Freestanding Gan substrat

Templat Gan Templat Gan
19_thumb_G_1333132154583

Freestanding Gan substrat

PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.

Kategori: Tag:, ,
  • Penerangan

Penerangan Produk

Freestanding Gan substrat

PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our Gan substratmempunyai ketumpatan kecacatan rendah dan kurang atau ketumpatan kecacatan makro percuma.

Spesifikasi Freestanding Gan substrat

 Di sini menunjukkan spesifikasi terperinci:

4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-N+
Jenis pengaliran N type/Si doped
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.05Ω·cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
— Kembali permukaan: 1.Fine tanah
— 2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-N-
Jenis pengaliran N type/undoped
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
— Kembali permukaan: 1.Fine tanah
— 2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Perkara PAM-FS-GaN100-SI
Jenis pengaliran Semi-Insulating
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5o
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3o
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) >10^6Ω·cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
— Kembali permukaan: 1.Fine tanah
— 2.Polished.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90 %

 

2 "(50.8mm)Berdiri bebas(galium nitrida)Gansubstrat

Perkara PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 2 "(50.8) +/- 1mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5 °
Lokasi Flat utama (1-100) +/- 0.5 °
Negara Flat utama 16 +/- 1mm
Menengah Flat Lokasi (11-20) +/- 3 °
Menengah Flat Negara 8 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan gred A <= 2cm-2 B gred> 2cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


 

 1.5 "(38.1mm)Berdiri bebasGan Substrat

Perkara PAM-FS-GaN38-N PAM-FS-GaN38-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 1.5 "(38.1) +/- 0.5mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama (1-100) +/- 0.5o
Negara Flat utama 12 +/- 1mm
Menengah Flat Lokasi (11-20) +/- 3o
Menengah Flat Negara 6 +/- 1mm
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan gred A <= 2cm-2 B gred> 2cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
  2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


 

15mm, 10mm, 5mmBerdiri bebasGan Substrat

Perkara PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Jenis pengaliran N-jenis Semi-penebat
Saiz 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
ketebalan 330-450um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5o
Lokasi Flat utama  
Negara Flat utama  
Menengah Flat Lokasi  
Menengah Flat Negara  
Kerintangan (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
kehelan Ketumpatan <5x106cm-2
Marco kecacatan Ketumpatan 0cm-2
TTV <= 15um
BOW <= 20um
kemasan permukaan Surface Front: Ra <0.2nm.Epi sedia digilap
  Kembali permukaan: 1.Fine tanah
    2.Rough dikisar
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%


            

Nota:

Pengesahan Wafer:Memandangkan kemudahan penggunaan, PAM-XIAMEN menawarkan 2 "Sapphire Pengesahan wafer untuk di bawah 2" size Freestanding Gan Substrat

Pemakaian Gan Substrat

Pepejal Lighting Negeri: peranti Gan digunakan sebagai ultra cahaya kecerahan tinggi pemancar cahaya (LED), televisyen, kereta, dan pencahayaan umum

DVD penyimpanan: diod laser biru

Kuasa peranti: peranti Gan digunakan sebagai pelbagai komponen dalam berkuasa tinggi dan kuasa frekuensi tinggi elektronik seperti stesen selular asas, satelit, penguat kuasa, dan penyongsang / penukar untuk kenderaan elektrik (EV) dan kenderaan elektrik hibrid (HEV). sensitiviti yang rendah Gan kepada sinaran mengion (seperti kumpulan yang lain III nitrida) menjadikannya bahan yang sesuai untuk aplikasi spaceborne seperti tatasusunan sel solar untuk satelit dan yang berkuasa tinggi, peranti frekuensi tinggi untuk komunikasi, satelit cuaca, dan pengawasan

Sesuai untuk III-Nitrida pertumbuhan semula

Stesen Pangkalan Wireless: transistor kuasa RF

Akses Jalur Lebar Wayarles: MMICs frekuensi tinggi, RF-Circuits MMICs

Sensor tekanan: MEMS

Sensor haba: Pengesan Pyro-elektrik

Power Udara: isyarat bercampur Gan / Integrasi Si

Elektronik Automotif: elektronik suhu tinggi

Lines Power Transmission: elektronik voltan tinggi

Sensor rangka: Pengesan UV

Sel solar: jurang jalur lebar Gan meliputi spektrum solar dari 0.65 eV kepada 3.4 eV (yang boleh dikatakan keseluruhan spektrum solar), menjadikan indium galium nitrida

(InGaN) aloi sesuai untuk mewujudkan bahan sel solar. Kerana kelebihan ini, sel-sel solar InGaN ditanam di atas substrat Gan bersedia untuk menjadi salah satu aplikasi baru yang paling penting dan pasaran pertumbuhan Gan wafer substrat.

