High-quality sapphire wafers are available from 2 inch to 8 inch with A, C, M or R plane. Monocrystal sapphire wafer is a very difficult material to process, so it is often used as a material for optoelectronic components. At present, the quality of ultra-high-brightness white/blue LEDs depends on the material quality of gallium nitride epitaxy (GaN), and the quality of LED GaN epitaxy is closely related to the surface processing quality of the sapphire substrate wafer. The lattice constant mismatch rate between C-plane sapphire and the II-V and II-VI group deposited films is small, and it meets the high temperature resistance requirements in the GaN epitaxial process, making the sapphire wafer a key material for the production of white/blue/green LEDs. As one of sapphire wafer suppliers, PAM-XIAMEN offers you following sapphire wafer specifications:

2 IN SAPPHIRE WAFER A-PLANE 11-20 SINGLE CRYSTAL AL2O3

Bahan: Ketulenan Tinggi >99.996%, kristal tunggal Al2O3
Dimensi: Φ50.8 mm ± 0.1 mm
Thickness: 0.50 mm standard
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: A-plane (11-20) 0.2± 0.1 darjah off.
Orientasi Rata Utama: C-plane
Panjang rata utama: 16.0 ± 1 mm
Jumlah Variasi Ketebalan: <10 μm
Tunduk: <10 μm
Meledingkan: <10 μm
Menggilap: satu sisi digilap Ra < 0.5 nm (AFM), pengilat bersaiz dua tersedia setiap permintaan.

2 DALAM SAPPHIRE WAFER M-PLANE 10-10 SATU KRISTAL AL2O3

Bahan: Ketulenan Tinggi >99.996%, kristal tunggal Al2O3
Dimensi: Φ50.8 mm ± 0.1 mm
Ketebalan: 0.43 mm standard
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: Satah M (10-10) 0.2± 0.1 darjah dimatikan.
Orientasi rata utama: C-plane[11-20] +/- 0.2°
Panjang rata utama: 16.0 ± 1 mm
Jumlah Variasi Ketebalan: <10 μm
Tunduk: <10 μm
Meledingkan: <10 μm
Menggilap: satu sisi digilap Ra < 0.5 nm (AFM), pengilat bersaiz dua tersedia setiap permintaan.

2 DALAM SAPPHIRE WAFER R-PLANE 1-102 KRISTAL TUNGGAL AL2O3

Bahan: Ketulenan Tinggi >99.996%, kristal tunggal Al2O3
Dimensi: Φ50.8 mm ± 0.1 mm
Ketebalan: 0.43 mm standard
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: Satah R (1-102) 0.2± 0.1 darjah dimatikan.
Orientasi Rata Utama: Unjuran C-Axis 45 +/- 2 darjah
Panjang rata utama: 16.0 ± 1 mm
Jumlah Variasi Ketebalan: <10 μm
Tunduk: <10 μm
Meledingkan: <10 μm
Menggilap: satu sisi digilap Ra < 0.5 nm (AFM), pengilat bersaiz dua tersedia setiap permintaan.

2 INCI WAFER SAPPHIRE C-PLANE SINGLE AT DOUBLE SIDE POLISH AL2O3 SINGLE CRYSTAL

Bahan: Ketulenan Tinggi >99.99%, kristal tunggal Al2O3
Dimensi: Φ50.8 mm ± 0.1 mm
Ketebalan: 430 um ± 25 um untuk SSP dan 400 um ± 25 um untuk DSP (ketebalan lain tersedia atas permintaan)
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: Satah C (0001) hingga M (1-100) 0.2 ± 0.1 darjah dimatikan.
Orientasi Rata Utama: A-satah [11-20] +/- 0.2°
Panjang Rata Utama: 16.0 ± 1.0 mm
Jumlah Variasi Ketebalan (TTV): <5 μm
Tunduk: <10 μm
Meledingkan: <10 μm
Menggilap: sisi tunggal digilap (SSP) bahagian hadapan permukaan sedia epi Ra < 0.3 nm (AFM), bahagian belakang tanah halus Ra = 0.8 ~ 1.2 um, atau dua sisi digilap (DSP) kedua-dua bahagian depan dan belakang permukaan sedia epi Ra < 0.3 nm (AFM)

3 INCI WAFER SAPPHIRE C-PLANE SINGLE AT DOUBLE SIDE POLISH AL2O3 SINGLE CRYSTAL

Bahan: Ketulenan Tinggi >99.99% kristal tunggal Al2O3
Diameter: Φ76.2 mm ± 0.1 mm
Ketebalan: 650 um ± 25 um (SSP), 600 atau 430 um ± 25 um (DSP)
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: Satah C (0001) ± 0.3 darjah, satah R (1-102), satah A (11-20), satah M (10-10) tersedia.
Orientasi rata utama: A-satah ± 0.3 darjah
Panjang rata utama: 22.0 mm ± 1 mm
Jumlah Variasi Ketebalan (TTV): <15 μm
Tunduk: <15 μm
Meledingkan: <15 μm
Menggilap: sisi tunggal digilap (SSP) bahagian hadapan permukaan sedia epi Ra < 0.5 nm (AFM), bahagian belakang tanah halus Ra = 0.8 ~ 1.2 um, atau dua sisi digilap (DSP) kedua-dua bahagian depan dan belakang permukaan sedia epi Ra < 0.5 nm (AFM)

4 INCI WAFER SAPPHIRE C-PLANE SINGLE AT DOUBLE SIDE POLISH AL2O3 SINGLE CRYSTAL

Bahan: Ketulenan Tinggi, >99.99%, kristal tunggal Al2O3
Dimensi: Φ100.0 mm ± 0.1 mm
Ketebalan: 650 um ± 25 um (SSP), 600 um ± 25 um (DSP)
Parameter Kekisi: a=4.785 A, c=12.991 A
Ketumpatan: 3.98 g/cm3
Orientasi: nilam satah C (0001) dari satah M 0.2± 0.1 darjah, satah R (1-102), satah A (11-20), satah M (10-10) tersedia.
Orientasi rata utama: A-satah ± 0.2 darjah
Panjang rata utama: 30.0 ± 1 mm
Jumlah Variasi Ketebalan (TTV): <20 μm
Tunduk: <20 μm
Meledingkan: <20 μm
Menggilap: sisi tunggal digilap (SSP) bahagian hadapan permukaan sedia epi Ra < 0.5 nm (AFM), bahagian belakang tanah halus Ra = 0.8 ~ 1.2 um, atau dua sisi digilap (DSP) kedua-dua bahagian depan dan belakang permukaan sedia epi Ra < 0.5 nm (AFM)

Satah C 6 inci (0001) Substrat Nilam (PAM210910-S)

Wafer Nilam 200mm (PAM210910-S)

Substrat Nilam C-Plane

Substrat Nilam R-Plane dengan SSP

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.