Wafer Epitaxial GaN HEMT

Penerangan

Gan Hemt Epitaxial Wafer adalah filem multilayer yang ditanam epitaxially pada substrat, yang biasanya termasuk lapisan nukleasi, lapisan peralihan, lapisan penampan, lapisan saluran, lapisan penghalang, lapisan topi, dan lapisan passivasi dari bawah ke atas. Lapisan nukleasi, seperti Algan atau Aln, digunakan untuk mencegah bahan substrat dari meresap ke lapisan epitaxial GAN. Lapisan peralihan mungkin mengandungi algan hierarki, aln/gaN superlattice atau multilayer ALN untuk mengimbangi tekanan antara GAN dan substrat. Semakin tinggi kandungan AL dalam lapisan penghalang Algan, semakin tinggi kepekatan 2DEG pada heterojunction. Sementara itu, semakin rendah voltan ambang peranti, dan semakin tinggi kapasiti semasa. Apabila nisbah AL meningkat, tahap ketidakcocokan kekisi kristal heterogen akan lebih tinggi, mengakibatkan penurunan mobiliti elektron hemt nitrida dan penurunan kapasiti semasa.

Transistor mobiliti elektron yang tinggi (HEMT) dibangunkan berdasarkan GAN dengan heterostruktur yang unik dan gas elektron dua dimensi. Kelebihan GaN Hemt termasuk kekuatan pecahan yang tinggi, rintangan yang rendah dan lebih cepat kelajuan beralih, yang sangat sesuai untuk voltan sederhana dan rendah dan sederhana dan kecil sistem kuasa, seperti penyesuai perjalanan, pengecas tanpa wayar, penukar ac-dc, peralatan rumah pintar, dan sebagainya. Teknologi Gallium Nitride Hemt Epi, harga peranti Gan Hemt akan bersaing, yang boleh mendapat pasaran Gan Hemt yang besar untuk pengeluar Gan Hemt. Selain itu, disebabkan kebolehpercayaan hemt nitrida gallium, ia boleh digunakan secara meluas dalam bidang perindustrian, seperti penyongsang fotovoltaik, sistem penyimpanan tenaga, dan kenderaan elektrik.

1. Gan Hemt Bahan: Saiz Tersedia: 2 ", 4", 6 ", 8":

Parameter yang lebih spesifik Gallium Nitride Hemt Wafer untuk D-Mode GaN HEMTS, E-Mode GaN Hemts, GaN Hemt Power Amplifier dan RF, sila rujuk:

GaN pada Si untuk Kuasa, mod D

GaN pada Si untuk Kuasa, E-mod

GaN pada Si untuk RF

GaN pada Sapphire for Power

Gan di Sapphire untuk RF

GaN pada SiC untuk RF

Gan pada Gan

Kami pakar dalam struktur HEMT, kami juga menawarkan wafer Gan Hemt Epi selama bertahun -tahun.
Untuk substrat silikon, kita perlu tahu jika anda menanam gan hemt pada silikon untuk kuasa atau RF, ia berbeza. Sekiranya diperlukan, sila hubungi[email protected]untuk butiran.
Bagi SIC, anda harus menggunakan separuh penebat.
Atau anda boleh membeli struktur Algan/Gan Hemt pada ketiga -tiga struktur ini dari kami.

2. Sekarang kami menunjukkan contoh seperti berikut:

2.1 2 "(50.8mm) gan hemt epitaxial wafer

Kami menawarkan 2 "(50.8mm) Gallium Nitride Hemt wafer, struktur gan hemt adalah seperti berikut:

Struktur (dari atas ke bawah):

*Cap Gan Undoped (2 ~ 3nm)

Alxga1-xn (18 ~ 40nm)

ALN (lapisan penampan)

gan un-doped (2 ~ 3um)

Substrat nilam

* Kita boleh menggunakan SI3N untuk menggantikan GAN di bahagian atas, lekatannya kuat, ia disalut oleh Sputter atau PECVD.

2.2 Algan/Gan Hemt Epi Wafer di Sapphire/Gan

Layer #	Komposisi	ketebalan	X	Dopant	Kepekatan pembawa
5	Gan	2nm	-	-	-
4	AlxGa1–xN	8nm	0.26	-	-
3	AlN	1nm	Un-didopkan
2	Gan	≥1000 nm	Un-didopkan
1	Lapisan penampan/peralihan	-	-
substrat	Silicon	350μm ／ 625μm	-

2.3 2 "(50.8mm), 4" (100mm) Algan/Gan Hemt Epi Wafer pada Si

2.3.1 Spesifikasi untuk Aluminium Gallium Nitride (Algan) / Gallium Nitride (Gan) Transistor Mobiliti Elektron Tinggi (HEMT) pada substrat silikon.

