IV, III-V dan II-VI semikonduktor sebatian

IV, III-V dan II-VI semikonduktor sebatian

PAM XIAMEN menawarkan semikonduktor kompaun IV, III–V dan II–VI.

Terdapat banyak semikonduktor kompaun III–V dan II–VI dengan celah jalur yang tinggi. Satu-satunya bahan celah jalur tinggi dalam kumpulan IV ialahDiamond dan Silikon karbida(SiC).

Aluminium Nitrida(AlN) boleh digunakan untuk mengarang LED ultraviolet dengan panjang gelombang hingga 200–250 nm.

Gallium Nitride (GaN) digunakan untuk membuat LED biru dan laser.

Boron Nitride (BN) digunakan dalam boron nitrida padu.

Kami menawarkan bahan semikonduktor III-V yang tersedia, termasuk GaN, GaAs, GaSb, GaP, InAs, InSb

Semikonduktor III-V sesuai untuk aplikasi optoelektronik. III-V dihablurkan dengan pemeteran kimia yang tinggi. Kami mempunyai jenis n dan jenis p. Wafer III-V kami mempunyai mobiliti pembawa yang tinggi dan jurang tenaga langsung.

Galium Nitrida(GaN)

GaN boleh digunakan dalam LED, Transistor, elektronik skala nano, optoelektronik dan aplikasi penderiaan biokimia

galium arsenida(GaAs)

Jenis kedua paling biasa digunakan selepas silikon biasanya digunakan sebagai substrat untuk semikonduktor iii-v lain, seperti InGaAs dan GaInNAs. rangup. Transistor CMOS jenis P tidak boleh dilaksanakan di bawah mobiliti rongga Si. Ketumpatan kekotoran yang tinggi menjadikannya sukar untuk membuat struktur kecil. Untuk LED inframerah dekat, elektron pantas dan sel solar kecekapan tinggi. Pemalar kekisi yang hampir sama dengan germanium boleh tumbuh pada substrat germanium.

Gallium Phosphide(GaP)

Led merah / oren / hijau murah untuk kecerahan awal rendah hingga sederhana digunakan secara bersendirian atau dengan GaAsP. Telus kuning dan merah digunakan sebagai substrat untuk led merah/kuning GaAsP. S atau Te ditambah kepada jenis n dan Zn kepada jenis p. Hijau pelepasan GaP tulen, nitrogen – pelepasan GaP terdop kuning hijau, ZnO – pelepasan GaP terdop merah.

Gallium Antimonide(GaSb)

Gunakan untuk pengesan inframerah dan led serta fotoelektrik terma. Kami dop n dengan Te, kami dop p dengan Zn.

indium phosphide(Dalam p)

Biasanya digunakan sebagai substrat InGaAs epitaxial. Halaju elektronik yang sangat baik untuk aplikasi kuasa tinggi dan frekuensi tinggi digunakan dalam optoelektronik.

Properties Si GaAs Dalam p GaP Gan Dalam0,53Ga0,47Sebagai
Jurang jalur[eV] 1,12 1,42 1,35 2,26 3,39 0,75
Jenis Tidak langsung Langsung Langsung Tidak langsung Langsung Langsung
kekisi fcc fcc fcc fcc hex fcc

 

Untuk maklumat lanjut, sila layari laman web kami: https://www.powerwaywafer.com,
hantarkan e-mel kepada kami disales@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com

Ditemui pada tahun 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) ialah pengeluar utama bahan semikonduktor di China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan kristal termaju dan teknologi epitaksi, proses pembuatan, substrat kejuruteraan dan peranti semikonduktor. Teknologi PAM-XIAMEN membolehkan pembuatan wafer semikonduktor berprestasi tinggi dan kos yang lebih rendah.

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecilnya pesanan dan betapa sukarnya soalan itu,
untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan bagi setiap pelanggan melalui produk kami yang layak dan perkhidmatan yang memuaskan.

Kongsi catatan ini