Freestanding Gan substrat

Freestanding Gan substrat

PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.

  • Penerangan

Penerangan Produk

Freestanding Gan substrat

PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our Gan substratmempunyai ketumpatan kecacatan rendah dan kurang atau ketumpatan kecacatan makro percuma.

Spesifikasi Freestanding Gan substrat

 Di sini menunjukkan spesifikasi terperinci:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-N+
Jenis pengaliran N type/Si doped
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.05Ω·cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Kembali permukaan: 1.Fine tanah
2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-N-
Jenis pengaliran N type/undoped
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Kembali permukaan: 1.Fine tanah
2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-SI
Jenis pengaliran Semi-Insulating
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) >10^6Ω·cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Kembali permukaan: 1.Fine tanah
2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

2 "(50.8mm)Berdiri bebas(galium nitrida)Gansubstrat

Perkara PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 2 "(50.8) +/- 1mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5 °
Lokasi Flat utama (1-100) +/- 0.5 °
Negara Flat utama 16 +/- 1mm
Menengah Flat Lokasi (11-20) +/- 3 °
Menengah Flat Negara 8 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan gred A <= 2cm-2 B gred> 2cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


 

 1.5 "(38.1mm)Berdiri bebasGan Substrat

Perkara PAM-FS-GaN38-N PAM-FS-GaN38-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 1.5 "(38.1) +/- 0.5mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (1-100) +/- 0.5o
Negara Flat utama 12 +/- 1mm
Menengah Flat Lokasi (11-20) +/- 3o
Menengah Flat Negara 6 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan gred A <= 2cm-2 B gred> 2cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
  2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


 

15mm, 10mm, 5mmBerdiri bebasGan Substrat

Perkara PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama  
Negara Flat utama  
Menengah Flat Lokasi  
Menengah Flat Negara  
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan 0cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
    2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


            

Nota:

Pengesahan Wafer:Memandangkan kemudahan penggunaan, PAM-XIAMEN menawarkan 2 "Sapphire Pengesahan wafer untuk di bawah 2" size Freestanding Gan Substrat

Pemakaian Gan Substrat

Pepejal Lighting Negeri: peranti Gan digunakan sebagai ultra cahaya kecerahan tinggi pemancar cahaya (LED), televisyen, kereta, dan pencahayaan umum

DVD penyimpanan: diod laser biru

Kuasa peranti: peranti Gan digunakan sebagai pelbagai komponen dalam berkuasa tinggi dan kuasa frekuensi tinggi elektronik seperti stesen selular asas, satelit, penguat kuasa, dan penyongsang / penukar untuk kenderaan elektrik (EV) dan kenderaan elektrik hibrid (HEV). sensitiviti yang rendah Gan kepada sinaran mengion (seperti kumpulan yang lain III nitrida) menjadikannya bahan yang sesuai untuk aplikasi spaceborne seperti tatasusunan sel solar untuk satelit dan yang berkuasa tinggi, peranti frekuensi tinggi untuk komunikasi, satelit cuaca, dan pengawasan

Sesuai untuk III-Nitrida pertumbuhan semula

Stesen Pangkalan Wireless: transistor kuasa RF

Akses Jalur Lebar Wayarles: MMICs frekuensi tinggi, RF-Circuits MMICs

Sensor tekanan: MEMS

Sensor haba: Pengesan Pyro-elektrik

Power Udara: isyarat bercampur Gan / Integrasi Si

Elektronik Automotif: elektronik suhu tinggi

Lines Power Transmission: elektronik voltan tinggi

Sensor rangka: Pengesan UV

Sel solar: jurang jalur lebar Gan meliputi spektrum solar dari 0.65 eV kepada 3.4 eV (yang boleh dikatakan keseluruhan spektrum solar), menjadikan indium galium nitrida

(InGaN) aloi sesuai untuk mewujudkan bahan sel solar. Kerana kelebihan ini, sel-sel solar InGaN ditanam di atas substrat Gan bersedia untuk menjadi salah satu aplikasi baru yang paling penting dan pasaran pertumbuhan Gan wafer substrat.

Sesuai untuk HEMTs, FET

projek diod Schottky Gan: Kami menerima spec adat diod Schottky dibina pada HVPE tempatan, berdiri bebas galium nitrida (Gan) lapisan n- dan p-jenis.
Kedua-dua kenalan (ohm dan Schottky) telah disimpan di permukaan atas menggunakan Al / Ti dan Pd / Ti / Au.
Kami akan menawarkan laporan ujian, sila lihat di bawah contoh:

Awak juga mungkin menyukai…