Pengesan Indium antimonide (InSb) adalah sensitif untuk jalur inframerah gelombang pertengahan (MWIR). Dari segi pengesanan inframerah pertengahan dalam jalur 3-5um, disebabkan kelebihan teknologi bahan matang, kepekaan tinggi dan kestabilan yang baik, pengesan InSb menonjol daripada pengesan berdasarkan bahan lain. Pada suhu rendah,bahan InSbmempunyai pekali penyerapan yang tinggi untuk cahaya inframerah (~1014cm-1), kecekapan kuantum lebih besar daripada atau sama dengan 80%, dan mobiliti pembawa yang tinggi (un~105cm2∙V-1∙s-1). Pengesan IR InSb mempunyai kelebihan teknikal yang sangat menonjol, dan bidang aplikasinya meliputi panduan ketepatan, pengimejan mudah alih, kenderaan, bawaan kapal, udara, aeroangkasa, dll. Tatasusunan pengesan InSb yang ditawarkan oleh PAM-XIAMEN ialah 128 x 128 piksel, dan julat tindak balas spektrum pengesan ialah 3.7 um~4.8 um. Spesifikasi sila rujuk jadual di bawah:
1. Parameter Teknikal Pengesan InSb MWIR
| Nama Produk | Spesifikasi Utama | |
| MW128×128
(JT) Pengesan Inframerah InSb |
Bilangan Piksel | 128×128 |
| Pixel Pitch | 15um×15um | |
| Kebolehkendalian Piksel | 99% | |
| Tanggungjawab Ketidakseragaman | ≤6% | |
| BERSIH | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| Masa Cooldown | ≤30s | |
| Berat | ≤250g | |
2. Proses Pengesan InSb Inframerah
Dengan pembangunan berterusan teknologi pengesanan inframerah, cip fotosensitif berdasarkan bahan InSb telah melalui daripada cip unit kepada berbilang elemen, tatasusunan baris dan cip tatasusunan kawasan. Selepas proses penyambungan cip flip, cip fotosensitif dan litar pemprosesan isyarat digabungkan bersama dan diletakkan pada satah fokus sistem optik, yang membentuk komponen teras pengesanan isyarat inframerah. Dalam merealisasikan penukaran fotoelektrik, prestasi cip fotosensitif adalah salah satu faktor utama yang menentukan tahap pengesanan pengesan InSb yang disejukkan. Dalam penyediaan cip fotosensitif tatasusunan kawasan, kualiti simpang PN dan pengasingan berkesan unit piksel fotosensitif adalah kunci teras kepada penyediaan cip tatasusunan kawasan. Proses penyediaan simpang PN terbahagi kepada proses resapan, proses implantasi ion dan proses epitaksi. Untuk teknik fabrikasi simpang PN yang berbeza, teknik fabrikasi struktur tatasusunan permukaan yang sepadan juga berbeza.
Gambarajah Skema Laluan Teknologi Pengesan Satah Fokus InSb
Tahap teknikal pengesan InSb inframerah dalam jalur gelombang sederhana telah dipertingkatkan secara berterusan. Saiz tatasusunan kawasan terus meningkat, kecekapan kuantum pengesan InSb terus bertambah baik, dan operasi suhu tinggi dan pengesan berbilang warna dwi-warna dibangunkan sepenuhnya.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.