Magnetoristor filem nipis Indium antimonida (InSb), yang merupakan elemen sensitif teras sensor jarak (MR), disediakan dari PAM-XIAMEN dengan ciri-ciri pengukuran tanpa sentuhan, ukuran kecil, kebolehpercayaan tinggi, nisbah isyarat-ke-kebisingan tinggi dan tindak balas frekuensi lebar (0-100kHz). Inast magnetoresistance adalah jenis elemen sensitif baru yang dibuat dengan menggunakan kesan magnetoresistance Filem InSb. Ia dapat menggunakan medan magnet sebagai media untuk menukar pelbagai kuantiti bukan elektrik (seperti pelbagai anjakan dan kelajuan) menjadi perubahan nilai rintangan, untuk mengukur atau mengawal kuantiti bukan elektrik. Oleh kerana penukaran ini dilakukan dalam keadaan tidak bersentuhan, sensor magnetoresistance mempunyai ciri-ciri kebolehpercayaan tinggi, ukuran kecil dan ringan untuk membuat pelbagai sensor dengannya. Jenis alat sensitif magnetik ini mempunyai pelbagai kegunaan dalam industri dan banyak bidang saintifik dan teknologi. Ketahanan magnet yang ada pada PAM-XIAMEN adalah seperti berikut:
1. Spesifikasi InSb Magnetoresistor
| Jenis | Saiz | Penentangan | Kepekaan | Maks. semasa bekerja | Asimetri | suhu operasi |
| PAM-L-1 | 3.8 × 1.8 mm | 1 × (100 ~ 2000) ohm | >2.0 | <15 mA | – | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2A | 4.5 × 3.5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2B | 3.0 × 2.5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2C | 7.6 × 1.8 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-R-2 | 5.0 × 4.0 mm | 2 × (800 ~ 3000) ohm | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-4 | 4.6 × 4.0 mm | 4 × (300 ~ 3000) ohm | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
Struktur Magnetoresistif:
Tandakan: Penghasilan magnetoresistor filem nipis InSb mengadopsi pengeluaran filem nipis canggih dan teknologi pengambilan gambar planar, dan corak, ukuran, dan ketahanannya dapat dirancang dengan fleksibel sesuai dengan keperluan.
Terdapat tiga parameter utama sensor resisten magneto:
- Nisbah magnetik daya tahan: ia merujuk kepada nisbah nilai rintangan magnetoresistor dengan nilai rintangan di bawah aruhan magnet sifar di bawah intensiti aruhan magnet yang ditentukan.
- Pekali Magnetoresistif: merujuk kepada nisbah nilai rintangan sensor magnetik dengan nilai rintangan nominalnya di bawah intensiti aruhan magnet tertentu.
- Sensitiviti Magnetoresistif: ini merujuk kepada kadar variasi relatif dari nilai rintangan sensor medan magnetoresistiviti dengan ketumpatan fluks magnet di bawah ketumpatan fluks magnet yang ditentukan.
2. Prinsip Kerja Sensor Magnetoresistance
The sensor magnetoresistif dibuat pada filem nipis InSb selalunya merupakan penyelesaian yang ideal untuk pengukuran kelajuan tinggi, kawalan sudut, kawalan kedudukan, penjejakan isyarat, dan lain-lain. Rintangannya R berubah dengan perubahan ketumpatan fluks magnet B yang melaluinya secara tegak lurus: ketika B <0.1T , R∝; apabila B> 0.1T, R∝B; apabila B = 0.3T> 2.0, seperti yang ditunjukkan dalam gambar di bawah.
Dengan menggunakan ciri ini, lebih mudah menggunakan medan magnet sebagai media untuk menukar bukan elektrik (seperti perpindahan, kedudukan, kelajuan, anjakan sudut, tekanan, pecutan, dll.) Menjadi tenaga elektrik tanpa sentuhan, untuk mengukur dan mengawal bukan elektrik.
3. Kesan resistensi Magneto dalam Filem Tipis InSb
Bahan InSb adalah bahan semikonduktor sebatian khas. Berbanding dengan silikon, germanium dan gallium arsenide, ia mempunyai kesan daya tahan magnet yang ketara. Oleh itu, sensor magnetoresistace menggunakan bahan InSb untuk membuat kesan daya tahan magnet dari bahan semikonduktor, termasuk kesan ketahanan magnet fizikal dan kesan magnetoresensi geometri. Kesan magnetoresensi fizikal juga dipanggil kesan daya tahan magnet. Dalam cip semikonduktor segi empat tepat, apabila arus mengalir sepanjang arah panjang, jika medan magnet diterapkan dalam arah ketebalan tegak lurus dengan arus, daya tahan meningkat dalam arah panjang cip SMR. Fenomena ini dipanggil kesan magnetoresistif fizikal atau kesan magnetoresistif.
4. Aplikasi Sensor Magnetoresistance
Sebagai sensor MR, prinsip kerja pelbagai sensor elemen ketahanan magnetik yang menggunakan magnetoresistor sebagai elemen inti adalah sama, tetapi jenisnya berbeza mengikut tujuan dan strukturnya. Oleh itu, ia dapat digunakan dalam sensor magnetik, yang untuk instrumen untuk mengukur sisa magnet medan magnet tetap dan medan magnet bergantian atau mesin elektrik, dan peralatan navigasi navigasi dan penerbangan. Selain itu, sensor magnetoresistance boleh digunakan untuk sensor kecepatan, sensor perpindahan sudut, dan sensor feromagnetik. Kombinasi magnetoresistor dan komponen elektronik dapat membentuk penukar AC-DC, pengganda frekuensi, modulator dan pengayun.
Lebih lanjut mengenai sensor magnetoresistance, sila baca:https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.