 300 K | . . . | . . . |
Tenaga Pengionan. . . Penderma | . . . . | . . . . |
Jisim elektron berkesan*/ m0 | . . . | 0.22 |
Moore et al, 2002 | ||
Mobiliti Elektron pada 300 K | . . . | . |
untuk n = 1 × 1017cm-3: | kira-kira 500 sm2V-1s-1 | |
untuk n = 1 × 1018cm-3: | kira-kira 240 sm2V-1s-1 | |
untuk n = 1 × 1019cm-3: | kira-kira 150 sm2V-1s-1 | |
Rode & Gaskill, 1995 | ||
Tansley et al 1997a | ||
Mobiliti Elektron pada 77 K | . . . . | . . . . |
untuk n =. . | ||
Tenaga Pengionan Penerima | . . . | Mg: 160 meV |
Amano et al 1990 | ||
Mg: 171 meV | ||
Zolper et al 1995 | ||
Ca: 169 meV | ||
Zolper et al 1996 | ||
Mobiliti Dewan Lubang pada 300 K | . . . | . . . . |
untuk p =. . . | ||
Mobiliti Dewan Lubang pada 77 K | . . . . | . . . |
untuk p =. . . | ||
. | Cubic (Beta) GaN | Hexagonal (Alpha) GaN |
Pemakaian substrat GaN
Gallium nitrida (GaN), dengan jurang pita langsung 3,4 eV, adalah bahan yang menjanjikan dalam pengembangan peranti pemancar cahaya panjang gelombang pendek. Aplikasi peranti optik lain untuk GaN termasuk laser semikonduktor dan pengesan optik.