Freestanding GaN substrate
PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk wafer substrat GaN berdiri bebas (gallium nitride), iaitu untuk UHB-LED dan LD. Ditanam oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), substrat GaN kami mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah.
- Description
Penerangan
Substrat GaN berdiri bebas
Sebagai pembekal substrat GaN terkemuka, PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk berdiri bebas (Gallium Nitride)wafer substrat GaN which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN substrate for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
Sebagai tambahan kepada peranti kuasa, substrat semikonduktor galium nitrida semakin digunakan dalam pembuatan LED cahaya putih kerana substrat LED GaN memberikan ciri elektrik yang lebih baik dan prestasinya melebihi peranti semasa. Selain itu, perkembangan pesat teknologi substrat galium nitrida telah membawa kepada pembangunan substrat berdiri bebas GaN berkecekapan tinggi dengan ketumpatan kecacatan rendah dan ketumpatan kecacatan makro bebas. Oleh itu, substrat GaN sedemikian boleh semakin digunakan untuk LED putih. Akibatnya, pasaran substrat GaN pukal berkembang pesat. Ngomong-ngomong, wafer GaN pukal boleh digunakan untuk menguji konsep peranti kuasa menegak.
1. Spesifikasi substrat GaN Berdiri Bebas
Di sini menunjukkan spesifikasi terperinci:
1.1 4″ N jenis Si doped GaN（Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN100-N+ |
| Jenis Pengaliran | N jenis/Si didopkan |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50 |
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o |
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o |
| Panjang Rata Utama | 32+/-1mm |
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o |
| Panjang Rata Sekunder | 18+/-1mm |
| Kerintangan(300K) | <0.05Ω · cm |
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2.Digilap. |
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.2 4″ N Jenis Rendah Doped GaN（Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN100-N- |
| Jenis Pengaliran | Jenis N |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50 |
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o |
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o |
| Panjang Rata Utama | 32+/-1mm |
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o |
| Panjang Rata Sekunder | 18+/-1mm |
| Kerintangan(300K) | <0.5Ω · cm |
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2.Digilap. |
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.3 4″ GaN Separa Penebat (Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN100-SI |
| Jenis Pengaliran | Separa Penebat |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50 |
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o |
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o |
| Panjang Rata Utama | 32+/-1mm |
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o |
| Panjang Rata Sekunder | 18+/-1mm |
| Kerintangan(300K) | >10^6Ω·sm |
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2.Digilap. |
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| Jenis Pengaliran | N jenis/Si didopkan | |||
| Saiz | 2″(50.8)+/-1mm | |||
| ketebalan | 400+/-50 | |||
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o | |||
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o | |||
| Panjang Rata Utama | 16 +/- 1mm | |||
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o | |||
| Panjang Rata Sekunder | 8 +/- 1mm | |||
| Kerintangan(300K) | <0.05Ω · cm | |||
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100arc.sec | |||
| TTV | <= 15um | |||
| BOW | <=+/-20um | |||
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | |||
| Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | ||||
| 2.Digilap. | ||||
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % | |||
1.5 2″ GaN berdop rendah (Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| Jenis Pengaliran | Jenis N | ||||
| Saiz | 2″(50.8)+/-1mm | ||||
| ketebalan | 400+/-50 | ||||
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o | ||||
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o | ||||
| Panjang Rata Utama | 16 +/- 1mm | ||||
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o | ||||
| Panjang Rata Sekunder | 8 +/- 1mm | ||||
| Kerintangan(300K) | <0.5Ω · cm | ||||
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arc.sec | ||||
| TTV | <= 15um | ||||
| BOW | <=+/-20um | ||||
