Freestanding Gan substrat
PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.
- Penerangan
Penerangan Produk
Freestanding Gan substrat
Sebagai pembekal substrat GaN terkemuka, PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk berdiri bebas (Gallium Nitride)wafer substrat GaNyang merupakan substrat GaN Pukal untuk UHB-LED, LD dan fabrikasi sebagai peranti berasaskan MOS. Dikembangkan oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), kamiGan substratuntuk peranti III-nitrida mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah dan ketumpatan kecacatan makro yang kurang atau bebas. Ketebalan substrat GaN ialah 330~530μm.
Sebagai tambahan kepada peranti kuasa, substrat semikonduktor galium nitrida semakin digunakan dalam pembuatan LED cahaya putih kerana substrat LED GaN memberikan ciri elektrik yang lebih baik dan prestasinya melebihi peranti semasa. Selain itu, perkembangan pesat teknologi substrat galium nitrida telah membawa kepada pembangunan substrat berdiri bebas GaN berkecekapan tinggi dengan ketumpatan kecacatan rendah dan ketumpatan kecacatan makro bebas. Oleh itu, substrat GaN sedemikian boleh semakin digunakan untuk LED putih. Akibatnya, pasaran substrat GaN pukal berkembang pesat. Ngomong-ngomong, wafer GaN pukal boleh digunakan untuk menguji konsep peranti kuasa menegak.
1. Specification of Freestanding GaN substrate
Di sini menunjukkan spesifikasi terperinci:
1.1 4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN100-N+ |
Jenis pengaliran | N jenis/Si didopkan |
Saiz | 4″(100)+/-1mm |
ketebalan | 480+/-50 |
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o |
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o |
Negara Flat utama | 32+/-1mm |
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o |
Menengah Flat Negara | 18+/-1mm |
Kerintangan (300K) | <0.05Ω · cm |
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
BOW | <=+/-30um |
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
— | Kembali permukaan: 1.Fine tanah |
— | 2.Digilap. |
Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90 % |
1.2 4″ N Type Low Doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN100-N- |
Jenis pengaliran | Jenis N |
Saiz | 4″(100)+/-1mm |
ketebalan | 480+/-50 |
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o |
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o |
Negara Flat utama | 32+/-1mm |
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o |
Menengah Flat Negara | 18+/-1mm |
Kerintangan (300K) | <0.5Ω · cm |
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
BOW | <=+/-30um |
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
— | Kembali permukaan: 1.Fine tanah |
— | 2.Digilap. |
Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90 % |
1.3 4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN100-SI |
Jenis pengaliran | Separa Penebat |
Saiz | 4″(100)+/-1mm |
ketebalan | 480+/-50 |
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o |
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o |
Negara Flat utama | 32+/-1mm |
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o |
Menengah Flat Negara | 18+/-1mm |
Kerintangan (300K) | >10^6Ω·sm |
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
BOW | <=+/-30um |
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
— | Kembali permukaan: 1.Fine tanah |
— | 2.Digilap. |
Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90 % |
1.4 2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Jenis pengaliran | N jenis/Si didopkan | |||
Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm | |||
ketebalan | 400+/-50 | |||
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o | |||
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o | |||
Negara Flat utama | 16 +/- 1mm | |||
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o | |||
Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm | |||
Kerintangan (300K) | <0.05Ω · cm | |||
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15um | |||
BOW | <=+/-20um | |||
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | |||
Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | ||||
2.Digilap. | ||||
Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.5 2″ Low doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Jenis pengaliran | Jenis N | ||||
Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm | ||||
ketebalan | 400+/-50 | ||||
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o | ||||
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o | ||||
Negara Flat utama | 16 +/- 1mm | ||||
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o | ||||
Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm | ||||
Kerintangan (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
BOW | <=+/-20um | ||||
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | ||||
Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | |||||
2.Digilap. | |||||
Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.6 2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Perkara | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Jenis pengaliran | Separa Penebat | ||||
Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm | ||||
ketebalan | 400+/-50 | ||||
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o | ||||
Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5o | ||||
Negara Flat utama | 16 +/- 1mm | ||||
Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3o | ||||
Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm | ||||
Kerintangan (300K) | >10^6Ω·sm | ||||
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
BOW | <=+/-20um | ||||
kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap | ||||
Permukaan Belakang: 1. Tanah halus | |||||
2.Digilap. | |||||
Kawasan Boleh Digunakan | ≥ 90 % |
1.7 15mm,10mm,5mm Berdiri bebasGan Substrat
Perkara | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Jenis pengaliran | N-jenis | Semi-penebat | |
Saiz | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
ketebalan | 330-450um | ||
orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5o | ||
Lokasi Flat utama | |||
Negara Flat utama | |||
Menengah Flat Lokasi | |||
Menengah Flat Negara | |||
Kerintangan (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
kehelan Ketumpatan | <5x106cm-2 | ||
Marco kecacatan Ketumpatan | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15um | ||
BOW | <= 20um | ||
kemasan permukaan | Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap | ||
Kembali permukaan: 1.Fine tanah | |||
2.Rough dikisar | |||
Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
Nota:
Wafer Pengesahan:Memandangkan kemudahan penggunaan, PAM-XIAMEN menawarkan wafer Pengesahan Nilam 2″ untuk Substrat GaN Berdiri Bebas bersaiz di bawah 2″
2. Properties of Freestanding GaN Substrate
Lattice Parameters | a=0.3189nm; c=0.5185nm |
Band Gap | 3.39eV |
Density | 6.15g/cm3 |
Therm. Expansion Coefficient | a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K |
Refraction Index | 2.33-2.7 |
Dielectric Constant | 9.5 |
Thermal Conductivity | 1.3W/(cm*k) |
Break-Down Electrical Field | 3.3MV/cm |
Saturation Drift Velocity | 2.5E7cm/s |
Electron Mobility | 1300cm2/(V*s) |
3. Application of GaN Substrate
Pepejal Lighting Negeri: peranti Gan digunakan sebagai ultra cahaya kecerahan tinggi pemancar cahaya (LED), televisyen, kereta, dan pencahayaan umum
Penyimpanan DVD: Diod laser biru
Peranti Kuasa: Peranti yang direka pada substrat pukal GaN digunakan sebagai pelbagai komponen dalam elektronik kuasa berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi seperti stesen pangkalan selular, satelit, penguat kuasa dan penyongsang/penukar untuk kenderaan elektrik (EV) dan kenderaan elektrik hibrid (HEV). ). Kepekaan rendah GaN terhadap sinaran mengion (seperti nitrida kumpulan III yang lain) menjadikannya bahan yang sesuai untuk aplikasi bawaan angkasa seperti tatasusunan sel suria untuk satelit dan peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi untuk komunikasi, cuaca dan satelit pengawasan.
Substrat Galium Nitrida Tulen Iperjanjian untuk pertumbuhan semula III-Nitrida
Stesen Pangkalan Wireless: transistor kuasa RF
Akses Jalur Lebar Wayarles: MMICs frekuensi tinggi, RF-Circuits MMICs
Sensor tekanan: MEMS
Sensor haba: Pengesan Pyro-elektrik
Power Udara: isyarat bercampur Gan / Integrasi Si
Elektronik Automotif: elektronik suhu tinggi
Lines Power Transmission: elektronik voltan tinggi
Sensor rangka: Pengesan UV
Sel Suria: Jurang jalur lebar GaN meliputi spektrum suria daripada 0.65 eV hingga 3.4 eV (yang boleh dikatakan keseluruhan spektrum suria), menjadikan indium gallium nitride
(InGaN) aloi sesuai untuk mewujudkan bahan sel solar. Kerana kelebihan ini, sel-sel solar InGaN ditanam di atas substrat Gan bersedia untuk menjadi salah satu aplikasi baru yang paling penting dan pasaran pertumbuhan Gan wafer substrat.
Sesuai untuk HEMTs, FET
Projek diod GaN Schottky: Kami menerima spesifikasi tersuai bagi diod Schottky yang direka pada lapisan gallium nitride (GaN) tumbuh bebas HVPE bagi jenis n dan p.
Kedua-dua kenalan (ohmic dan Schottky) didepositkan di permukaan atas menggunakan Al / Ti dan Pd / Ti / Au.
Catatan:
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!