Filem nipis galium arsenide (GaAs) tumbuh suhu rendah (LTG) pada substrat GaAs tersedia untuk pengesan foto dan pengadun foto. Selain itu, kami boleh membekalkan wafer gaas epi, untuk lebih banyak wafer filem nipis GaAs sila lihathttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/gaas-epiwafer.html. LTG-GaAs ialah GaAs yang ditanam pada suhu rendah 250-300 darjah Celsius menggunakan MBE. LT-GaAs mempunyai hayat pembawa sub-picosaat dan rintangan tinggi selepas penyepuhlindapan, dengan kerintangan 10⁷Ω*cm, yang boleh menghalang pembentukan oksida dan menghalang kesan penyematan antara muka logam-separa konduktor. Selain itu, filem nipis galium arsenide tumbuh suhu rendah mempunyai medan elektrik pecahan tinggi dan mobiliti yang agak besar. Ciri-ciri ini menjadikan LT-GaA sebagai salah satu bahan pilihan untuk pelbagai peranti optoelektronik yang pantas dan sensitif, seperti pengesan foto dan pencampur foto. Untuk lebih banyak helaian data filem nipis GaAs, sila rujuk jadual di bawah:

1. Filem Nipis LT GaAs Dikembangkan untuk Pengesan Foto dan Pengadun Foto

PAMP16051-LTGAAS

Nota:

Berbanding dengan GaAs, lapisan AlAs mempunyai pemalar kekisi yang lebih tinggi, yang membolehkan pertumbuhan LT-GaAs dengan pemalar kekisi yang lebih besar. Penjanaan arus foto dalam GaA yang ditanam pada suhu rendah boleh dipertingkatkan dengan ketara melalui pertumbuhan antara sisipan AlAs. Lapisan AlAs membolehkan lebih banyak arsenik dimasukkan ke dalam lapisan LT GaAs, menghalang penyebaran arus ke dalam substrat GaAs.

2. Pembangunan Peranti Optoelektronik Dicipta pada Filem LTG GaAs

Marsch melaporkan fabrikasi dan prestasi frekuensi tinggi bagi fotokonduktor dan pengadun foto berasaskan LT GaAs berdiri bebas. Tindak balas foto peranti menunjukkan kesan elektrik sementara dengan lebar 0ps~55ps dan voltan penguatan 1.3V.

Malooci melaporkan LTG GaAs sebagai pengadun optik pandu gelombang dalam aplikasi mmWave dan THz.

Mayorga menggunakan penyerapan LTG CaAs untuk mencampurkan dua laser (inframerah dekat) untuk menghasilkan isyarat frekuensi tinggi, yang boleh digunakan sebagai isyarat rujukan untuk pengayun pukal THz untuk aplikasi seperti ALMA (Projek Penyelidikan Aray Milimeter Besar Atacama).

Wingender menggunakan pengadun optik yang diperbuat daripada fabrikasi filem nipis LT GaAs untuk mencipta laser diod keadaan mantap dengan maklum balas optik.

Han Qin et al. mencipta pengesan foto 1. 55um resonator-enhanced (RCE) berasaskan GaAs dengan menggunakan bahan LTG GaAs sebagai lapisan penyerapan cahaya, dan menganalisis serta mengkaji sifat fotoelektriknya. Arus gelap peranti ialah 8.0x 10-12A; panjang gelombang puncak spektrum arus foto ialah 1563nm; separuh lebar spektrum tindak balas ialah 4nm, dengan selektiviti panjang gelombang yang baik.

Aplikasi utama dan kemajuan penyelidikan epilayer LT GaAs dalam peranti optoelektronik diperkenalkan secara ringkas, yang sangat bermakna untuk meningkatkan prestasi peranti filem nipis LT GaAs. Apabila peranti memasuki tahap sub-mikron, sesentuh ohmik tidak aloi boleh dibentuk, mengelakkan proses rawatan haba sesentuh ohmik untuk peranti, dan kecekapan dan prestasi peranti juga akan bertambah baik. Adalah dipercayai bahawa LT-GaAs akan menjadi bahan berfungsi maklumat yang sangat diperlukan dalam peranti berasaskan GaAs dalam masa terdekat.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.