Tag Produk - GaN Berdiri Bebas

PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk wafer substrat GaN berdiri bebas (gallium nitride), iaitu untuk UHB-LED dan LD. Ditanam oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), substrat GaN kami mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah.