Epiwafer Diod Penghalang Schottky Berasaskan InP *S

Diod penghalang Schottky (SBD) digunakan secara meluas dalam julat frekuensi gelombang gelombang mikro dan milimeter. Disebabkan oleh mekanisme penghantaran ultra pantasnya, diod penghalang Schottky boleh dilanjutkan kepada frekuensi yang sangat tinggi dengan mengurangkan kawasan sentuhan fizikal. Pada masa kini, SBD telah digunakan secara meluas dalam julat THz. Ia biasanya digunakan sebagai pengesan, pengadun, pengganda, dan pengalih fasa dalam litar terahertz. Mobiliti elektron berdasarkan bahan substrat InP boleh mencapai 8000cm/(Vs) pada suhu bilik. Berbanding dengan bahan kompaun III-V lain yang digunakan, bahan InP mempunyai mobiliti elektron tertinggi, yang lebih kondusif untuk fabrikasi diod terahertz Schottky.PAM-XIAMENboleh menumbuhkan epiwafer InP secara epitaxial untuk membuat diod penghalang Schottky, struktur khusus adalah seperti berikut untuk rujukan sahaja:

1. Berasaskan InPDiod Penghalang SchottkyStruktur Epitaxial

No. 1 InP Homoepitaxy untuk SBD

No. 2 InGaAs/InP Heteroepitaxy untuk SBD

2. Ciri-ciri Diod Penghalang Schottky Berdasarkan Sistem Bahan InGaAs/InP

Oleh kerana mobiliti elektronnya yang tinggi dan rintangan pecahan yang kuat, diod penghalang GaAs Schottky telah digunakan dengan berkesan dalam litar terahertz. Walau bagaimanapun, voltan pengaliran hadapan tinggi yang disebabkan oleh ketinggian penghalang diod Schottky mengehadkan penggunaan diod GaAs dalam pengesan terahertz bias sifar. Kelemahan lain ialah tahap doping yang dibenarkan bagi GaAs jenis N tidak mencukupi untuk mencapai kerintangan ohmik yang sangat rendah. Sebaliknya, diod penghalang Schottky berasaskan InP, dengan InGaA padanan kekisi, menawarkan halangan berpotensi yang lebih kecil daripada diod GaAs, menghasilkan voltan pengaliran yang jauh lebih rendah. Dalam litar pengesan terahertz, operasi bias sifar amat diingini, kerana menghapuskan bekalan kuasa pincang DC boleh mengurangkan bunyi tembakan dalam pengesan dengan ketara.

Voltan pengaliran hadapan rendah bagi diod penghalang Schottky berasaskan InP membolehkan operasi bias sifar, meningkatkan prestasi hingar. Selain itu, dengan mengalihkan pincang DC, litar pengesan terahertz menjadi lebih mudah dan padat. Dalam aplikasi seperti pengadun terahertz dan pengganda frekuensi, voltan pengaliran yang lebih rendah membantu mengurangkan kehilangan dalam litar.

Tambahan pula, kepekatan doping bahan InP jenis N adalah lebih tinggi daripada GaA jenis N. Lapisan InGaAs jenis N yang didopkan berat boleh mencapai kerintangan ohmik yang sangat rendah. Rintangan rendah ini membolehkan diod penghalang Schottky berasaskan InP mencapai frekuensi potong yang lebih tinggi daripada diod GaAs. Kelebihan ini menjadikan diod penghalang Schottky berasaskan InP amat sesuai untuk pengadun terahertz, pengganda frekuensi dan litar pengesan.

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected] dan [email protected].