Freestanding Gan substrat

Penerangan Produk

Freestanding Gan substrat

Sebagai pembekal substrat GaN terkemuka, PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk berdiri bebas (Gallium Nitride)wafer substrat GaNyang merupakan substrat GaN Pukal untuk UHB-LED, LD dan fabrikasi sebagai peranti berasaskan MOS. Dikembangkan oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), kamiGan substratuntuk peranti III-nitrida mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah dan ketumpatan kecacatan makro yang kurang atau bebas. Ketebalan substrat GaN ialah 330~530μm.

Sebagai tambahan kepada peranti kuasa, substrat semikonduktor galium nitrida semakin digunakan dalam pembuatan LED cahaya putih kerana substrat LED GaN memberikan ciri elektrik yang lebih baik dan prestasinya melebihi peranti semasa. Selain itu, perkembangan pesat teknologi substrat galium nitrida telah membawa kepada pembangunan substrat berdiri bebas GaN berkecekapan tinggi dengan ketumpatan kecacatan rendah dan ketumpatan kecacatan makro bebas. Oleh itu, substrat GaN sedemikian boleh semakin digunakan untuk LED putih. Akibatnya, pasaran substrat GaN pukal berkembang pesat. Ngomong-ngomong, wafer GaN pukal boleh digunakan untuk menguji konsep peranti kuasa menegak.

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 Di sini menunjukkan spesifikasi terperinci:

1.1 4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.2 4″ N Type Low Doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.3 4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.5 2″ Low doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.6 2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.7 15mm,10mm,5mm Berdiri bebasGan Substrat

Nota:

Wafer Pengesahan:Memandangkan kemudahan penggunaan, PAM-XIAMEN menawarkan wafer Pengesahan Nilam 2″ untuk Substrat GaN Berdiri Bebas bersaiz di bawah 2″

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

3. Application of GaN Substrate

Pepejal Lighting Negeri: peranti Gan digunakan sebagai ultra cahaya kecerahan tinggi pemancar cahaya (LED), televisyen, kereta, dan pencahayaan umum

Penyimpanan DVD: Diod laser biru

Peranti Kuasa: Peranti yang direka pada substrat pukal GaN digunakan sebagai pelbagai komponen dalam elektronik kuasa berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi seperti stesen pangkalan selular, satelit, penguat kuasa dan penyongsang/penukar untuk kenderaan elektrik (EV) dan kenderaan elektrik hibrid (HEV). ). Kepekaan rendah GaN terhadap sinaran mengion (seperti nitrida kumpulan III yang lain) menjadikannya bahan yang sesuai untuk aplikasi bawaan angkasa seperti tatasusunan sel suria untuk satelit dan peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi untuk komunikasi, cuaca dan satelit pengawasan.

Substrat Galium Nitrida Tulen Iperjanjian untuk pertumbuhan semula III-Nitrida

Stesen Pangkalan Wireless: transistor kuasa RF

Akses Jalur Lebar Wayarles: MMICs frekuensi tinggi, RF-Circuits MMICs

Sensor tekanan: MEMS

Sensor haba: Pengesan Pyro-elektrik

Power Udara: isyarat bercampur Gan / Integrasi Si

Elektronik Automotif: elektronik suhu tinggi

Lines Power Transmission: elektronik voltan tinggi

Sensor rangka: Pengesan UV

Sel Suria: Jurang jalur lebar GaN meliputi spektrum suria daripada 0.65 eV hingga 3.4 eV (yang boleh dikatakan keseluruhan spektrum suria), menjadikan indium gallium nitride

(InGaN) aloi sesuai untuk mewujudkan bahan sel solar. Kerana kelebihan ini, sel-sel solar InGaN ditanam di atas substrat Gan bersedia untuk menjadi salah satu aplikasi baru yang paling penting dan pasaran pertumbuhan Gan wafer substrat.

Sesuai untuk HEMTs, FET

Projek diod GaN Schottky: Kami menerima spesifikasi tersuai bagi diod Schottky yang direka pada lapisan gallium nitride (GaN) tumbuh bebas HVPE bagi jenis n dan p.

Kedua-dua kenalan (ohmic dan Schottky) didepositkan di permukaan atas menggunakan Al / Ti dan Pd / Ti / Au.

Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!