Bahan InGaAsP ditanam secara epitaksi pada Substrat InP is an important material for the fabrication of optoelectronic and microwave devices. The emission wavelength of InGaAsP / InP laser structure covers 1.0-1.7μm, covering two low-loss windows of 1.3μm and 1.55μm for silica fiber communication. Therefore, InGaAsP is widely used in the manufacture of important components in the field of optical fiber communication, such as modulators, lasers, detectors and so on. Epi wafer for laser diode of bulk 1.55um InGaAsP / InP grown from PAM-XIAMEN is as below, which includes very high doped and very thin tunnel junction layers:
1. Specifications of InGaAsP / InP Laser Wafer
No. 1 Laser Diode Epi Strcuture PAM170919-INGAASP
| Nama | Bahan | Ketebalan [nm] | doping | strain | PL [nm] | Bandgap [eV] | Catatan |
| Lapisan Ikatan | Dalam p | 10 | – | 1.34 | |||
| Supperlattice | Dalam p | – | – | – | |||
| DalamxGa1-xSebagaiyP1-y | – | – | 1110 | – | |||
| Dalam p | – | – | – | ||||
| DalamxGa1-xSebagaiyP1-y | – | – | 1110 | – | |||
| n-kenalan | Dalam p | – | n = 1.5E18 | Si doped | – | ||
| SCL luar | InGaAsP | – | – | 1150+/-10 | – | ||
| SCL Inner | InGaAsP | 40 | – | 1250+/-10 | – | ||
| QW | InGaAsP (x3) | – | – | 1% terikan mampatan | 1550+/‐ 10 | – | |
| Halangan | InGaAsP (x2) | – | – | 0.3% ketegangan tegangan | 1250+/‐10 | – | |
| SCL Inner | InGaAsP | – | – | 1250+/-10 | 0.99 | ||
| SCL luar | InGaAsP | – | – | 1150+/-10 | – | ||
| Dalam p | – | Zn didopkan | – | p-didop daripada gred 1E18 berhampiran InGaAlAs kepada dinyahdop berhampiran InGaAsP | |||
| lapisan TJ | InGa(Al)As | 10 | – | p++ Zn-doped | – | ||
| lapisan TJ | Dalam p | – | – | – | – | ||
| Dalam p | – | – | – | – | n-didop daripada gred 1E18 berhampiran InP kepada dinyahdop berhampiran InGaAsP | ||
| SCL luar | InGaAsP | – | – | 1150+/-10 | – | ||
| SCL Inner | InGaAsP | – | tidak terkopong | 1250+/-10 | – | ||
| QW | InGaAsP (x3) | 7 setiap telaga | – | – | 1550+/‐ 10 | – | |
| Halangan | InGaAsP (x2) | – | – | 0.3% ketegangan tegangan | 1250+/‐10 | – | |
| SCL Inner | InGaAsP | – | – | 1250+/-10 | – | ||
| SCL luar | InGaAsP | – | – | 1150+/-10 | – | ||
| pelapisan p | Dalam p | – | – | Zn didopkan | – | p-doped daripada gred 1E18 berhampiran InGaAs kepada dinyahdop berhampiran QW | |
| p-kenalan | Dalam.53Ga.47As | – | – | Zn didopkan | – | ||
| Buffer | Dalam p | – | – | Zn didopkan | 1.34 | ||
| substrat | Dalam p | 350 um | n-didopkan |
Nota:
For the structure of InGaAsP / InP heterojunctions, tunnel junction (TJ) layer should use 1250nm AlGaInAs or InGaAsP, the reason is that the long wavelength has smaller resistivity but if too long wavelength, it would be absorption for emission wavelength. 80nm InGaAsP cannot stop TJ impurity lons spreading to QW, here we suggest increasing thickness. Maybe 240nm InGaAsP can stop the diffusion, we should test it.