Sesuai untuk HEMTs, FET

projek diod Schottky Gan: Kami menerima spec adat diod Schottky dibina pada HVPE tempatan, berdiri bebas galium nitrida (Gan) lapisan n- dan p-jenis.
Kedua-dua kenalan (ohm dan Schottky) telah disimpan di permukaan atas menggunakan Al / Ti dan Pd / Ti / Au.
Kami akan menawarkan laporan ujian, sila lihat di bawah contoh:

Awak juga mungkin menyukai…

  • GaAs Wafer
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    GaAs Epiwafer

    Kami adalah pembuatan pelbagai jenis epi wafer III-V silikon terdop bahan semikonduktor jenis-n berdasarkan Ga, Al, Dalam, As dan P ditanam oleh MBE atau MOCVD. Kami membekalkan struktur adat untuk memenuhi pelanggan specifications.please hubungi kami untuk maklumat lanjut.

  • wafer InPwafer InP
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    wafer InP

    PAM-XIAMEN menawarkan wafer VGF InP (Indium Phosphide) dengan kelas prima atau ujian termasuk jenis tidak bertopeng, jenis N atau separa penebat. Mobiliti wafer InP berbeza dalam jenis yang berbeza, yang tidak dipakai> = 3000cm2 / Vs, jenis N> 1000 atau 2000cm2V.s (bergantung pada kepekatan doping yang berbeza), jenis P: 60 +/- 10 atau 80 +/- 10cm2 / Vs (bergantung pada kepekatan doping Zn yang berbeza), dan yang separuh menghina> 2000cm2 / Vs, EPD Indium Phosphide berada di bawah 500 / cm2 biasanya.

  • Gan berasaskan LED Epitaxial Wafer
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    Gan berasaskan LED Epitaxial Wafer

    Gan PAM-XIAMEN-kanak (galium nitrida) berasaskan LED wafer epitaxial adalah untuk tinggi kecerahan diod ultra biru dan hijau pemancar cahaya (LED) dan diod laser (LD) permohonan.

  • Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
    PAM-XIAMEN menawarkan bahan-bahan semikonduktor, single kristal (Ge) Germanium Wafer berkembang dengan VGF / LEC
  • Templat Gan
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    Templat Gan
    PAM-XIAMEN-kanak Produk Template terdiri daripada lapisan kristal (galium nitrida) template Gan, (aluminium nitrida) template AlN, (aluminium galium nitrida) template AlGaN dan (indium galium nitrida) template InGaN, yang disimpan di nilam
  • Gan HEMT Epitaxial Wafer
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    Gan HEMT Epitaxial Wafer

    Gallium Nitride (Gan) HEMTs (High Electron Mobility Transistor) adalah generasi akan datang RF technology.Thanks kuasa transistor kepada teknologi Gan, PAM-XIAMEN kini menawarkan AlGaN / Gan HEMT Epi Wafer di nilam atau Silicon, dan AlGaN / Gan pada template nilam .

  • Substrat SiC Wafer (Silicon Carbide)
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    SiC Wafer Substrat

    Syarikat ini mempunyai barisan pengeluaran substrat wafer SiC (silikon karbida) lengkap yang mengintegrasikan pertumbuhan kristal, pemprosesan kristal, pemprosesan wafer, penggilap, pembersihan dan pengujian. Pada masa ini kami membekalkan wafer SiC 4H dan 6H komersial dengan separa penebat dan kekonduksian dalam paksi on atau paksi luar, saiz yang tersedia: 5x5mm2,10x10mm2, 2 ", 3", 4 "dan 6", menerobos teknologi utama seperti penindasan kecacatan , pemprosesan kristal benih dan pertumbuhan pesat, mempromosikan penyelidikan dan pengembangan asas yang berkaitan dengan epitaxy silikon karbida, peranti, dll.

     

  • Flat wafer Si
    Baca Lebih
    Lihat Pantas

    Terapung-Zone Mono-Kristal Silicon

    FZ-Silicon

    Silikon mono-kristal dengan ciri-ciri kandungan asing-bahan rendah, ketumpatan kecacatan rendah dan struktur kristal sempurna dihasilkan dengan proses apungan-zon; tiada bahan asing diperkenalkan semasa pertumbuhan kristal. Kekonduksian FZ-Silicon biasanya melebihi 1000 Ω-cm, dan FZ-Silicon adalah terutamanya digunakan untuk menghasilkan unsur-unsur songsang voltan tinggi dan peranti photoelectronic.