Wafer Lapped

Wafer Lapped

PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon karbida lapped, wafer As-cut dilap dan dibersihkan untuk layak sebagai wafer lapped. Apa itu wafer lapping? Lapping wafer ialah proses perataan global yang meningkatkan kerataan wafer dengan menghilangkan kerosakan permukaan (biasanya dari pengisaran belakang). Ia paling biasa ditemui dalam silikon karbida. Lapping dijalankan di antara dua plat besi tuang berputar terbalik dan filem pengisar atau buburan. Untuk melaraskan kebolehtelapan filem/tampal, wafer sama ada berputar lebih cepat atau mengalami beban yang lebih berat untuk memenuhi spesifikasi sasaran. Proses wafer lapping boleh mengurangkan kekasaran permukaan dan kecacatan mekanikal daripada wafer yang dipotong dan boleh meningkatkan lagi prestasi geometri.

wafer yang dilap

1. Spesifikasi Wafer Lapped

4″ 4H Silicon Carbide
barang No. Jenis Orientasi ketebalan gred Ketumpatan Mikropaip permukaan Kawasan yang boleh digunakan
  N-Jenis
S4H-100-N-SIC-370-L 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * LL >75%
3″ 4H Silicon Carbide
barang No. Jenis Orientasi ketebalan gred Ketumpatan Mikropaip permukaan Kawasan yang boleh digunakan
  N-Jenis
S4H-76-N-SIC-370-L 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * LL >75%
2″ 4H Silicon Carbide
barang No. Jenis Orientasi ketebalan gred Ketumpatan Mikropaip permukaan Kawasan yang boleh digunakan
  N-Jenis
S4H-51-N-SIC-370-L 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * LL >75%
2″ 6H Silicon Carbide
barang No. Jenis Orientasi ketebalan gred Ketumpatan Mikropaip permukaan Kawasan yang boleh digunakan
  N-Jenis
S6H-51-N-SIC-370-L 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * LL >75%
SEPARUH PENEBAT
S6H-51-SI-SIC-370-L 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 370±25um D * LL >75%

 

2. Proses Wafer Lapped

Tujuan lapping wafer adalah untuk menghilangkan kesan pisau pada permukaan hirisan SiC dan lapisan kerosakan permukaan yang disebabkan oleh proses pemotongan. Oleh kerana kekerasan tinggi wafer SiC, pelelas kekerasan tinggi (seperti boron karbida atau serbuk berlian) mesti digunakan untuk mengisarpermukaan hablur hirisan SiCsemasa proses wafer lapping. Lapping boleh dibahagikan kepada lapping kasar dan lapping halus mengikut proses yang berbeza.

2.1 Lapping Kasar Wafer SiC

Lapping kasar adalah terutamanya untuk menghilangkan tanda pisau yang disebabkan oleh pemotongan dan lapisan yang merosot yang disebabkan oleh pemotongan, dan menggunakan butiran kasar dengan saiz zarah yang lebih besar untuk meningkatkan kecekapan pemprosesan.

2.2 Lapping Halus untukWafer Silikon Karbida

Lapping halus terutamanya menghilangkan lapisan kerosakan permukaan yang ditinggalkan oleh lapping kasar, menambah baik kemasan permukaan wafer SiC, dan mengawal bentuk permukaan dan ketebalan wafer silikon karbida untuk memudahkan penggilapan seterusnya. Oleh itu, butiran kasar dengan diameter zarah yang lebih halus digunakan untuk mengisar wafer.

Oleh kerana keliatan patah silikon karbida yang rendah, ia mudah retak semasa proses lapping, menjadikan lapping wafer SiC sangat sukar. Lapping berkesan memerlukan pemilihan parameter lapping yang sesuai untuk mendapatkan kadar penyingkiran bahan maksimum dan mengawal integriti permukaan untuk wafer lapped.

powerwaywafer

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.

Kongsi siaran ini