No. 2 InGaAsP / InP LD Epitaxial Structure PAM200420-INGAASP
| Layer | Bahan | ketebalan | Catatan |
| Layer 7 | Dalam p | – | |
| Layer 6 | InGaAsP | – | |
| Layer 5 | Dalam p | – | |
| Layer 4 | InGaAsP | – | |
| Layer 3 | Dalam p | – | |
| Layer 2 | InGaAsP | – | emitting at 1575 nm |
| Layer 1 | Dalam p | – | |
| Substrate: | InP, 3” |
No. 3 InGaAsP Heteroepitaxial on InP for LD PAM200708-INGAASP
| Epi Layer | Bahan | ketebalan | Energy Gap |
| Layer 7 | Dalam p | 100nm | |
| Layer 6c | InGaAsP | – | @1.25 eV |
| Layer 6b | InGaAsP | – | @0.85 eV |
| Layer 6a | InGaAsP | – | @1.25 eV |
| Layer 5 | Dalam p | – | |
| Layer 4c | InGaAsP | 79 nm | @1.25 eV |
| Layer 4b | InGaAsP | – | @0.95 eV |
| Layer 4a | InGaAsP | – | @1.25 eV |
| Layer 3 | Dalam p | – | |
| Layer 2c | InGaAsP | – | @1.25 eV |
| Layer 2b | InGaAsP | – | @0.85 eV |
| Layer 2a | InGaAsP | – | @1.25 eV |
| Layer 1 | Dalam p | – | |
| substrat | Dalam p |
2. Pertumbuhan Lapisan InGaAsP
Berbanding dengan sebatian ternari A1-xBxC, jurang jalur dan pemalar kekisi ditentukan oleh parameter komposisi x yang sama, manakala sebatian kuaternari A1-xBxCyD1-y masing-masing boleh melaraskan parameter komposisi x dan y untuk memilih jurang jalur dan pemalar kekisi yang berbeza. . Ini menambahkan kebolehubahan dan ketidakpastian kepada pertumbuhan epitaxial wafer heterostruktur (DH) berganda InGaAsP / InP. Untuk bahan kuaternari yang ditanam secara epitaxial, melainkan peranti mempunyai keperluan khas, ia secara amnya diperlukan untuk memadankan kekisi substrat untuk mengelakkan kecacatan pertumbuhan yang disebabkan oleh ketidakpadanan kekisi. Untuk bahan kuaternari seperti InxGa1-xSebagaiyP1-y, kerana terdapat dua nisbah komposisi unsur kumpulan III dan V, terdapat banyak kombinasi x dan y untuk memenuhi keperluan padanan kekisi substrat yang sama, yang akan membawa kesukaran besar untuk pelarasan dan penentukuran parameter epitaksi kuaterner.
Untuk kekisi InGaAsP yang dipadankan dengan substrat InP, teknologi MBE biasanya diguna pakai. Kita boleh mengambil kesempatan daripada fakta bahawa pekali lekatan unsur kumpulan III adalah hampir 100%, dan nisbah komposisi antara unsur kumpulan III adalah agak stabil dan boleh diulang. Mula-mula, tentukur nisbah taburan gubahan kumpulan III unsur In dan Ga, kemudian laraskan dan tentukur nisbah gubahan antara unsur kumpulan V secara beransur-ansur. Akhirnya, lapisan InGaAsP yang merupakan kekisi dipadankan dengan substrat InP diperolehi.
3. Goresan Kimia InGaAsP / InP Heterostructure
HBr:CH3COOH(H3PO4):K2Cr2O7 ialah penyelesaian yang sesuai untuk mengetsa heteroepitaxialwafer laserberkembang dengan InGaAsP / InP MQW. Sistem goresan ini boleh membuat permukaan terukir berkualiti tinggi tanpa lubang goresan. Untuk (001) InP, kadar goresan berubah daripada 0.1 kepada 10 um/min, yang bergantung pada catuan komposisi larutan atau garis normal larutan akueus K2Cr2O7.
Struktur seperti Mesa terbentuk pada (001) jalur terukir InP selari dengan arah [110] dan [110]. Sistem etchant menggores InP dan InGaAsP pada kadar yang hampir sama, sekali gus menyediakan struktur seperti mesa yang ideal dengan permukaan berkualiti tinggi dan definisi corak rintangan yang baik. Penyelesaian ini tidak menghakis photoresist, menjadikannya menarik untuk jenis aplikasi peranti.
4. FAQ about InGaAsP / InP Wafer
Q: Do you or your engineering team know what temperature the InGaAsP/InP wafers can withstand before they start to decompose/are damaged?
A: With PH3 protection, InGaAsP/InP epi wafer can withstand XX℃, only under XX protection, it can withstand XX. If you need the specific data, please send email to victorchan@powerwaywafer.com.(191217)
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.