Gan substrat

Gan substrat

Apa yang kami sediakan:

Perkara N- yang tidak diendahkan Si didop N + Semi-penebat P+
Freestanding Gan substrat yes yes yes
GaN pada nilam yes yes yes yes
InGaN pada nilam yes ***
AlN pada nilam yes
Wafer LED (p + GaN / MOW / N + GaN / N-AlGaN / N + GaN / N-GaN / safir)

Substrat GaN bebas / GaN pada wafer safir / LED:

 

Untuk spesifikasi substrat GaN Freestanding / GaN pada wafer safir / LED, sila lihatWafer Gallium Nitride:

http://www.qualitymaterial.net/products_7.html

 

InGaN di Sapphire:

 

Untuk spesifikasi InGaN pada templat safir, lihat permintaanSubstrat InGaN:

https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html

 

AlN di Sapphire:

 

Untuk spesifikasi AlN pada templat safir, lihat permintaanSubstrat AlN:

http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html

 

AlGaN / GaN di Sapphire

 

Untuk templat AlGaN / GaN pada safir, sila lihatAlGaN / GaN:

https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html

Pemalar kisi substrat GaN

Parameter kisi gallium nitrida diukur dengan menggunakan difraksi sinar-x beresolusi tinggi

GaN, struktur Wurtzite. Kekisi pemalar berbanding suhu.

GaN, struktur Wurtzite. Pemalar kisi c berbanding suhu

Hartanah dariGan substrat

HARTA / BAHAN Cubic (Beta) GaN Hexagonal (Alpha) GaN
. . .
struktur Zinc Blende Wurzite
Kumpulan Angkasa F bar4 3m C46v(= P63mc)
kestabilan Meta-stabil Stabil
Parameter Kisi pada 300K 0.450 nm a0 = 0.3189 nm
c0 = 0.5185 nm
Ketumpatan pada 300K 6.10 g.cm-3 6.095 g.cm-3
Moduli elastik pada 300 K . . . . . .
Koef Pengembangan Termal Linear. . . . Sepanjang a0: 5.59 × 10-6K-1
pada 300 K Sepanjang c0: 7,75 × 10-6K-1
Polarisasi Spontan yang Dikira Tidak berkaitan - 0,029 C m-2
Bernardini et al 1997
Bernardini & Fiorentini 1999
Pekali Piezo-elektrik yang dikira Tidak berkaitan e33 = + 0,73 C m-2
e31 = - 0,49 C m-2
Bernardini et al 1997
Bernardini & Fiorentini 1999
A1 (TO): 66.1 meV
E1 (HINGGA): 69.6 meV
Tenaga Phonon HINGGA: 68.9 meV E2: 70.7 meV
LO: 91.8 meV A1 (LO): 91.2 meV
E1 (LO): 92.1 meV
Suhu Debye 600K (anggaran)
Slack, 1973
. . . Unit: Wcm-1K-1
1.3,
Tansley et al 1997b
2.2 ± 0.2
untuk GaN yang tebal dan bebas
Vaudo et al, 2000
2.1 (0.5)
untuk bahan LEO
di mana beberapa (banyak) kehelan
Kekonduksian terma Florescu et al, 2000, 2001
berhampiran 300K
sekitar 1.7 hingga 1.0
untuk n = 1 × 1017hingga 4 × 1018cm-3
dalam bahan HVPE
Florescu, Molnar et al, 2000
2.3 ± 0.1
dalam bahan HVPE-doped Fe
kira-kira 2 x108 ohm-cm,
& ketumpatan kehelan kira-kira. 105cm-2
(kesan ketumpatan T & dislokasi juga diberikan).
Mion et al, 2006a, 2006b
Takat lebur . . . . . .
Constant dielektrik . . . Sepanjang a0: 10.4
pada Frekuensi Rendah / Rendah Sepanjang c0: 9.5
Indeks biasan 2.9 pada 3eV 2.67 pada 3.38eV
Tansley et al 1997b Tansley et al 1997b
Jurang Tenaga Alam Cth Langsung Langsung
Jurang Tenaga Cth pada 1237K 2.73 eV
Ching-Hua Su et al, 2002
Jurang Tenaga Cth pada 293-1237 K 3.556 - 9.9 × 10-4T2 / (T + 600) eV
Ching-Hua Su et al, 2002
Jurang Tenaga Cth 300 K 3.23 eV 3.44 eV
Ramirez-Flores et al 1994 Monemar 1974
. .
3.25 eV 3.45 eV
Logothetidis et al 1994 Koide et al 1987
.
3.457 eV
Ching-Hua Su et al, 2002
Jurang Tenaga Cth. 0 K 3.30 eV 3.50 eV
Ramirez-Flores et al1994 Dingle et al 1971
Ploog et al 1995 Monemar 1974
Ringkas Pembawa Intrinsik. pada 300 K . . . . . .
Tenaga Pengionan. . . Penderma . . . . . . . .
Jisim elektron berkesan*/ m0 . . . 0.22
Moore et al, 2002
Mobiliti Elektron pada 300 K . . . .
untuk n = 1 × 1017cm-3: kira-kira 500 sm2V-1s-1
untuk n = 1 × 1018cm-3: kira-kira 240 sm2V-1s-1
untuk n = 1 × 1019cm-3: kira-kira 150 sm2V-1s-1
Rode & Gaskill, 1995
Tansley et al 1997a
Mobiliti Elektron pada 77 K . . . . . . . .
untuk n =. .
Tenaga Pengionan Penerima . . . Mg: 160 meV
Amano et al 1990
Mg: 171 meV
Zolper et al 1995
Ca: 169 meV
Zolper et al 1996
Mobiliti Dewan Lubang pada 300 K . . . . . . .
untuk p =. . .
Mobiliti Dewan Lubang pada 77 K . . . . . . .
untuk p =. . .
. Cubic (Beta) GaN Hexagonal (Alpha) GaN

Pemakaian substrat GaN

Gallium nitrida (GaN), dengan jurang pita langsung 3,4 eV, adalah bahan yang menjanjikan dalam pengembangan peranti pemancar cahaya panjang gelombang pendek. Aplikasi peranti optik lain untuk GaN termasuk laser semikonduktor dan pengesan optik.

Kongsi catatan ini