PAM-XIAMEN menawarkan wafer APD InGaAs dengan prestasi tinggi. Diod foto avalanche InGaAs (InGaAs APD) sangat dihormati kerana kebisingan yang rendah, lebar jalur yang lebih tinggi, dan tindak balas spektrum yang diperluas hingga 1700 nm. Ia tersedia untuk panjang gelombang 1550nm setelah dioptimumkan dan sangat sesuai digunakan dalam sistem laser yang selamat dari mata. Spesifikasi dan parameter wafer APD InGaAs adalah seperti berikut:
PAM-210331-INGAAS-APD
Perkara 1:
| lapisan | Bahan | Ketebalan (μm) | Penyimpangan | kepekatan (cm-3) | Penyimpangan | Ujian | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | Pada wafer ujian |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | Pada wafer epiwafer & ujian | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | S-doped> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
| # | Ketidakcocokan Kisi | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Uji di pusat epiwafer |
Perkara 2:
| lapisan | Bahan | Ketebalan (μm) | Penyimpangan | kepekatan (cm-3) | Penyimpangan | Ujian | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | Pada wafer ujian |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD & C-V | Pada wafer epiwafer & ujian |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | S-doped> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
| # | Ketidakcocokan Kisi | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Uji di pusat epiwafer |
Perkara 3:
| lapisan | Bahan | Ketebalan (μm) | Penyimpangan | kepekatan (cm-3) | Penyimpangan | Ujian | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | Pada wafer ujian |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | Pada wafer epiwafer & ujian | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Pada wafer ujian |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | S-doped> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
| # | Ketidakcocokan Kisi | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Uji di pusat epiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| lapisan | Bahan | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.