SiC Wafer Reclaim

SiC Epitaxy SiC Epitaxy
SIC Permohonan SIC Permohonan
SiC Wafer Reclaim

SiC Wafer Reclaim

PAM-XIAMEN mampu menawarkan perkhidmatan wafer tuntut semula SiC berikut.

Kategori: tag:
  • Description

Penerangan Produk

SiC Reclaim Wafer & Pemprosesan

PAM-XIAMEN mampu menawarkan perkhidmatan wafer tuntut semula SiC berikut.

SiC Reclaim Wafer:

PAM-XIAMEN dapat melalui proses tuntutan semula hak milik untuk menawarkan aSiCmenuntut semula perkhidmatan wafer kepada pengeluar peranti LED, RF atau Kuasa. Mampu mengalih keluar lapisan EPI, EPI GaN atau peranti, dan kemudian menggilap permukaan, sehingga ke keadaan sedia Epi, yang pelanggan kami boleh mengepinya semula, untuk mengurangkan kos. Kami malah boleh menjamin kekasaran permukaan <0.3nm seperti yang dikehendaki pelanggan. Setiap wafer adalah dengan CMP atau dilap atau terukir untuk menghilangkan corak, calar dan kecacatan lain. Hasilnya ialah wafer yang bersih dan berkualiti tinggi yang sedia untuk digilap dan dibersihkan. Pada akhir proses tuntutan semula, untuk mengesahkan wafer siap mematuhi sepenuhnya piawaian dan spesifikasi pelanggan, kami akan melakukan pemeriksaan kualiti akhir sebelum pembungkusan. Kami meletakkan wafer yang ditebus semula ke dalam bekas. Bekas berbeg dua dan dilabel. Sebagai langkah terakhir, kami menyediakan Sijil Pematuhan dan/atau Sijil Analisis, seperti yang diperlukan, untuk mengesahkan kualiti produk.

Berikut adalah gambar AFM selepas CMP sebagai contoh:

Penyediaan Permukaan SiC:

PAM-XIAMEN telah membangunkan menggunakan pengalaman panjang dalam proses pembersihan wafer silikon karbida, yang mampu memberikan pencemaran logam rendah yang bersih pada yang baruSubstrat SiC.

Awak juga mungkin menyukai…

  • SiC Epitaxy
    Baca Lebih

    SiC Epitaxy
    Kami menyediakan filem nipis tersuai (silikon karbida) epitaksi SiC pada substrat 6H atau 4H untuk pembangunan peranti silikon karbida. Wafer SiC epi digunakan terutamanya untuk diod Schottky, transistor kesan medan semikonduktor logam-oksida, kesan medan simpang
  • Germanium Wafer
    Baca Lebih

    Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
    PAM-XIAMEN menawarkan 2”, 3”, 4” dan 6” wafer germanium, yang merupakan singkatan kepada wafer Ge yang ditanam oleh VGF / LEC. Wafer Germanium jenis P dan N yang didop ringan boleh juga digunakan untuk eksperimen kesan Hall. Pada suhu bilik, germanium kristal rapuh dan mempunyai keplastikan yang sedikit. Germanium mempunyai sifat semikonduktor. germanium ketulenan tinggi didopkan dengan unsur trivalen (seperti indium, galium, boron) untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis P; dan unsur pentavalen (seperti antimoni, arsenik, dan fosforus) didopkan untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis N. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron tinggi dan mobiliti lubang tinggi.
  • GaAs Epi Wafer
    Baca Lebih

    GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN mengeluarkan pelbagai jenis bahan semikonduktor jenis-n doped epi wafer III-V silikon berasaskan Ga, Al, In, As dan P yang ditanam oleh MBE atau MOCVD. Kami membekalkan struktur epiwafer GaAs tersuai untuk memenuhi spesifikasi pelanggan, sila hubungi kami untuk mendapatkan maklumat lanjut.

  • Substrat SiC Wafer (Silicon Carbide)
    Baca Lebih

    SiC Wafer Substrat

    Syarikat itu mempunyai barisan pengeluaran substrat wafer SiC(silikon karbida) lengkap yang menyepadukan pertumbuhan kristal, pemprosesan kristal, pemprosesan wafer, penggilap, pembersihan dan ujian. Pada masa kini kami membekalkan wafer SiC 4H dan 6H komersial dengan separa penebat dan kekonduksian dalam paksi atas atau luar paksi, saiz tersedia: 5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” dan 8″, menembusi teknologi utama seperti sebagai penindasan kecacatan, pemprosesan kristal benih dan pertumbuhan pesat, menggalakkan penyelidikan dan pembangunan asas berkaitan epitaksi silikon karbida, peranti, dsb.

     

  • wafer Inaswafer Inas
    Baca Lebih

    wafer Inas

    PAM-XIAMEN menawarkan wafer Semikonduktor Kompaun InAs – wafer indium arsenide yang ditanam oleh LEC(Czochralski Berkapsul Cecair) sebagai gred sedia epi atau mekanikal dengan jenis n, jenis p atau separa penebat dalam orientasi berbeza(111) atau (100). Selain itu, kristal tunggal InAs mempunyai mobiliti elektron yang tinggi dan merupakan bahan yang sesuai untuk membuat peranti Hall.

  • Freestanding Gan substrat
    Baca Lebih

    Freestanding Gan substrat

    PAM-XIAMEN telah mewujudkan teknologi pembuatan untuk wafer substrat GaN berdiri bebas (gallium nitride), iaitu untuk UHB-LED dan LD. Ditanam oleh teknologi epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), substrat GaN kami mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah.

  • Nanofabrication
    Baca Lebih

    Fotoresis Nanofabrikasi

    PAM-XIAMEN Menawarkan plat fotoresis dengan alat fotoresis

  • SIC Permohonan
    Baca Lebih

    SIC Permohonan
    Disebabkan oleh sifat fizikal dan elektronik SiC, peranti berasaskan Silicon Carbide sangat sesuai untuk optoelektronik panjang gelombang pendek, suhu tinggi, kalis sinaran, dan peranti elektronik berkuasa tinggi/berfrekuensi tinggi, berbanding peranti Si dan GaAs.