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | ||||
| Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | |||||
| 2.Digilap. | |||||
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % | ||||
1.6 2″ GaN Separa Penebat（Gallium Nitride) Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| Jenis Pengaliran | Separa Penebat | ||||
| Saiz | 2″(50.8)+/-1mm | ||||
| ketebalan | 400+/-50 | ||||
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o | ||||
| Lokasi Flat Utama | (10-10)+/-0.5o | ||||
| Panjang Rata Utama | 16 +/- 1mm | ||||
| Lokasi Flat Menengah | (1-210)+/-3o | ||||
| Panjang Rata Sekunder | 8 +/- 1mm | ||||
| Kerintangan(300K) | >10^6Ω·sm | ||||
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arc.sec | ||||
| TTV | <= 15um | ||||
| BOW | <=+/-20um | ||||
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | ||||
| Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | |||||
| 2.Digilap. | |||||
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % | ||||
1.7 15mm,10mm,5mmBerdiri bebasSubstrat GaN
| Perkara | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| Jenis Pengaliran | N-jenis | Separa penebat | |
| Saiz | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
| ketebalan | 330-450um | ||
| Orientasi | C-axis(0001)+/-0.5o | ||
| Lokasi Flat Utama | |||
| Panjang Rata Utama | |||
| Lokasi Flat Menengah | |||
| Panjang Rata Sekunder | |||
| Kerintangan(300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
| Ketumpatan Dislokasi | <5x106cm-2 | ||
| Ketumpatan Kecacatan Marco | 0cm-2 | ||
| TTV | <= 15um | ||
| BOW | <= 20um | ||
| Kemasan Permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<0.2nm.Epi-sedia digilap | ||
| Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | |||
| 2. Dikisar kasar | |||
| Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90% | ||
Nota:
Wafer Pengesahan:Memandangkan kemudahan penggunaan, PAM-XIAMEN menawarkan wafer Pengesahan Nilam 2″ untuk Substrat GaN Berdiri Bebas bersaiz di bawah 2″
2. Sifat-sifat Substrat GaN Berdiri Bebas
| Parameter Kekisi | a=0.3189nm; c=0.5185nm |
| Jurang Pancaragam | 3.39eV |
| Ketumpatan | 6.15g/sm3 |
| Therm. Pekali Pengembangan | a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/ K |
| Indeks Biasan | 2.33-2.7 |
| Pemalar Dielektrik | 9.5 |
| Kekonduksian terma | 1.3W/(cm*k) |
| Medan Elektrik Pecah | 3.3MV/cm |
| Halaju Hanyut Ketepuan | 2.5E7sm/s |
| Mobiliti Elektron | 1300cm2/(V*s) |
3. Pemakaian Substrat GaN
Pencahayaan Keadaan Pepejal: Peranti GaN digunakan sebagai diod pemancar cahaya (LED), TV, kereta dan pencahayaan am kecerahan ultra tinggi
Penyimpanan DVD: Diod laser biru
Peranti Kuasa: Peranti yang direka pada substrat pukal GaN digunakan sebagai pelbagai komponen dalam elektronik kuasa berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi seperti stesen pangkalan selular, satelit, penguat kuasa dan penyongsang/penukar untuk kenderaan elektrik (EV) dan kenderaan elektrik hibrid (HEV). Kepekaan rendah GaN terhadap sinaran mengion (seperti nitrida kumpulan III yang lain) menjadikannya bahan yang sesuai untuk aplikasi bawaan angkasa seperti tatasusunan sel suria untuk satelit dan peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi untuk komunikasi, cuaca dan satelit pengawasan
Substrat Galium Nitrida Tulen Iperjanjian untuk pertumbuhan semula III-Nitrida
Stesen Pangkalan Wayarles: Transistor kuasa RF
Akses Jalur Lebar Tanpa Wayar: MMIC frekuensi tinggi, MMIC Litar RF
Penderia Tekanan:MEMS
Penderia Haba: Pengesan Pyro-elektrik
Power Penyaman: Isyarat campuran GaN/Si Integrasi
Elektronik Automotif: Elektronik suhu tinggi
Talian Penghantaran Kuasa: Elektronik voltan tinggi
Penderia Bingkai: Pengesan UV
Sel Suria: Jurang jalur lebar GaN meliputi spektrum suria daripada 0.65 eV hingga 3.4 eV (yang boleh dikatakan keseluruhan spektrum suria), menjadikan indium gallium nitride
Aloi (InGaN) sesuai untuk mencipta bahan sel suria. Disebabkan kelebihan ini, sel solar InGaN yang ditanam pada substrat GaN bersedia untuk menjadi salah satu aplikasi baharu yang paling penting dan pasaran pertumbuhan untuk wafer substrat GaN.
Sesuai untuk HEMT, FET
Projek diod GaN Schottky: Kami menerima spesifikasi tersuai bagi diod Schottky yang direka pada lapisan gallium nitride (GaN) yang tumbuh bebas HVPE bagi jenis n dan p.
Kedua-dua kenalan (ohmic dan Schottky) didepositkan di permukaan atas menggunakan Al / Ti dan Pd / Ti / Au.
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!