Keperluan	Spesifikasi
Algan/gan hemt epi wafer pada Si
Struktur Algan/Gan Hemt	rujuk 1.2
Bahan Substrat	Silicon
Orientasi	<111>
Kaedah pertumbuhan	terapung Zon
Jenis Pengaliran	P atau N
Saiz (inci)	2 ", 4"
Ketebalan (μm)	625
Bahagian belakang	kasar
Resistivity (Ω-cm)	> 6000
Bow (mikron)	≤ ± 35

2.3.2 Struktur EPI: Epilayers tanpa retak

Layer #	Komposisi	ketebalan	X	Dopant	Kepekatan pembawa
5	Gan	2nm	-	-	-
4	AlxGa1–xN	8nm	0.26	-	-
3	AlN	1nm	Un-didopkan
2	Gan	≥1000 nm	Un-didopkan
1	Lapisan penampan/peralihan	-	-
substrat	Silicon	350μm ／ 625μm	-

2.3.3 Sifat Elektrik Struktur Algan/Gan Hemt

Mobiliti 2Deg (pada 300 K): ≥1,800 cm2/vs

Ketumpatan pembawa lembaran 2deg (pada 300 K): ≥0.9 × 1013 cm-2

Kekasaran RMS (AFM): ≤ 0.5 nm (5.0 μm × 5.0 μm imbasan)

2.4 2 "(50.8mm) Algan/Gan di Sapphire

Untuk spesifikasi Algan/GAN pada Templat Sapphire, sila hubungi jabatan jualan kami: [email protected].

Aplikasi GaN HEMT:Digunakan dalam diod laser biru, LED ultraviolet (turun hingga 250 nm), dan peranti Algan/GaN HEMTS.

3. Penjelasan Algan/Al/Gan Hemts:

Nitride HEMTS sedang dibangunkan secara intensif untuk elektronik berkuasa tinggi dalam penguatan frekuensi tinggi dan aplikasi pensuisan kuasa. Selalunya prestasi tinggi dalam operasi DC hilang apabila HEMT dihidupkan-contohnya, semasa semasa runtuh apabila isyarat pintu berdenyut. Adalah difikirkan bahawa kesan sedemikian berkaitan dengan caj perangkap yang topeng kesan pintu pada aliran semasa. Plat lapangan pada sumber dan elektrod pintu telah digunakan untuk memanipulasi medan elektrik dalam peranti, mengurangkan fenomena keruntuhan semasa.

4. Gan EpitaxialTechnology - Epitaxy GaN yang disesuaikan pada substrat SIC, SI dan Sapphire untuk HEMTS, LED:

Wafer Epitaxial Gan Hemt (Gan Epi-wafer)

Pam Xiamen menawarkan pertumbuhan epitaxial algan/gan berdasarkan HEMT pada wafer SI

5. Peranti GaN:

Gan SBD

Gan HEMT

6. Peralatan pencirian ujian:

Rintangan lembaran tanpa sentuh

Pemetaan Ketebalan Filem Laser Tipis

Tempatan tinggi/kelembapan yang tinggi Bias terbalik

Kejutan terma

Mikroskop DIC Nomarski

Mikroskop daya atom (AFM)

Imbasan kecacatan permukaan

Bias terbalik temp tinggi

Rintangan lembaran 4pp

Mobiliti Dewan Tanpa Hubungan

Kitaran suhu

X-ray difraksi (XRD)/Refleksi (XRR)

Ketebalan ellipsometer

Profilometer

CV Tester

7. Fabrikasi Faundri:

kami juga menawarkan faundriGaN HEMTFabrikasi dalam proses berikut seperti berikut:

Epitaxy MOCVD

Metal Sputtering/E-Beam

Etch logam kering/basah/dielektrik

Filem nipis pecvd/lpcvd/sputtering

RTA/Relau Annealing

Fotolitografi (0.35um min. CD)

Implantasi ion

 

Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!

Lebih banyak perkhidmatan fabrikasi, sila lawati:Perkhidmatan Fabrikasi GAN untuk Peranti HEMT

Wafer epi GaN/SiC HEMT

Aluminium gallium arsenide epi wafer

Cip 650v gan fets untuk caj pantas

Struktur MOSFET GaN:

Struktur MOSFET GAN pada substrat SIC

Lebih banyak mengenai struktur gan hemt, sila baca:

Apa yang mempengaruhi 2deg Algan/Gan Hemt Wafer?