Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers

Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers

PAM-XIAMEN menawarkan wafer germanium 2 ", 3", 4 "dan 6", yang merupakan kependekan dari wafer Ge yang ditanam oleh VGF / LEC. Wafer Germanium jenis P dan N yang dicabut ringan juga boleh digunakan untuk eksperimen kesan Hall. Pada suhu bilik, germanium kristal rapuh dan sedikit keplastikan. Germanium mempunyai sifat semikonduktor. Germanium dengan kemurnian tinggi didoping dengan unsur trivalen (seperti indium, gallium, boron) untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis-P; dan unsur pentavalen (seperti antimoni, arsenik, dan fosforus) didoping untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis-N. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron tinggi dan pergerakan lubang tinggi.
  • Penerangan

Penerangan Produk

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

Struktur umum Properties Kubik, a = 5.6754 Å
Ketumpatan: 5,765 g / cm3
Titik lebur: 937.4 oC
Kekonduksian terma: 640
Teknologi Pertumbuhan Crystal Czochralski
doping tersedia Undoped Sb Doping Doping Masuk atau Ga
Jenis konduktif / N P
Kerintangan, ohm.cm >35 <0.05 0,05-0,1
EPD <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2
<5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

Gred elektronik Digunakan untuk diod dan transistor,
Gred inframerah atau opitical Digunakan untuk tingkap optik IR atau cakera, komponen opitical
Gred sel Digunakan untuk substrat sel suria

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

Crystal Orientation <111>, <100> dan <110> ± 0.5o atau orientasi tersuai
boule Crystal sebagai dewasa 1 "~ 6" diameter x 200 mm Panjang
blank Standard potong 1 "x 0.5 mm 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "& 6" x0.8mm
Standard digilap wafer (satu / dua belah digilap) 1 "x 0.30 mm 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm 5 ″ & 6 ″ x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Perkara Spesifikasi Kenyataan
Menghubungi pertumbuhan VGF
Jenis pengaliran n-jenis, p jenis, undoped  
Dopant Gallium atau Antimoni
wafer diamter 2, 3,4 & 6 inci
Crystal Orientation (100), (111), (110)
ketebalan 200 ~ 550 um
OF EJ atau AS
Konsentrasi Pembawa permintaan kepada pelanggan  
Kerintangan di RT (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Etch Pit Ketumpatan <5000 / cm2
laser Marking atas permintaan
kemasan permukaan P / E atau P / P
Epi bersedia Ya
Pakej bekas wafer tunggal atau kaset

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4 inci Ge wafer Spesifikasi untuk Sel Solar  —
doping P  —
doping bahan Ge-Ga  —
diameter 100 ± 0.25 mm  —
orientasi (100) 9 ° luar ke arah <111> +/- 0.5
Off-orientasi sudut kecondongan N / A  —
Orientation Flat utama N / A  —
Negara Flat utama 32 ± 1 mm
Orientation Flat menengah N / A  —
Menengah Flat Negara N / A mm
cc (0,26-2,24) E18 / cc
kerintangan (0,74-2,81) E-2 ohm.cm
Electron Mobility 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
laser Mark N / A  —
ketebalan 175 ± 10 mikron
TTV <15 mikron
TIR N / A mikron
BOW <10 mikron
Warp <10 mikron
muka hadapan Digilap  —
muka belakang Ground  —

 

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) Ketulenan tinggi germanium diperolehi semasa penapisan zon.
2) kristal germanium dihasilkan melalui proses Czochralski.
3) wafer germanium dihasilkan melalui beberapa memotong, mengisar, dan langkah-langkah punaran.
4) wafer dibersihkan dan pemeriksaan. Semasa proses ini, wafer adalah pasukan tunggal sampingan digilap atau double digilap mengikut keperluan adat, epi sedia wafer datang.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

Germanium kosong atau tetingkap yang digunakan dalam penglihatan malam dan penyelesaian pengimejan thermographic untuk keselamatan komersial, memadam kebakaran dan peralatan pemantauan industri. Juga, ia digunakan sebagai penapis untuk peralatan analisis dan mengukur, tingkap untuk pengukuran suhu jauh, dan cermin untuk laser.

substrat Germanium nipis digunakan dalam III-V tiga persimpangan sel solar dan untuk sistem kuasa Pekat PV (CPV).

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di[email protected]dan[email protected]

 

Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers

Awak juga mungkin menyukai…