Epi-wafer LED merah AlGaInP berasaskan GaAs ialah bahan LED cahaya kelihatan biasa yang telah dibangunkan secara meluas dalam beberapa tahun kebelakangan ini. LED merah kuaternari AlGaInP mempunyai banyak kelebihan seperti kapasiti galas arus yang kuat, kecekapan bercahaya tinggi dan rintangan suhu tinggi. Ia mempunyai kedudukan yang tidak boleh ditukar ganti dalam penggunaan lampu, paparan dan lampu penunjuk, dan digunakan secara meluas dalam pelbagai bidang pencahayaan.PAM-XIAMENmembekalkan wafer LED AlGaInP / GaInP kekutuban positif pada panjang gelombang 620nm. Parameter khusus wafer LED positif untuk dijual disenaraikan dalam jadual seperti berikut:
1. Spesifikasi Wafer LED Positif.
PAMP19226-620LED
|
Struktur LED Merah Polariti Positif (WD=620nm) |
|||
| Lapisan | Ketebalan (nm) | Ketumpatan Pembawa (cm-3) | |
| P Kenalan | p+ GaAs | 20 | – |
| p- AlGaInP | – | 1.00E+18 | |
| p- AlInP | – | – | |
| WG | u- AlGaInP | – | |
| MQW | AlGaInP/InGaP | – | – |
| WG | u- AlGaInP | 100 | |
| n- AlInP | – | ||
| n- AlGaInP | – | – | |
| ESL | n- InGaP | – | 3.00E+18 |
| N Kenalan | n+ GaAs | 30 | – |
| u- AlGaInP | – | – | |
| Malangnya | – | ||
| GaAs substrat | |||
2. Apakah Kekutuban Positif Wafer LED?
Kekutuban wafer LED dibahagikan kepada jenis N/P dan P/N (P: positif; N: negatif) mengikut kekutuban cip LED. Di dalamnya, P/N bermaksud kekutuban positif wafer LED, yang bermaksud elektrod positif berada pada filem epitaxial dan elektrod negatif berada di bawah substrat.
Untuk bahan epitaxial diod pemancar cahaya AlGaInP daripada kami, ia ditanam secara langsung pada substrat GaAs, dan kemudian elektrod N disediakan terus di belakang substrat GaAs, dan elektrod P disediakan pada permukaan atas epi filem nipis, yang ditunjukkan sebagai rajah 1. Ini ialah teknologi wafer LED positif. Proses pengeluaran fabrikasi wafer led positif agak matang, dan kecekapan pengeluaran adalah tinggi.
Rajah.1 Gambarajah Skema Struktur Jenis P/N bagi Wafer Kekutuban Positif LED
Berbeza dengan wafer LED terbalik, terdapat filem konduktif telus diletakkan di atas epi wafer LED positif. Ini kerana kekonduksian lapisan bahan jenis P adalah lebih rendah daripada lapisan bahan jenis N, dan filem konduktif perlu didepositkan untuk meresap elektron dan meningkatkan kecekapan pendarfluor cip wafer LED positif.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.